Граница когерентная

Рис. 38. Сопряжение фаз а) когерентное, б) частично когерентное. Линия 00 показывает межфазную границу. В случае (а) контур Бюргерса, показанный жирными линиями, замкнут. В случае (б) контур Бюргерса разомкнут. Замыкающий вектор Ь есть вектор Бюргерса дислокации несоответствия.

Выделяют двойниковые границы когерентные и некогерентные. Когерентной граница называется в том случае, если соприкасающиеся решетки двух индивидов двойника обладают общим атомным слоем в противном случае границы некогерентные (рис. 1-4). В случае некогерентной границы вдоль нее имеется деформированная область приспособления . Граница между индивидами двойников роста может представлять собой индукционную поверхность, и вдоль нее могут располагаться включения раствора (например, у двойников винной кислоты). [c.10]

В случае упрочняемых выделениями сплавов иа основе железа и никеля может быть построена интересная модификация рассмотренной выше общей модели. Названные сплавы упрочняются когерентными выделениями, поверхности которых могут быть менее привлекательными местами накопления водорода, чем границы когерентных выделений. Однако, как отмечалось выше, важной стадией водородных процессов в этих сплавах является уменьшение когерентности выделений при малых деформациях [124, [c.140]

Толщина каждого слоя зависит от разности химических потенциалов на его межфазовых границах, диффузионной проводимости и времени окисления металла, но относительная толщина когерентных (находящихся в связи) слоев, диффузия вещества через которые происходит вследствие ионной диффузии, не зависит от времени, т. е. hi Л2 /13 и т. д. = [c.69]

Свет рассеивается микрогетерогенными системами только в том случае, если размер частиц г меньше длины световой волны X, а расстояние между частицами больше световой волны. При размере частицы г < X световая волна огибает частицу происходит дифракционное рассеяние. Если размер частиц значительно больше длины световой волны, происходит отражение света. Рассеяние света связано с тем, что переменное электрическое поле световой волны возбуждает частицу, индуцируя в ней переменный дипольный момент. В результате этого частица становится источником собственного излучения, сохраняя строгие фазовые соотношения с облучающим электрическим полем. Такое рассеяние света называется когерентным. Если падающий луч света монохроматичен, то свет, рассеянный частицами, таклсе монохроматичен и имеет такую же длину волны, как и свет падающий. Свет, рассеянный частицей, попадает на находящиеся вблизи частицы, происходит многократное рассеяние света. В результате возникает само-освещение среды рассеянными внутри нее электромагнитными волнами. Вследствие когерентности света, рассеянного частицами, волны рассеянного ими света интерферируют между собой и с волнами падающего света. На границе дисперсионная среда — дисперсная фаза происходит полное гашение облучающей волны, и вместо нее возникают преломленные и отраженные волны. [c.389]

Параметр I/ можно определить из соотношения величин, представляющих искажение кристаллитов, поскольку они в местах "сшивок" и в периферийных областях кристаллообразований, по условию, идентичны. Заметим при этом, что высота ОКР 1 ) характеризует среднестатистический размер упорядоченных кристаллических областей в направлении оси с, в то время как параметр когерентности Порода определяет соответствующий размер краевой границы кристаллообразований. Следовательно, получаем [c.52]

В качестве доказательства можно привести экспериментальные данные работы [89], приведенные в табл. 1. Как видно из табл. 1, отпуск предварительно деформированного образца при 350 °С не только не уменьшил плотности субзерен, но, наоборот, увеличил ее в полтора раза. По нашему мнению, это прямо указывает на то, что в когерентные границы выстроились дислокации, которые ранее были в более неравновесном состоянии (например, в скоплениях перед барьерами). Хотя величина плотности субзерен проходит через максимум с ростом температуры отпуска (см. табл. 1), относительная деформация решетки, действительно характеризующая ее среднюю энергию упругих искажений, монотонно уменьшается с ростом температуры отпуска. Следовательно, повышение температуры отпуска монотонно приближает металл к равновесному состоянию, как и следовало ожидать. На отно-108 [c.108]

Если с помощью уравнений (16) и (17) рассчитать величины <Уа, то можно обнаружить, что при любых значениях Уд (за исключением случая исчезающе тонких оксидных пленок) получаются значения порядка единиц и десятков мегапаскаль, а в отдельных случаях — до тысяч мегапаскалей. Столь высокие напряжения должны были бы неизбежно вызывать разрушение подложек и оказывать существенное влияние на поверхностное растрескивание, однако в действительности разрушения массивных образцов под действием рассматриваемых напряжений не наблюдается. Факт получения аномально высоких значений при использовании стандартных уравнений для напряжений роста с определенностью свидетельствует о том, что сами эти уравнения недостаточно хорошо описывают реальные системы. При высоких температурах может происходить аккомодация деформаций, связанных с ростом оксида, путем локализованного пластического течения в сплаве или даже в самом оксиде, что приведет к снижению напряжений в обеих фазах до уровня напряжений пластического течения при данной температуре. Одна из основных причин неадекватности уравнений, описывающих напряжения роста, состоит в том, что в них неявно предполагается когерентность межфазной границы между окислом и металлической подложкой. Это означает, что имеет место либо эпитаксия, либо, по крайней мере, когерентное согласование кристаллических решеток фаз, расположенных по обе стороны границы, причем различия атомных объемов должны быть скомпенсированы за счет согласующихся деформаций и напряжений. Хотя определенная степень когерентного согласования на самых ранних стадиях окисления вполне возможна, все же толстые пленки окалины, кристаллическая структура и химический состав которых так сильно отличается от структуры и состава металлов, скорее всего будут отделяться от подложек некогерентной межфазной границей. В этом случае расчеты оа нельзя проводить с помощью уравнений (16) и (17). В действительности аккомодация даже очень существенных различий атомных объемов должна осуществляться в основном в некогерентной границе, в результате чего напряжения роста как в оксиде, так и в подложке будут невелики. [c.30]

Мы отмечали важность планарности скольжения в сплавах на основе Ре и N1, связанной с разрезанием выделений. Большое значение имели бы дальнейшие исследования зависимости такой планарности от металлургических факторов и предшествующей термообработки материала. Интересно было бы исследовать и влияние тех же факторов на потери когерентности выделений, что помогло бы лучше понять природу корреляции, представленной на рис. 54, и природу интеркристаллитного разрушения рассматриваемых материалов (при условии, что это разрушение связано с дислокационным транспортом водорода к границам зерен [259]). Заслуживает более тщательного изучения и отрицательное влияние т]- и 5-фаз в таких сплавах на стойкость к индуцированному внешней средой охрупчиванию. Необходимо выяснить, обусловлен ли этот эффект присутствием ингибиторов рекомбинации водорода на межфазных границах, или же водород вызывает охрупчивание самих фаз. [c.141]

Имеется также несколько работ, посвященных исследованию возникающих в результате течений в неустойчиво стратифицированных слоях жидкости при различных других условиях. Так, в работе [83] изучалась устойчивость термически возбуждаемого течения вязкой жидкости, нагреваемой снизу. Измерения скорости в неустановившемся режиме при конвекции Бенара, возникающей в результате внезапного охлаждения жидкости сверху, вплоть до сверхкритического числа Рэлея были проведены [70] с использованием техники лазерной спекл-фотографии (дифракционных изображений, полученных в когерентном свете). При этом наблюдались упорядоченные конвективные валки, ориентированные параллельно короткой стороне ячейки Бенара. Количество валков в пределах слоя было примерно в два раза больше по сравнению с тем, что наблюдалось при стационарном режиме. Возникновение конвекции в слое с почти изолированными границами при наличии произвольных пространственных возмущений проанализировано в работе [38]. Проводились экспериментальные и теоретические исследования турбулентной естественной конвекции в горизонтальном слое, нагреваемом снизу [19, 22, 25, 74]. Некоторые результаты этих исследований обсуждаются в гл. 14. [c.217]

Из рис 3 12 находим, что верхняя 95%-ная граница /г, и (0,95) равна 4,0 Так как наблюденное значение статистики (10 3 17) меньше 4,0, то можно заключить, что нет никаких признаков того, что истинная когерентность отлична от нуля [c.199]

Само по себе понятие равновесия, как выше обсуждалось, может иметь различный физический смысл при фазовых превращениях, тем более протекающих в твердых телах. Действительно, поскольку деформационный член зависит от степени когерентности межфазных границ и времени релаксации т, а также от кристаллографических факторов обеих фаз, то в общем случае без дополнительных допущений нельзя его нормировать ни на объем (т. е. включить в AGv), ни на площадь поверхности (т. е. включить [c.304]

В изотропном приближении изменение свободной энергии при таком фазовом превращении для двух случаев полного или частичного сохранения и полного нарушения когерентности границ — равно [c.306]

Топограммы центральных сечений кристаллов показывают (рис. 144), что из каждой области стыковки секторов роста 111 , которая может быть декорирована нитевидным включением, распространяются параллельные вытянутые вдоль направлений <110>, <110> в сечении 110 и <011>, <011> в сечении 100 зоны, подобные волокнам, наблюдавшимся в пирамидах нарастания ромбоэдра и призмы кварца. В кубических секторах роста параллельные пучки волокон развиваются в направлении <100>. По топограммам установлено, что в пределах каждого пучка волокна обладают высокой когерентностью, их разориентировка не превышает 1. Вблизи границ секторов роста волокна пучков несколько разориентированы по отношению к основным объемам пучков, образующих сектора (светлые пятна на топограммах отвечают неотражающему положению волокон). [c.398]

В основе современных когерентных методов лежит алгоритм синтезирования апертуры с помощью небольшого акустического преобразователя (имеющего широкую диаграмму направленности) измеряют значения акустического поля в ряде точек в заданной области, осуществляют их совместную обработку и получают акустическое изображение внутреннего объема (или сечения) ОК. При этом, по существу, с помощью цифровых методов синтезируется фокусирующий преобразователь с очень большими размерами, равными области сканирования, а следовательно, с очень узкой фокальной областью. Рассматриваемые методы позволяют получить образ дефекта, когда он имеет резкие границы, шероховатые поверхности и облучается во многих направлениях. [c.264]

Кроме когерентного и частично когерентного сопряжения возможно еще существование полностью некогерентного сопряжения. При полностью некогерентном сопряжении границы не держат тангенциальные сдвиговые напряжения. Моделью некогерентного включения может служить частица новой фазы, вставленная в соответствующую полость в матрице, в которой отсутствует трение между поверхностью зтой частицы и внутренней поверхностью полости. В зтих условиях границы могут свободно проскальзывать относительно друг друга. [c.196]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

Для ряда сплавов было установлено, что менее благородные металлы Ме (Са, Сг, 8 , Т1, 1.] и Мп в меди) образуют легко различимые отдельные слои (прилегающие к поверхности сплава), на которых образуется окисел более благородного легируемого металла Mt (закиси меди Си О). Для того чтобы эти промежуточные слои оказывали защитное действие, необходимо выполнение следующих условий-. I) промежуточный слой должен образовывать когерентное (сцепленное) покрытие на металле без образования таких дополнительных каналов диффузии, как трещины или проницаемые межзеренные границы 2) скорости диффузии катионов (Ме"+ и М "+) и анионов в этом слое должны быть малы 3) пов.ерхност-ные окислы не должны образовывать легкоплавких эвтектик. [c.108]

Таким образом, при прямом переходе графита в алмаз протекают как бы два процесса, обеспечивающие минимизацию свободной энергии на каждом этапе перехода в зависимости от размеров зародыша новой фазы возможности образования промежуточных фаз, нарушения когерентности межфазных границ, релаксации упругих напряжений, а также регуляризации в расположении структурных элементов вплоть до образования макроансамблей кристаллов. [c.311]

Поверхностная энергия. Существование длины когерентности позволило объяснить происхождение поверхностной энергии на границе между нормальной и сверхпроводящей фазами. Наличие такой энергии следует из эффекта Мейснера. Еще Лондон указал, что полное вытеснение внешнего поля из сверхпроводника не приводит к состоянию с наименьшей энергией, если такая поверхностная энергия не существует. Согласнр современным представлениям, поверхностная энергия возникает следующим образом. На рис. ИЗ дано условное изображение границы нормальной и сверхпроводящей фаз. В сверхпроводящей фазе параметр упорядочения 1] = 1, . в нормальной фазе Т1 = 0. Однако состояние электронов в металле не может меняться на расстояниях, меньших корреляционной длины Ео- Ввиду этого т) меняется примерно так, как показано на рис. ИЗ. Со стороны нормальной фазы есть магнитное поле, равное Не (иначе не могло бы быть равновесия). Поле внутри сверхпроводника должно равняться нулю. Значит оно падает от Н до нуля на расстоянии порядка Если заменить плавное поведение л Н (х) резкими границами А и В (см. рис. ИЗ) при сохранении средних значений г и Н то возникает область АВ == которой, с одной стороны, [c.263]

Связь кристаллической структуры с теплопроводностью проанализи рована на отечественных промышленных графитовых материалах, а так же на отформованных по технологии графита ГМЗ материалах, наполни телем в которых служили различные коксы. Совершенство кристалличе ской структуры коксов изменяли, варьируя температуру обработки Средняя теплопроводность, приведенная к нулевой пористости, сопостав лена в работе [61] с измеренным рентгеновским методом диаметром областей когерентного рассеяния. Обнаружена прямая пропорциональная зависимость между этими величинами (рис. 48). Из имеющихся данных также следует, что тепловое сопротивление хорошо графитированных образцов изменяется линейно в зависимости от обратной величины диаметра кристаллитов. Все это свидетельствует о том, что в хорошо графитированных материалах средний свободный пробег фононов обусловлен рассеянием фононов на границах кристаллитов. [c.108]

Фаза S имеет форму пластинки и зарождается предпочтительно на дислокациях, как и фаза в в сплаве системы А1—Си. Она по крайней мере частично не когерентна с матрицей и имеет приблизительный состав Ab uMg. Вызывает удивление, что до сих пор нет подходящей количественной оценки процессов, имеющих место во время стандартной термомеханической обработки такого широко применяемого сплава 2024. Упрощенное качественное описание термомеханической обработки этого силава можно представить следующим образом. При температуре нагрева перед закалкой большинство легирующих элементов переходит в твердый раствор. Однако марганцовистые соединения и другие интерметаллические частицы не растворяются. Эти частицы препятствуют движению границ зерен, способствуя образованию структуры с удлиненным зерном во время изготовления полуфабриката. Быстрое охлаждение с температуры под закалку приводит к пересыщению твердого раствора с почти равномерным распределением меди и магния в матрице. В этих условиях даже границы свободны от выделений, как показано на рис. 86. Если скорость охлаждения во время закалки меньше, чем 550 °С/с, то зарождение и рост фазы, обогащенной медью, может происходить по границам зерен с образованием при этом зон, обедненных медью, непосредственно прилегающих к границам зерен. [c.237]

С другой стороны, на рост углеродного волокна накладывается жесткое кристаллографическое ограничение неизменности диаметра волокна, приводящего к остановке его роста при изменении условий реакции (температура, скорость подачи и состав сырья). Да шое ограничение, очевидно, связано с нарушением когерентности границ между существующим и вновь образованным углеродом, приводящим к прекращению роста углеродной нити. То есть углеродная нить растет только при определеиных скоростях реакции дегидрирования, контролируемой температурой, скоростью подвода углеводорода и его состава. Изменение контролирующих факторов реакции дегидрирования приводит к прекращению роста углеродной нити. Рост углеродной нити возможен только при наличии баланса и неизменности скоростей образования углерода при каталитическом дегидрировании углеводорода на единичном фрагменте катализатора и кристаллизации углерода на этом же фрагменте. [c.89]

Ниже приводится логическая схема для вычислительной программы FRQRSP, входными данными которой служат те же величины, что и для программы ROSSPE (Приложение П9 2) Выходная печать программы FRQRSP состоит из ковариаций (повторная проверка), сглаженных автоспектров для каждой из точек отсечения М, функций усиления и фазы, квадрата спектра когерентности и спектра остаточного шума, а также из приближенных верхних и нижних 95%-ных доверительных границ для функций усиления и фазы Графический выход состоит из графиков входных, выходных и остаточного спектров в логарифмическом масштабе, графика логарифма функции усиления в зависимости от логарифма частоты с верхними и нижними доверительными границами и графика фазовой функции в зависимости от частоты, причем для каждой из функций на одном и том же рисунке помещаются графики для всех используемых точек отсечения. [c.219]

Напечатать автоспектры (входные, выходные и остаточного щума), квадрат спектра когерентности, функции усиления и фазы, а также верхние и нижние 95%-ные доверительные границы для функций усиления и фазы [c.220]

Среди межкристаллитных границ выделяют низкоэнергетические, когерентные границы с периодической упорядоченной атомной структурой и особыми кинетическими, диффузионными, механическими и другими свойствами. Такие границы называют специальными. К ним относятся границы фаз в ориентированных эвтектиках, в мартенситных структурах и др. Специальные границы возникают при определенных у глах разориентировки зерен (дяя гомофазных фаниц зерен) или при определенной взаимной ориентации фаз (для гетерофазных, межфаз-ных фаниц). При таких разориентировках возникают решетки совпадения и часть атомов двух решеток являются общи.ми. Основная характеристика специальной фаницы - обратная плотность мест совпадения Е - отношение числа общих атомов к числу всех атомов решетки 1 или решетки 2 в ячейке совпадения. Чем меньше значение Е, тем больше относительная доля общих атомов в решетке совпадения, т е. те.м плотнее атомная упаковка (выше когерентность) фаницы, проходящей через плоскости симметрии решетки совпадения. На рис. 5.1 показано возникновение решетки совпадения с значением Е=5. [c.63]

Второй путь может быть назван кристаллографическим (или теоретическим). Как уже упоминалось, бразильские двойники характеризуются параллельным расположением осей 3 и антипараллельным расположением осей 2. Такая взаимная ориентация структур может быть получена, если в качестве двойникующего элтента симметрии выбрать одну из плоскостей отражения 1120 . Можно воспользоваться этим приемом, давно известным в макроскопической кристаллографии, для построения модели двойниковой границы на микроскопическом уровне. Для того, чтобы граница была когерентна, необходимо, чтобы левая структура кварца переходила в правую через пограничные атомы кислорода. Это условие может быть выполнено, если двойникующие плоскости проводить именно через эти атомы (тогда при отражении атомы, расположенные в этих плоскостях, останутся на месте). Выберем в качестве двойникующего элемента одну из трех возможных плоскостей Шх- При этом шесть атомов кислорода в элементарной ячейке разобьются на три пары, связанные осью 2х, перпендикулярной к выбранной плоскости. Таким образом, у нас останутся только три варианта проведения двойникую-щих плоскостей через пары атомов О5 —О4, О3 — Ое или О2 — О1 (см. рис. 22). Анализ структуры кварца на проекциях ху и уг показывает, что системы этих атомов соединяют в структуре кварца два последовательных Я-, т- и с-слоя соответственно (рис. 23). В каждом из трех вариантов мысленно разделим структуру кварца на две части системой указанных атомов. Проведем через эти атомы систему двойникующих плоскостей гпх и отразим в них одну из частей структуры. Периодическая (с периодом а/2 см. рис. 22, а) система двойникующих плоскостей гпх при таком отражении совместится сама с собой, а граничные атомы [c.102]

В классическом приближении [14] и др. определение равновесия графит —алмаз основано на расчете изменения свободной энергии (в предположении обратимости перехода, хотя он явно монотропен) без учета упругих полей и образования зародыша, фазовые переходы I рода идут только через образование зародыша, что приводит к значительным расхождениям между расчетными и экспериментальными р = 7-параметрами для процесса прямого превращения. Дальше приводятся результаты расчета нижней границы пересыщения ДС, а точнее, при заданных 7, способствующих образованию зародышей алмаза в графитовой фазе при условии полного или частичного сохранения когерентности межфазных границ. Дело в том, что учесть возможные нарушения когерентности (наиболее эффективного способа уменьшения свободной энергии гетерофазной системы) невозможно, так как механизм и времена релаксаций упругих напряжений в алмазе и графите мало изучены. Поэтому не будем совместно рассматривать процессы фазового превращения и деформации, а ограничимся расчетом ДСу ДСдеф. Следует подчеркнуть, что такой подход уже подразумевает необратимость процесса из-за наличия эффективного гистерезиса, обусловленного различиями в кристаллографических и упругих параметрах преобразующих фаз. Существует и еще вторая трудность при подобном расчете — отсутствие данных о механизме прямого перехода графита в алмаз, поскольку есть все 20 307 [c.307]

Дефектом упаковки называется всякое отклонение от нормальной для данного кристалла последовательности в чередовании атомарных слоев. Дефекты упаковки имеют ту же природу, что и двойники. На когерентной двойниковой границе меняется первоначальная последовательность слоев на последовательность, находящуюся с первоначальной в двойниковом соответствии, в то время как после дефекта упаковки первоначальная последовательность полностью восстанавливается. Таким образом, дефект упаковки можно расматривать как двойниковую прослойку толщиной в один элементарный слой, ограниченную с двух сторон когерентными двойниковыми границами. Дефекты упаковки особенно часто образуются в кристаллах со слоистой структурой (типа С(112, желтой кровяной соли и т. д.), т. е. веществах, обладающих политипией. Собственно, легкость образования дефектов упаковки и определяет склонность соединения к политипии. Сама структура политипной модификации может быть описана как упорядоченное расположение в одном измерении ( сверхструктура ) дефектов упаковки. При этом на правильную сверхструктуру может быть наложено беспорядочное распределение дефектов упа- [c.10]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология