Электроны тепловые

Расчеты по формуле Ричардсона показывают, что ток термоэлектронной эмиссии должен в электронных печах достигать нескольких тысяч ампер. Однако измерения показали, что в действительности его величина достигает только десятков или сотен ампер, что объясняется действием пространственного заряда, создающегося в процессе электронной бомбардировки над поверхностью металла. В связи с тем, что энергия электронов тепловой эмиссии, уходящих с поверхности металла, невелика (составляет всего несколько электрон-вольт), ее также можно не учитывать при энергетических расчетах. [c.237]

Удельное электрическое сопротивление металла р складывается в основном из двух составляющих идеального сопротивления р,-, обусловленного рассеянием электронов тепловыми колебаниями решетки (фононами), и остаточного сопротивления ро, вызванного несовершенствами решетки (механическими дефектами, наличием примесей и т. п.). Опытами установлено, что оба процесса рассеяния независимы друг от друга, т. е. [c.234]

Сравнить зависимости атомной функции рассеяния быстрых электронов, тепловых нейтронов и рентгеновских лучей а) от порядкового номера (г) элемента б) от угла рассеяния или sin ОА. [c.435]

Первично-выбитые заряженные частицы, сталкиваясь с другими молекулами, выбивают орбитальные электроны или переводят молекулы в возбужденное состояние. Этот процесс продолжается до тех пор, пока ионизирующие частицы не будут достаточно замедлены, после чего электроны тепловых скоростей соединятся с положительными ионами или будут захвачены молекулами, обладающими по отнощению к ним определенным сродством. [c.348]

Приобретают дополнительные положительные заряды. Эти более высоко заряженные ионы можно рассматривать как положительные дырки , и, как и в случае с захваченными электронами, тепловая энергия может сообщить им подвижность, и тогда кристалл станет полупроводником. Однако в кристалле типа (б) или (в) ток переносится электронами — это полупроводники п.-(нормального) типа, тогда как в кристалле типа (а) или (г) ГОК переносится положительными дырками , и поэтому кристалл называется полупроводником р-(положительная дырка) типа (разд. 4.9). [c.97]

Свечение фосфоресценции, особенно на значительной ступени затухания, много проще по своему составу в нем должны отсутствовать все кратковременные процессы и высвечивание, связанное с электронами, освобождаемыми из глубоких ловушек возбуждающей радиацией. Понятно, что в таких случаях наблюдается только свечение, связанное с рекомбинацией электронов из зоны проводимости с соответствующими центрами, претерпевших достаточно глубокую локализацию, однако глубина ловушек такова, что для нее достаточно велика вероятность освобождения электронов тепловым путем. [c.66]

Ограниченный перенос электронов или пространственных зарядов Образование внутренней лавины электронов Тепловой пробой (разогрев диэлектрика) [c.62]

Энергетическое расстояние мел(-ду ближайшими зонами 1 и 7/м предполагается столь большим, что перенос электронов тепловым путём из заполненной зоны /х в пустую зону 7/м невозможен. Число заполненных и незаполненных зон в раз-личных кристаллофосфорах различно. Возбуждение сопровождается по- реносом электронов из одной из за-X полненных зон в одну из незаполненных. При фотовозбуждении обыч-, но рассматривается лишь переход [c.330]

Ионизация происходит по различным причинам (соударение атома с электроном, тепловой нагрев и т. д.). При этом электроны получают добавочную порцию энергии, которая в некоторых случаях достаточна для того, что-бы они покинули атом и стали свободными. Атомы не всех материалов одинаково прочно удерживают свои электроны. Особенно легко их отдают металлы, значительно хуже полупроводники и совсем плохо изоляторы. Поэтому в изоляторах практически нет свободных электронов, а в полупроводниках их мало. [c.11]

Из других способов атомизации наиболее пригодным оказалось испарение в вакууме из графитовых тиглей, нагреваемых электрическим током до 3000 °С. В этом случае анализируемую пробу (до 100 мг) непосредственно или после выпаривания раствора до сухого остатка в тигле помещают в вакуумируемую камеру и после откачки камеры до остаточного давления 10 Па ступенчато нагревают до рабочей температуры. Для подавления фона от ионов и электронов теплового происхождения над выходным каналом тигля устанавливают специальную систему ионоподавления. [c.857]

Заметим, что при использовании электронного тензора в этом уравнении возможно дальнейшее упрощение. Именно, вклад в тензор вязкости, обусловленный пространственными производными электронного теплового потока, приводит к малым поправкам порядка квадрата малого параметра соотношения (43.2) по сравнению со вторым слагаемым правой части уравнения (43.53). Имея также в виду, чтом гь (м —u ) + , можно использовать в уравнении (43.53) выражение для тензора в котором пренебрежено вкладом теплового потока, а средняя электронная скорость заменена на среднюю массовую скорость -Ид. Заметим, что [c.170]

Внешнее облучение — облучение от источников излучений, находящихся вне объекта, организма (у-, рентгеновыми лучами, р-частицами и электронами, тепловыми, промежуточными и быстрыми нейтронами, протонами и многозарядными ионами). [c.278]

Твердые тела, обладающие нестехиометрией типа III и IV, элек-тронейтральны вследствие того, что около дефекта решетки захватывается положительная дырка. Этот процесс можно представить как возникновение избыточного положительного заряда в одном из соседних катионов [рис. 11 (111 и IV)]. Как и в случае захваченного электрона, тепловая энергия может освободить дырку, что при наличии внешнего электрического поля приводит к появлению тока. Кристалл в этом случае также становится полупроводником, но этот случай отличается от описанного выше тем, что носителями тока являются не электроны, а положительные дырки. Обычно различают проводимость м-типа (т, е. нормальную) и р-типа (обусловленную передвижением положительных дырок). Оба эти типа относятся к электронной проводимости в отличие от ионной проводимости. Они находятся в таком же отношении друг к другу, как проводимость, вызванная ионами в междуузлиях, относится к проводимости [c.69]

Внешнее облучение — облучение от источников излучения, находящихся вне объекта, организма (гамма- и рентгеновыми лучами, бета-частицами и электронами, тепловыми и быстрыми нейтронами, протонами и многоааряд-ными ионами). [c.134]

Бета-лучп п электроны Тепловые нейтроны Медленные нейтроны [c.137]

Выше были выведены выражения электрического тока (I. 1. 41) и электронного теплового потока (1.1.43). Учитывая, что grada = [c.29]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология