Элементы подгруппы галлия

Какие степени окисленности характерны для элементов подгруппы галлия В какой степени окисленности более устойчивы соединения галлия и индия и в какой — соединения таллия [c.246]

Подгруппа галлия располагается в периодической системе непосредственно после семейств d-элементов. Поэтому на свойствах галлия и его аналогов в значительной степени сказывается d-сжатие. Так, от А1 к Ga атомный радиус несколько уменьшается, а энергия ионизации возрастает. На свойствах таллия, кроме того, сказывается и /-сжатие. Поэтому от In к Т1 размер атома и иона увеличивается незначительно, а энергия ионизации даже несколько возрастает. Остальные свойства элементов подгруппы галлия изменяются в той же последовательности, как и в других подгруппах р-элементов. [c.462]

К р-элементам III группы относятся типические элементы — бор и алюминий — и элементы подгруппы галлия — галлий, индий и таллий [c.435]

Какие состояния окисления проявляют элементы подгруппы галлия в своих соединениях. Какое состояние окисления устойчиво для галлия и индия и какое для таллия [c.194]

Таблица 1.18 Некоторые характеристики окислов элементов подгруппы галлия

Элементы подгруппы галлия, наоборот, проявляют с А1 сходство атомных структур и резкое отличие структур ионов Э "". [c.525]

Как меняется характер гидроксидов элементов подгруппы галлия [c.194]

Элементы подгрупп галлия [c.97]

К третьей группе относятся типические элементы (бор, алюминий), элементы подгруппы галлия (галлий, индий, таллнй) и подгруппы скандия (скандий, иттрий, лантан, актиний) к этой группе часто относят элементы семейств церия (лантаноиды) и тория (актиноиды). [c.508]

Глава 3. Элементы подгруппы галлия 535 [c.535]

ЦИИ возрастает. На свойствах галлия, кроме того, сказывается и /-сжатие. Поэтому от 1п к Т1 размер атома и иона увеличивается незначительно, а потенциал ионизации даже несколько возрастает. Остальные свойства элементов подгруппы галлия изменяются в той же последовательности, как и в других подгруппах р-элементов. [c.536]

Элементы подгруппы галлия. ............... [c.669]

Элементы подгруппы галлия располагаются в периодической системе непосредственно после -элементов. Поэтому на Оа, 1п и Т1 должно сказываться -сжатие. Этот факт во многом определяет специфику свойств галлия и его аналогов. На свойства XI, кроме того, [c.273]

Принцип химической аналогии, использованный Менделеевым как основной ориентир при решении сложных вопросов размещения элементов в периодической системе, также диктует отнесение РЗЭ к главной подгруппе [3]. Как мы увидим ниже, кислотно-основные свойства закономерно изменяются с усилением основности по ряду А1<5с< <Ьа, тогда как в ряду А1>0а<1п<Т1 минимальная основность принадлежит галлию. Последнее также говорит о большей обоснованности отнесения элементов подгруппы галлия к побочной, а подгруппы скандия — к главной подгруппе П1 группы периодической системы. [c.50]

Г лава 6 ЭЛЕМЕНТЫ ПОДГРУППЫ ГАЛЛИЯ [c.167]

Для элементов подгруппы галлия. характерно координационное число, равное четырем (хр -гибридизация) и шести (хр -гибридиза-ция). Однако, в связи с тем, что с ростом порядкового номера элемента возрастает участие с1- и /-орбиталей в образовании химических связей, [c.167]

Водные растворы солей элементов подгруппы галлия имеют кислую реакцию вследствие сильного гидролиза. По характеру растворимости солей и склонности их к гидролизу элементы подгруппы галлия напоминают соответствующие соединения алюминия. Гидролиз солей (первая стадия) протекает по уравнению [c.172]

Карбиды. При взаимодействии бора, алюминия и элементов подгруппы галлия с углеродом возможно образование карбидов, которые имеют смешанную химическую связь. Наибольший интерес представляют карбиды бора и алюминия. Карбид бора В4С может быть получен при накаливании смеси ВоОз с углем в электрической печи. В,,С тугоплавок ( ,,=2550 °С), чрезвычайно тверд (близок по твердости к алмазу) и устойчив к различным химическим воздействиям. Карбид алюминия АЬС, — производное метана СН4, метаннд — получают при взаимодействии глинозема с углем (/= = 2000°С) [c.276]

Следует отметить, что соли Оа (1П) гидролизуются сильнее, чем соли аммония, а из солей элементов подгруппы галлия легче всего гидролизуются соли Т1 (П1). (Диалогичная закономерность наблюдается и у элементов подгруппы цинка.) Осаждение ТЬОз-пНгО начинается уже при pH 2 (см. табл. Г19). [c.172]

Элементы подгруппы галлия в степени окисления +3 образуют разнообразные по составу комплексные соединения, в которых координационное число центрального атома может быть равно 4, 5 или 6. Однако все же наиболее характерны для них координационные числа 4 и 6. [c.178]

Помимо галогенидных комплексов, элементы подгруппы галлия образуют устойчивые в водных растворах комплексные соединения с органическими кислотами щавелевой, винной, лимонной, аскорбиновой, комплексонами и др. [c.179]

Содержание бора в земной коре составляет (мае. доли, %) 3-10 , галлия — 1,5-10 , индия — 1 10 , таллия — 3-10 . Бор в природе находится в основном в виде кальциевых и магниевых солей полиборных кислот (В20з)п-(Н20)т, значительно реже — буры и борной кислоты. Элементы подгруппы галлия — рассеянные, галлий сопутствует алюминию и цинку, малые количества индия и таллия можно обнаружить изоморфно распределенными в сульфидных полиметаллических рудах. При переработке руд цветных металлов получают также таллий, а при переработке горючих ископаемых получают галлий. [c.270]

Нитриды GaN, InN, TIN принадлежат к соединениям типа А "В (А — элемент III группы, а В — элемент V группы). Эти соединения изоэлектронны простым веществам, образованным элементами IV группы (например, Si, Ge) и обладают полупроводниковыми свойствами. В большинстве полупроводниковых соединений типа, А "В атомы находятся в тетраэдрической координации друг относительно друга и кристаллизуются в решетке типа сфалерита или вюртцита. Так, GaN, InN и TIN кристаллизуются в решетке типа вюртцита, а МР, MAs, MSb, где M=Ga, In — в решетке типа сфалерита. Нитриды элементов подгруппы галлия отличаются высокой химической устойчивостью и близки по структуре к алмазу и алмазоподобному BN. Наибольшей химической устойчивостью отличается GaN. Он не взаимодействует с водой, разбавленными и концентрированными кислотами, устойчив при нагревании на воздухе до 1000° С. При комнатной температуре GaN является полупроводником, а при низких температурах обладает сверхпроводимостью. По своей химической устойчивости InN значительно уступает GaN, он легко реагирует с растворами кислот и щелочей, окисляется на воздухе выше 300° С. Теплоты образования GaNxB и InNxB при 25° С соответственно равны 26,4 и 4,2 ккал/моль. [c.177]

Используя представления о кайносимметрии, можно выделить более тонкий вид электронной аналогии, так называемую слоевую аналогию (в дополнение к групповой и типовой аналогии). Слоевыми аналогами называют элементы, которые являются типовыми аналогами, но не имеют внешних или предвнешних кайносимметричных электронов. К таким аналогам относятся, например, в IA-группе К, Rb, s и Fr, а Li и Na не являются слоевыми аналогами с остальными щелочными металлами, поскольку у Li присутствует внешняя кайносимметричная 2р-оболочка (вакантная), а у Na кайносимметрнчная заполненная 2р-оболочка является предвнеш-ней. В ПА-группе слоевыми аналогами являются щелочно-земельные металлы (подгруппа кальция), а в П1А-группе — элементы подгруппы галлия и т. д. С точки зрения электронного строения слоевые аналоги являются между собой полными электронными аналогами. Поэтому рассматривать химические свойства элементов группы мы будет в такой последовательности первый типический элемент, второй типический элемент, остальные элементы главной подгруппы, элементы побочной подгруппы. Например, в И1 группе отдельно рассматриваются бор, алюминий, подгруппа галлия, подгруппа скандия в V группе — азот, фосфор, подгруппа мышьяка, подгруппа ванадия п т. п. [c.15]

Таллий сочетает в себе свойства элементов подгрупп галлия и калия, но вместе с тем ТЮН в отличие от RbOH при нагревании обезвоживается [c.114]

Элементы подгруппы Оа относятся к рассеянным элементам (со-держание их в рудах не превышает десятых долей процента). Собственные минералы встречаются крайне редко и не имеют практического значения. Среднее содержание элементов в земной коре представлено в табл. 1.17. Проявляя халькофильиый характер, элементы подгруппы галлия встречаются в сульфидных минералах, например германите, сфалерите, галените, халькопирите и др. [c.168]

Все элементы подгруппы галлия легко вступают в реакцию при комнатной температуре или при нагревании с галогенами, серой, кислородом, фосфором и другими неметаллами. При взаимодействии с металлами они образуют большое число интерметаллкческих соединений и сплавов некоторые нз них обладают ценными физическими свойствами (например, УзОа, МЬзОа проявляют свойства сверхпроводников). [c.169]

Как уже упоминалось, устойчивость элементов подгруппы галлия в степени окисления +3 падает з ряду Ga (111)->Т1 (III). Трехвалентный галлий по своим химическим свойствам напоминает А1 (III). В противоположность галлию (III), соединения Т1 (III) неустойчивы, а некоторые из них вообще не удается получить (например, TI2S3). Соединения Т1(III) — сильные окислители, °208Т1 (1П)/Т1 (1) = 1,25 В. [c.170]

Наряду с анионными комплексами галогениды элементов подгруппы галлия, обладая свойствами кислот Льюиса, могут присоединять и нейтральные лиганды (L), содержащие 0-, N-, S- и Р-донорные атомы, образуя комплексы типа молекулярных аддуктов, например ОаГз-Ь, имеющие псевдотетраэдрическое строение, [c.179]

Комплексные соединения элементов подгруппы галлия широко используются для их количественного определения, разделения и очи-стки. Так, из растворов (6—8 М) галогеноводородных кислот элементы подгруппы галлия легко экстрагируются органическими растворителями в виде Н[М Т4], чем пользуются при их отделении от сопутствующих элементов, например алюминия, который в этих условиях образует неэкстрагирующиеся анионные комплексы состава [А1Г (Н20)б-п] Комплексные соединения с купфероном, 8-оксихинолином, этиленди-аминтетраацетатом используются для количественного определения элементов, а с ацетилацетоном и его производными — для получения окисных пленок, проведения транспортных реакций, а также для очистки и разделения смесей элементов подгруппы галлия. [c.179]

Как уже отмечалось для элементов подгруппы галлия, в связи с п5 2пр -электронпой конфигурацией возможно получение производных со степенью окисления, равной -Ь1. Устойчивость этой степени окисления при переходе от Ga к Т1 увеличивается. Если соединения Т1 (I) [c.179]

Водородистые соединения образуют все элементы подгруппы галлий, подобно диборану, образует летучий бесцветный галловодород состава ОазН , а остальные элементы — белые порошкообразные вещества поли- [c.442]

Третья группа элементов периодической системы — самая эле-мептоемкая. Она содержит 37 элемеитов, включая лантаноиды и актиноиды. Все элементы III группы, за исключением бора, являются металлами. Первый типический элемент бор — неметалл. В какой-то мере бор выполняет роль переходного элемента от металлического бериллия к углероду. Но 1юскольку у атома бора уже в нормальном состоянии на кайносимметричной 2уО-орбитали имеется один электрон (а в возбужденном состоянии 2 электрона), он функционирует как неметалл. Наконец, в третьей груние наблюдается наименьшая разница в свойствах элементов IIIА- и ШВ-групп. Элементы подгруппы галлия, как и А1, являются б р-металлами. В отличие от пих элементы подгруппы скандия принадлежат к sii-металлам. Но в характеристической степени окисления +3 элементы подгруппы галлия имеют внешнюю электронную конфигурацию (n—l)d а типовые аналоги скандия, как и А1(+3),— электронную структуру благородных газов Поэтому некоторые авторы располагают [c.137]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология