Электронов проникновение, в алюминий

Характеристика элементов подгруппы галлия. Подобно типическим элементам, металлы подгруппы галлия являются 5/7-элементами. Несмотря на то что элементы подгруппы галлия — типовые аналоги, наблюдаются особенности в свойствах отдельных ее представителей. Элемент галлий непосредственно следует за первой десяткой кайносимметричных переходных 3 -металлов, для которых особенно сильна -контракция. Поэтому атомный радиус галлия меньше таковых не только его более тяжелых аналогов, но и алюминия. Вследствие этого ионизационные потенциалы галлия более высокие и связанные с ними энергетические характеристики отличаются от его аналогов. Уже у элементов ИВ-группы заметна тенденция к уменьшению степени окисления сверху вниз, в частности для ртути. Такое понижение положительной степени окисления еще более заметно и подгруппе галлия, В этом в определенной мере проявляется горизонтальная аналогия. Уже для таллия степень окисления +1 более стабильна, чем характеристическая степень окисления +3. Вследствие с1- и особенно /-контракции переход от индия к таллию сопровождается только незначительным увеличением атомного радиуса. В то же время ионизационные потенциалы таллия заметно больше, чем индия. Дело в том, что оба бз -электрона атома таллия подвержены сильному эффекту проникновения через двойной экран и /-электронных облаков. В результате 5-электроны с трудом участвуют в образовании химических связей. Этот факт получил наименование концепции инертной электронной пары. Поэтому у таллия часто валентным является бр-электрон, который, переходя к окислителю, превращает таллий в устойчивый ион Т1(+1). По этой причине производные Т1(+1) почти не проявляют восстановительных свойств и, наоборот, производные Т1(+3) являются сильными окислителями. [c.156]

Величины пробегов, приведенные в табл. 2.4, были рассчитаны при условии, что пробег р-частиц в воде и алюминии одинаков пробеги в воздухе взяты из работы [4]. Следует отметить, что приведенные величины относятся к Р-частицам максимальной энергии, т. е. реально на такие расстояния в вещество проникает только небольшая доля Р-частиц, а средний пробег равен приблизительно одной пятой максимального. Нужно помнить, что термин пробег для Р-частиц и электронов относится только к глубине проникновения этих частиц в вещество, а истинная длина пути из-за рассеяния значительно больше. Для тяжелых частиц, например а-частиц, у которых не наблюдается отклонения от прямолинейного пути, пробег (т. е. Глубина проникновения) и длина пути практически совпадают. [c.22]

Молекулы или атомы кислорода, которые получают заряд при тихом электрическом разряде, и свободные электроны в поле высокого напряжения приобретают дополнительную кинетическую энергию и двигаются с большой скоростью. Поверхность алюминия подвергается как бы бомбардировке кислородом, что вероятно и способствует его проникновению через пленку к поверхности раздела металл/пленка, где и происходит ее рост. [c.49]

Уменьшение размера электронного зонда ограничивается необходимостью получения достаточной интенсивности рентгеновского излучения. В работающих в настоящее время микроанализаторах получение диаметра электронного зонда меньше 1 мк нецелесообразно. Глубина проникновения и рассеяние электронов в образце определяют размер анализируемой области и зависят от начальной энергии электронов и от характеристик образца атомных номеров элементов, входящих в состав анализируемой области, плотности. Оценка минимального излучающего объема, когда еще не наблюдается заметной потери интенсивности, дана в работе [25]. При ускоряющем напряжении, равном 30 кв, эффективный анализируемый рбъем для золота составляет 1 лг/с , для меди — 10 мк , для алюминия — 350 мк . Разрешающая способность может быть увеличена или за счет улучшения электронной оптики, или соответствующим подбором ускоряющего напряжения и размера зонда. Для меди при ускоряющем напряжении 10 кв получено минимальное значение излучающего объема, равное 0,2 мк . Дальнейшее повышение разрешающей способности может идти за счет ухудшения чувствительности и точности анализа. [c.66]

Интересно знать глубины ироникновения различных частиц в ампулы ЭПР-спектрометров и в образцы. Глубины обычно выражаются в мг1см или г см к сантиметрам переходят делением на плотность р г1см . Протоны имеют глубину проникновения в алюминии 0,5 г сж при 17,5 Мэе и 10 г см при 100 Мэе. Электроны имеют глубину проникновения в алюминии 1 г1см при [c.317]

Ответ. Уже многими учеными было установлено, что водород, находящийся в металле, оказывает очень слабое влияние на коррозию. Нам удалось наблюдать наиболее сильное действие водорода при его проникновении. Очевидно, при прохождении водорода через окисную пленку происходит второй катодный процесс миграция протонов от поверхности к металлу. Момент, когда катодный ток распределяется между этим процессом и процессом прохождения электронов в обратном направлении, пока еще не определен. Как мне кажется, Дралей предположил, что действие железа и никеля в алюминии сводится не только к возникновению образований, но к понижению электронной проводимости окисла, что мешает проникновению водорода, образующегося при катодной поляризации. [c.200]

Сцепление окисла и металла на шлифованной поверхности. Ранее проведенная работа по снятию пленки в Кембридже и более подробное исследование в Теддингтоне показали, что через тонкие пленки на железе и меди (включая те, которые дают цвета побежалости первого порядка) происходит значительное окисление металла. Под гомогенной окисной пленкой появляется смешанная зона металла и окисла. Современная работа по изучению электронной эмиссии, проведенная в Глазго, подтверждает это и указывает на удивительно глубокое проникновение смешанной зоны. Нестойкий деформированный окисел, образовавшийся под поверхностью шлифованного металла, может испускать электроны при освещении определенными длинами волн в условиях, когда относительно устойчивая пленка окисла на поверхности не способна к этому. Алюминий, шлифованный на воздухе карборундовой бумагой средней зернистости, после выдержки на воздухе в течение [c.55]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология