Дислокация косая

Кинетические параметры и механизм выделения кислорода и СОг будут рассмотрены в следующем разделе. Здесь мы хотели бы вслед за авторами работы [235] отметить тесную связь между составом конечных продуктов реакции и свойствами адсорбированного кислорода. Максимальный выход СОг наблюдается в той области потенциалов и pH, где не образуются кислородсодержащие соединения с более или менее постоянной энергией связи. Поэтому в соответствии с изложенным можно предполагать, что окисление в этом случае протекает на дислокациях или дефектах решетки с последующим легким отрывом атома С в виде СОг. При изменении характера связи кислорода образование соединения с предельной энергией связи (косая штриховка) или адсорбция кислорода в обратимой форме (сетчатая штриховка) — разряд воды или ОН -ионов происходит только на определенных участках кристалла и сопровождается преимущественным выделением Ог- Это приводит К СНИЖеНИЮ выхода СОа и скорости коррозии. [c.89]

Косую дислокацию в кристалле, по Бюргерсу, можно считать состоящей из отрезков, имеющих краевую и винтовую компоненты. [c.268]

От геометрической поверхности переходят к истинной или адсорбционной поверхности, умножая ее на фактор шероховатости , величину которого принимают равной единице для поверхности жидкости и близкой к единице для непористых порошков [401 (см. подраздел В данного раздела — определение пористости). Однако неясно, какой величиной этого множителя нужно пользоваться для массивных металлов. Часто пользовались дробными множителями между 1 и 2, однако Ридил, Боуден и их сотрудники [41] показали, что для протянутых или подвергавшихся электрополировке металлов этот множитель равен 3 или большей величине, которая может достигать 13 для свежеотполированного никеля. В принципе подробные сведения о шероховатости поверхности можно получить при помощи многолучевой интерферометрии [42] или электронномикроскопического изучения методом оттенения. В ин-терферометрическом методе поверхность помещают вблизи оптически гладкой поверхности кварца таким образом, чтобы образовался тонкий клин, который дает интерференционные полосы (получаемые при отражении или пропускании), смещаемые неправильностями поверхности. Если исследуемая поверхность и плоскость покрыты тонким однородным слоем серебра, нанесенным на них испарением, то картина интерференционных полос, образуемых многократным отражением, становится более ясной. Топография поверхности может быть получена контурнрованием через интервалы по 30. В методе оттенения проекции выступов или впадин проявляются после того, как их склоны или ступени покроют атомами золота из молекулярного пучка, направленного под косым углом к поверхности. Подобного рода исследования проводились для того, чтобы детально проследить изменения, происходящие при росте кристаллов и образовании пленок металлов, а определение таким способом фактора шероховатости едва ли целесообразно. С другой стороны, подробные сведения о топографии поверхности монокристаллов, вероятно, важны для отнесения активности их граней за счет поверхностных дислокаций, выступов, изломов и т. п. [c.168]

Рассмотренный механизм поверхностной деформации отличается от механизма, предложенного в работах Боудена и Тейбора. Последние исходили из того, что контакты и пластическая деформация ограничиваются несколькими точками в местах соприкосновения неровностей. Исходя из теории дислокаций, можно интерпретировать этот пример по-другому чем меньше трение, тем более упругий характер носит деформация и тем меньше концентрация дислокаций чем больше трение, тем более пластичный характер косит деформация и техМ выше концентрация дислокаций. Практически при прокатке и волочении у рабочей кромки инструмента накапливается металл. Эта пластическая волна металла как бы набухает перед валками или фильерой, достигает определенных размеров и затем остается постоянной в результате непрерывного ухода металла из нее. [c.162]

Если рассматривать сравнительно низкодисперсные (негативные) эмульсии, кристаллизационный процесс у которых прослеживается при помощи оптического микроскопа, то можно показать, что этот процесс во втором созревании практически прекращается (см. разделы П.З и III.1). Отсюда следует, что химическая сенсибилизация совершается в этом случае на поверхности эмульсионных микрокристаллов и состоит из определенных топохимических превращений. Очевидно, последние должны начинаться с адсорбции сенсибилизирующих веществ на неоднородной поверхности реальных кристаллов, нарушения которой создаются собственными дефектами решетки (выходами дислокаций и других субструктурных элементов). Поэтому можно считать, что начальный момент сенсибилизации заключается в образовании адсорбционных комплексов, некоторые из которых, переходя в раствор, могут вызывать травление, т. е. усиление поверхностных нарушений микрокристаллов. Возможность такого явления действительно подтверждается прямыми опытами [25], как это видно из рис. VIII.6. Здесь показана зависимость времени появления первых следов травления от концентрации тиосульфата. Наблюдения производили при косом освещении с целью более уверенного обнаружения момента начала травления. [c.320]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология