Глу ина проникновения

Эффект проникновения электронов к ядру обусловлен тем, что, согласно квантовой механике, все электроны (даже внешние) [c.33]

Органические осадители. В количественном неорганическом анализе впервые применил органическое соединение М. А. Ильинский (1855—1941 гг.), предложивший в 1884 г. а-нитрозо-р-нафтол в качестве реагента на Со +. Однако широкое использование органических реагентов началось после классических работ Л. А. Чу-гаева (1873—1922 гг.), предложившего в 1905 г. свою знаменитую реакцию на N1 + с диметилглиоксимом и выдвинувшего проблему изучеиия аналитических свойств внутрикомплексных солей. Работы Чугаева знаменовали начало нового, весьма плодотворного направления в аналитической химии, характеризующегося широчайшим использованием органических соединений в качестве реагентов на различные ионы. За протекший с тех пор период времени было открыто огромное число ценных органических соединений, применяемых ныне как в качественном, так и в количественном анализе. Основной причиной широкого проникновения органических реагентов в практику анализа является ряд особенностей их по сравнению с неорганическими реагентами. [c.123]

Здесь уравнение (11) вытекает из предположения о первона чал ..ной концентрации уравнение (12) дает определение концентрации на границе раздела фаз с и (13) может использоваться как третье граничное условие, если даже к концу времени существования элемента t концентрация в его пределах заметно отличается от первоначальной величины со в поверхностных слоях элемента. Последнее предположение может также рассматриваться как условие, что глубина проникновения (т. е. расстояние от поверхности раздела, на котором с заметно отличается от Со) будет, по истечении времени намного меньше, чем глубина самого элемента поверхности. [c.17]

Под смачивающим действием понимают способность какого-нибудь растворимого в воде капиллярно-активного вещества ускорять проникновение в хлопчатобумажную ткань воды в результате снижения ее поверхностного натяжения. Эта способность характеризуется концентрацией смачивающего вещества в г/л воды, при которой специальный хлопчатобумажный лоскут диаметром примерно 30 мм тонет в растворе за 120 сек. Если такой хлопчатобумажный лоскут положить на поверхность дистиллированной воды, то часто приходится ждать часами пока он потонет. [c.410]

Рис. 31. Графическое изображение профиля концентраций (в соответствии с моделью пленочной теории) при одновременной абсорбции НгЗ и СО2. Таковые в соответствии с моделью теории проникновения представлены в работе [6].

Повышение концентрации сероводорода в водных средах значительно больше влияет на проникновение водорода в сталь, чем на общую коррозию. Кроме того, на проникновение водорода в зависимости от температуры влияют ионизация железа, перенапряжение водорода, соотношение адсорбции и десорбции водорода, диффузия водорода в металл. [c.148]

Также интересно оценить порядок величины глубины проникновения X. При подстановке уравнений (3.1) и (3.3) в (3.10) имеем [c.44]

Проникновение алхимических учений в Европу шло тремя путями через Византию (самый ранний путь, но быстро утративший значение), через Сирию, Египет и Сицилию (оказавший влияние на развитие науки в Южной Италии) и через Пиренейский полуостров благодаря арабской культуре Магриба (см. Л1ец А. Мусульманский Ренессанс.— М. Наука, 1966, 437 с.). Однако химические знания накапливались и в других регионах Китае, Средней Азии и на Кавказе. Не последнюю роль при этом играла фармация. Примером могут служить труды армян- [c.180]

В дифференциальных уравнениях, описывающих это явление, член накопления d idt для химической абсорбции) имеет вид Uzd loz, где 2 —направление потока, а —скорость жидкости. Величина Uj в общем случае является функцией расстояния от границы раздела фаз, которую можно рассматривать линейной при небольшой глубине проникновения, а именно, когда концентрационный пограничный слой тоньше скоростного пограничного слоя. [c.115]

Действительная глубина проникновения почти равна (О/р) / . В самом деле, химическая реакция всегда вызывает более крутое увеличение градиента концентраций на единице расстояния вблизи поверхности раздела фаз. [c.23]

Отсюда следует, что % будет в лучшем случае величиной порядка 10 см. При такой глубине проникновения можно считать, что справедливо допущение о постоянной скорости жидкости, которое неявно подразумевается в дифференциальном уравнении (1.20), Из уравнения (3,15) также следует, что / намного меньше глубины проникновения, которая устанавливается для физической абсорбции, а именно или, в свете пленочной теории, [c.44]

Основные задачи этой книги — теоретического характера. Однако проникновение в существо предмета, которого мы добиваемся, должно служить практическим целям, позволяя разрабатывать методы расчета и управления реальными промышленными реакторами, основанные на знании фундаментальных характеристик процесса. [c.63]

РЕАКЦИЯ /7-го ПОРЯДКА ГЛУБИНА ПРОНИКНОВЕНИЯ [c.41]

В сероводородных растворах диффузия водорода в углеродистую сталь происходит в диапазоне pH от 1,5 до 11,5. Проникновение водорода снижается с увеличением pH раствора и резко падает при переходе к нейтральным и щелочным сероводородным растворам. Выше pH 9,5 растрескивание стали вообще прекращается. [c.148]

Условия режима быстрой реакции в порах твердого катализатора рассматривались в разделе 3.4. Было показано, что если глубина проникновения X намного меньше половины толщины ката-лизаторной частицы Ф, то фактор эффективности катализатора приближенно описывается уравнением (3.30) [c.98]

Селективность каталитического действия в процессах селективного гидрокрекинга (СГК) достигается применением специаль — них катализаторов на основе модифицированных высококремне— земных цеолитов, обладающих молекулярно— ситовым свойством. Катализаторы СГК имеют трубчатую пористую структуру с разме — рсМи входных окон 0,5 — 0,55 нм, доступными для проникновения и рс агирования там только молекулам парафинов нормального с тро — ег ИЯ. Для гидрирования образующихся продуктов крекинга в цеолит ВЕодят обычные гидрирующие компоненты (металлы У1П и VI групп). [c.234]

Если полностью гидрированный когазин II обрабатывать двуокисью серы и кислородом при одаовременном освещении актиничным светом в описанном ранее лабораторном аппарате, то, как и в случае циклогексана, через некоторое время жидкость мутнеет и начинают выделяться сульфоновые кислоты. Они оседают на дно как вещества с большим удельным весом, чем углеводороды. Однако незначительное количество сульфокислот удерживается на стенках трубки и частично там разлагаются под воздействием ультрафиолетовых лучей в черные смолистые вещества, которые делают постепенно невозможным дальнейшее проникновение света в трубку, та-к что в результате реакция прекращается. [c.488]

Параметр ). имеет физический смысл глубины проникновения. Это глубина жидкости, на которой концентрация абсорбированного компонента отличается от равновесной величины с. Практически удобен критерий Х, намного менее строгий, чем критерий X. [c.42]

Понятно, что эффект проникновения увеличивает прочность связи внешних электронов с ядром. Этим, в частности, определяется порядок заполнения в многоэлектронных атомах 5-, р-, <а - /-... орбита-лей п)и данном п. [c.33]

Из уравнения (3.17), учитывая определение величины "к, следует, что X = сю. Глубина проникновения X определяется по уравнению [c.44]

У элементов подгруппы меди первая энергия ионизации существенно выше, чем у s-элементов I группы. Это объясняется проникновением внешнего rts-электрона под экран (п—1) с(1 -электронов. Уменьшение первой энергии ионизации при переходе от Си к Ag обусловлено большим значением главного квантового числа п, дальнейшее же увеличение энергии ионизации у Аи обусловлено проникновением 6з-электрона не только под экран 5 1 -электронов, но и под экран 4/1 -электронов. Что касается второй энергии ионизации [удаление электрона из (п—1) ( 1 -подслоя , то у всех трех элементов она близка и по значению заметно меньше, чем у щелочных металлов. [c.620]

Теорию проникновения называют также во многих источниках пенетрацион-ной от английского репе1га1юп (проникание). В данной книге используют-сн оба синонима. — Прим. редактора.] [c.16]

Вероятность проникновения турбулентных вихрей к подвижной границе раздела, несомненно, должна возрастать с уменьшением поверхностного натяжения этой границы. Поэтому в системах с достаточно малым поверхностным натяжением не исключена возможность турбулизации слоев, непосредственно прилегающих к межфазной поверхности, особенно в случае противотока газа. [c.183]

Можно сделать также вывод, что вследствие более глубокого проникновения 5-электроны в большей степени экранируют ядро, чем р-электроны, а последние — сильнее, чем -электроны, и т. д.- [c.34]

Если размер частиц одного из компонентов не превышает /з размера частиц другого, то возможно образование твердых растворов рнедрения путем проникновения меньших по размеру частиц в междоузлия кристаллической решетки, образованной более крупными частицами. Твердые растворы внедрения, например, образуются при совмеетной кристаллизации железа и углерода, при адсорбции некоторыми металлами водорода и т. д. [c.135]

Интересно отметить, что сродство к электрону у Си, Ag и Аи значительно больше не только сродства к электрону s-элементов I группы, но даже кислорода и серы. Этот факт обязан эффекту проникновения s-электронов внешнего уровня к ядру. [c.620]

На основании пленочной теории, согласно которой имеется линейная зависимость скорости массопередачн от коэффициента молекулярной диффузии, /п = 1. В соответствии же с теорией проникновения, независимо от вида функций распределения возрастов, элементов т — 0,5. Значит, из пенетрационной теории следует, что скорости массопереноса пропорциональны квадратному корню из коэффициента диффузии. Фридландер и Литт [13] при рассмотрении задачи массопереноса от твердой поверхности к ламинарному пограничному слою, при наличии мгновенной реакции, получили уравнение, напоминающее уравнение (5.14). При этом т= /з, чего и следовало ожидать, принимая скорость массопереноса в пограничных слоях пропорциональной величине коэффициента молекулярной диффузии в степени Va- [c.63]

Концентрация электронной плотнссти у ядра (степень проникновения электронов) при одном и том же главном квантовом числе наибол ьшая для 5-электрона, меньше — аля р-электрона, еще меньше — цля -электрона и т. д. Например, при п = 3 степень про-никноиения убывает в последовательности 35> Зр нагля/ ,но иллюстрирует рис. 8. [c.33]

У элементов подгруппы цинка две первые энергии ионизации-выше, чем у -элементов соответствующих периодов. Это объясняется проникновением внешних -электронов под экран (п—1) 1 -электронов. Уменьшение энергии ионизации при переходе от Zn к Сс1 обусловлено большим значением главного квантового числа п, дальнейшее же увеличение энергии ионизации у Hg обусловлено проникновением бх -электронов не только под экран 5й -электро-нов, но и под экран 4/ -электронов. Значения третьих энергий ионизации довольно высокие, что свидетельствует об устойчивости электронной конфигурации (п—В соответствии с этим у элементов подгруппы цинка высшая степень окисления равна +2. Вместе с тем (п—1) 1 -электроны цинка и его аналогов, как и у других -элементов, способны к участию в донорно-акцепторном взаимодействии. При этом в ряду Zn — d —Hg " по мере увеличения размеров (п—l) -opбитaлeй электроно-донорная способность ионов возрастает. Ионы Э ( ) проявляют ярко выраженную тенденцию к образованию комплексных соединений. [c.631]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология