Измерения удельной анизотропии

Рис. 3. Изменения степени анизотропности (КД диамагнитной восприимчивости ( ), концентрации парамагнитных центров (ПМЦ), удельного электрического сопротивления (УЭС), измеренного параллельно (1) и перпендикулярно (2) оси прессования, и анизотропии УЭС коксов различной структуры с

Анизотропия, наблвдаемая у плохо графитирующихся коксов при измерении удельного сопротивления (см.рис.2) в режиме прессования значительно меньше анизотропии графитирующихся коксов. Это определяется правде всего наличием большой примеси карбиновых полупроводниковых включений, зона Ферми которых достаточно далеко удалена от валентной зоны. Поэтому прокалка этих материалов с целью графитации не может проводиться при температурах, близких к равновесию карбин-графит, даже в течение длительного времени и даже под большим давлением. [c.93]

Используя О,, и экспериментальную величину [п, по (Х1У-13) можно определить анизотропию частицы 71 — уг (если известен молекулярный вес М) или ее удельную анизотропию —g2 (если известен парциальный объем и). В некоторых случаях для определения 71 —уг измерения [ф/ ] могут быть заменены измерением характеристической вязкости раствора [т)]. Так, используя (Х1У-11), (Х1У-12) и (Х1У-13), можно получить [c.455]

Поскольку микрокристаллический углерод состоит из плоских графитовых слоев с более или менее нарушенной ориентацией, целесообразно рассмотреть вопрос о сильной анизотропной проводимости, свойственной самому графиту. Эту анизотропию, проявляющуюся также в термических и механических свойствах графита, можно считать следствием его структуры и типа связи. Измерение удельного сопротивления монокристаллов графита и пиролитического графита дали значения порядка 10- и 1 ом-см в направлениях, параллельном и перпендикулярном графитовым плоскостям соответственно [12—16]. Низкое значение удельного сопротивления в направлении, параллельном графитовым плоскостям, находится в пределах величин, обычных для металлов. В этом случае температурные коэффициенты удельного сопротивления положительны и также близки к соответствующим величинам для металлов. [c.301]

На результат кондуктометрического определения влажности существенное влияние оказывают строение материала ОК и его химический состав. Древесина, все волокнистые и некоторые другие материалы имеют ярко выраженную пространственную анизотропию структуры, следствием чего является анизотропия электрофизических свойств, в частности удельного электрического сопротивления. Это означает, что результат измерения электрического сопротивления ОК при контроле во многом будет определяться не только влагосодержанием, но и ориентацией ОК относительно электродов при измерении Д. Так, например, проводимость древесины по трем пространствен- [c.519]

При отсутствии точной информации об остаточных дефектах, которые могут присутствовать даже в монокристаллах почти идеального графита, отношение удельных сопротивлений ( /Ра), измеренных в направлениях, перпендикулярном и параллельном оси а гексагональных сеток углеродных атомов, указывает лишь на предельные значения величины, ожидаемой для кристаллов без дефектов. Даже в пиролитическом графите, полученном с помощью крекинга метана на нагретой поверхности углерода с последующей термообработкой при 2100° С, отношение удельных сопротивлений для осей с и а, характеризующее анизотропию, достигает приблизительно 10 [140]. Такие образцы отличаются хорошим параллельным расположением гексагональных сеток, однако и они в общем далеки от монокристаллов, и, кроме того, на дефектах решетки этих кристаллов может удерживаться незначительное количество водорода. Самая высокая величина этого отношения для небольших монокристаллов естественного графита [318] составляет точно так же около 10" (ср. [254, 255]). [c.122]

Измерение электрофизических характеристик в интервале температур от комнатной до 700°С в различных кристаллографических направлениях [16] позволило установить анизотропию монокристаллов максимальные значения удельной электропроводности (а), теплопроводности (х), коэффициента термоэдс (а) и минимальная микротвердость (Я ) наблюдаются в направлении оси шестого порядка, перпендикулярном плоскости (001) (см. таблицу). [c.292]

Жидкие кристаллы обладают анизотропией магнитных свойств 3. График зависимости удельной диамагнитной восприимчивости от температуры для п-азоксианизола показан на рис. 61. Для жидкокристаллического п-азоксианизола (как и для всех нематических жидких кристаллов) диамагнитная анизотропия обычно положительна. Это значит, что удельная диамагнитная восприимчивость нематического монокристалла, измеренная в направлении оптической оси, всегда меньше восприимчивости в направлении, перпендикулярном оси. Диамагнитная анизотропия обусловлена [c.98]

Одним из наиболее характерных свойств, облегчающим изучение эффектов изоморфного замещения, оказывается магнитная восприимчивость. >то свойство может быть использовано в случаях замещения в комплексном силикате иона мапшя ионом двухвалентного железа Р+. Этот ион сообщает характерный парамагнетизм замещенной кристаллической силикатной фазе, что значителЬно облегчает. исследование магнитной анизотропии в кристаллических растворах подобного рода. Характерные примеры приводит Нилакан-тан , который изучал магнитные явления в железосодержащих минералах группы слюд, в частности в мусковитах (с низким содержанием железа), флогопитах и биотитах с точно анализированными составами. Измерения удельной анизотропии производились при помощи измерений разности магнитной восприимчивости при максимальной и минимальной ориентации кристаллической пластинки [c.66]

В работе [121] показано, что основное внимание при использования этих методов не-эбходимо обращать на прижимное усилие. Значительные прижимные силы могут вызвать диэлектрическую анизотропию или вытекание эластичного образца из измерительного устройства. Чтобы предотвратить эти нежелательные явления, необходимо измерять и ограничивать прижимное усилие. Ошибки возможны и в том случае, если поверхность образца неровная или поверхности его не строго параллельны. Воздушный зазор, появляющийся между электродами и образцом, искажает результаты измерений. Измерение удельного объемного электрического сопротивления эластичных магнитных материалов, их диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь на частоте 50 Гц проводится обычными стандартными методами. Как правило, это мостовые методы. Из сказанного выше следует, что для определения б и б материала необходимо измерить емкость Сх и образца. В диапазоне частот от нескольких кГц до 350 МГц измерения диэлектрических характеристик прово- [c.110]

Из результатов измерений удельного сопротивления для кристаллов с одинаковой концентрацией электронов п, но для различных кристаллографических направлений (и оси с) следует, что отношение подвижности электронов Ц ц/(д,х 4. Эта величина хорошо согласуется с величиной 3,87, полученной Стивенсоном [70] путем измерений циклотронного резонанса. Анизотропия удельного сопротивления и чзотропия коэффициента Холла для монокристаллов С(1Аз2 означают, что для него изоэнергетические поверхности яв- [c.107]

Отмеченное различие в интенсивности трещиноватости по разным направлениям обусловливает электрическую анизотропию пласта в плане. Коэффициент анизотропии, рассчитанный по величине отношения длин осей эллипса, описанного вокруг розы направлений изоом, составляет 1,3 1,4. Для сравнения укажем, что коэффициент анизотропии X = образцов пород, по данным Л. И. Орлова [5],обыг. ю заключен в пределах 1,52-ь 2,0. Здесь и р —удельные сопротивления образца, измеренные поперек и вдоль его слоистости. [c.14]

Известно, что любое твердое тело хара1ггеризуется некоторой поверхностной энергией, которая измеряется работой, необходимой для перемещения внутренней частицы твердого тела на его поверхность. Таким образом, частицы, выведенные на поверхность, обладают некоторым избытком энергии. На поверхности твердого тела формируется поверхностный слой, в котором концентрируется избыточная энергия. Этот избыток энергии поверхностного слоя, отнесенный к единице поверхности, называют удельной поверхностной энергией и обозначают а. Размерность о указывает на близость понятий поверхностная энергия и поверхностное натяжение , используемых для характеристики жидкостей. Физический смысл понятия поверхностное натяжение жидкости идентичен понятию поверхностная энергия твердого тела , однако имеются и коренные отличия а твердых тел от о жидких. Из-за однородности жидкости (или бесструктурного строения) ее поверхностное натяжение ст не зависит от направления действия разрывающей силы. Удельная поверхностная энергия кристаллических твердых тел зависит от направления приложения сил (поскольку всегда существует анизотропия кристаллов), твердости минералов, температуры, а также среды юмельчения. Тонкое измельчение не осуществляется избирательно по заданным направлениям, поэтому при характеристике поверхности пользуются некоторым усредненным значением ст, которое находят эмпирически. Определение удельной поверхностной энергии основано на методах определения твердости минералов — царапании, шлифовании, вдавливании или же измерении теплоты растворения (или смачивания) дисперсных порошков. [c.806]

У монокристаллов гадолиния удельное электрическое сопротивление в значительной степени определяется кристаллографической ориентацией. Удельное электрическое сопротивленне, измеренное перпендикулярно гексагональной оси р , = 139 мкОм-м, параллельно гексагональной оси р 11=122 мкОм-м, коэффициент анизотропии pj /p ц =1,14. [c.574]