Варбурга сопротивление

Поэтому в эквивалентной электрической схеме последовательно с сопротивлением разряда включается импеданс Варбурга ((рис. 131, б). Зависимость составляющих (фарадеевского импеданса от частоты при отсутствии специфической адсорбции реаги- рующих веществ, затрудняющей разделение фарадеевского и не- фарадеевского токов, приведена на рис. 132 . Экстраполяция прямо- [c.259]

Диффузионная емкость Со и диффузионное сопротивление Яо отличаются от обычных емкостей и сопротивлений тем, что зависят от частоты переменного тока со. Поэтому в эквивалентных электрических схемах вместо последовательного соединения Яо и Со используют специальный символ — Ш — (XV — первая буква фамилии Е. Варбурга). В электрической цепи диффузионный импеданс можно модели- [c.212]

Формула (48.9) лежит в основе импедансного метода определения тока обмена. Однако в реальных условиях при Е—Е всегда тот или иной вклад в измеряемый импеданс вносит диффузия электроактивных веществ О и Н. Поэтому в эквивалентной электрической схеме последовательно с сопротивлением разряда включается импеданс Варбурга (рис. 131, б). Зависимость составляющих фарадеевского импеданса от частоты при отсутствии специфической адсорбции реагирующих веществ, затрудняющей разделение фарадеевского и нефарадеевского токов, приведена на рис. 132. Экстраполяция прямолинейной зависимости от 1/Коз к бесконечно большой частоте (1/К =0) у сз [c.244]

Др — сопротивление раствора С ,.— емкость двойного слоя 6— сопротивление стадии разряда — импеданс Варбурга [c.244]

Сд с — емкость двойного слоя — сопротивление раствора 0 — сопротивление реакции — С — импеданс Геришера — — импеданс Варбурга по веществу Н —1Гд— импеданс Варбурга по веществу В [c.313]

Общая эквивалентная схема процесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо О имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. Если то и диффузионным импедансом по веществу В 2 можно пренебречь. [c.313]

Общая эквивалентная схема пр оцесса, включающего медленную гомогенную реакцию, приведена на рис. 168. При низких частотах вместо —О— имеем омическое сопротивление, определяемое по формуле (61.8), а при высоких — импеданс Варбурга по веществу К. [c.327]

При низких частотах фарадеевский импеданс часто обнаруживает зависимость от диффузии подобно постояннотоковому сопротивлению (ср. постояннотоковая полярография>). Уже в 1896 г. Варбург 1901 математическим путем установил, что процесс диффузии в поле переменного тока сдвигает фазу тока по отношению к фазе (синусоидального ) напряжения на-л/4. [c.154]

Она определяется коэффициентом диффузии разряжающихся ионов (Di) и их концентрацией ( ) в объеме. Если в выбранном диапазоне частот ЭЭС электрода содержит только импеданс Варбурга и сопротивление электролита, то справедлива линейная зависимость активного и емкостного (хяч) сопротивления ячейки от [c.50]

ФАРАДЕЕВСКИЙ ИМПЕДАНС, часть сопротивления (импеданса) электрохим. системы, моделирующая происходящий в ней окисл.-восст. процесс. При воздействии на систему гармонич. напряжения с малой амплитудой перенос заряда моделируется активным сопротивлением Ra, диффузия — сопротивлением Варбурга, включающим активное R [c.609]

В импедансе Варбурга параметры и w не постоянны, а зависят от частоты, подчиняясь уравнению (9.28). На рис. 9.16,6 представлен пример кривой зависимости значений Rs и 5 от / /2 (Ла,/5=10 Ом/с /2, / ф = 0, остальные параметры как выще). В данных координатах кривые, согласно уравнению (9.28), прямолинейны и параллельны друг другу. Прямая для проходит через начало координат прямая для s сдвинута вверх, так как в измеряемое значение Rs, кроме Rw, входит еще не зависящее от частоты сопротивление электролита Rэл Если использовать координаты Хз, Rs, то в рассматриваемом случае годограф имеет вид прямой линии, расположенной под углом 45° и отсекающей на оси абсцисс отрезок, который соответствует сопротивлению Rэл (рис. 9.17,6). [c.150]

Для не полностью необратимых (или не полностью обратимых) реакций необходимо учитывать как кинетические факторы, например поляризационное сопротивление / ф, так и концентрационные изменения — импеданс Варбурга. Простейшая схема замещения для этого случая изображена на рис. 9.15, в. На рис. 9.17, в представлен пример годографа для такой схемы (Ли/5=10 Ом/с / , / ф=1 Ом, остальные параметры как выше). Как видно, характер кривой меняется с изменением частоты. При высоких частотах (малой длительности полупериодов) относительные концентрационные изменения незначительны и поведение электродов определяется главным образом кинетикой реакции на кривой в координатах X.,, появляется ха рактерный для этого случая отрезок полуокружности. При уменьшении ча- [c.150]

Импеданс замедленной гомогенной хинической реакш<и <импеданс Геришера) электродного процесса зависит от частоты переменного тока. При низких частотах тока импеданс Геришера G представляет собой активное сопротивление, величина которого равна емкостное сопротивление 1/о>С при этом стремится к нулю. При больших частотах тока импеданс гомогенной химической реакции моделируется импедансом Варбурга V, указывающим только на диффузионные затруднения у процесса. Критерии, характерные для преобладающего влияния гомогенной химической реакции на кинетику электродного процесса, следующие [c.48]

В условиях присутствия в элек олите ПАВ процесс в ячейке моделируется схемой Фрумкина-Мелик-Гайказя на (рис., б). Адсорбционная емкость С дополняет высокочастотн емкость электродного процесса Сщ, активное сопротивление описывает Замедленность собственно адсорбц. процесса, импеданс Варбурга W отвечает диффузии ПАВ к электроду. [c.464]

Одна группа исследователей, к которой принадлежали В. Вебер, Р. Кольрауш, Ф. Кольрауш, Г. Видеман, объясняла последействие вращением молекул тела, встречающих те или иные сопротивления. Эта гипотеза была подробно раавита Е, Варбургом [21] и получила математическое развитие в работе Г. Ми-хаэлиса [22]. [c.33]

Влияние ионизирующих факторов, обнаружившееся в первой части работы, получает благодаря этому определенное толкование — постепенного нарастания степени диссоциации. Электрическое состояние кварца и его сопротивление определяется равновесием ряда факторов тепловой диссоциации и воссоединения, диссоциации, вызванной внешним ионизатором, передвижения ионов под действием электрического поля и диффузии. Противоречие между картиной явления, описанной Кюри, Варбургом, Дельтером и Кенигсбергером, объясняется изменением относительной роли каждого из указанных факторов с переходом от одной области температур к другой. [c.122]

Таким образом, импеданс окислительно-восстановительной реакции, не осложненной адсорбционными явлениями, может быть представлен как импеданс цепи, составленной из последовательно включенных активного сопротивления Нр, характеризующего перенос заряда и импеданса Варбурга Zw = (1 — /) Шр/Ухарактеризующего диффузионный процесс (см. рис. 3). Эта схема так же, как и практическое выражение для импеданса (4.10), были впервые получены Эршлером [4] и Рэндлсом [5] и обычно называются схемой и импедансом Эршлера — Рэндлса. [c.23]

Варбурга для окисленной и восстановленной форм электрохиишче-ски-активного вещества. Включение емкости двойного слоя и фарадеевского импеданса Ър = Нр + 2цгц 4- Zw22 параллельно друг другу отвечает уравнению (6.5), в котором токи заряжения и фа-радеевской реакции складываются в общий ток. Сопротивление [c.27]

Смотреть страницы где упоминается термин Варбурга сопротивление: [c.107] [c.304] [c.319] [c.319] [c.304] [c.83] [c.98] [c.304] [c.49] [c.49] [c.609] [c.219] [c.369] [c.269] [c.609] [c.243] [c.277] [c.138] [c.84] [c.137] [c.212] [c.21]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология