Модель роста реального кристалл

Теперь мы обсудим, насколько реальна выбранная нами модель. Для кристаллов, больших определенного размера, нет оснований считать, что скорость роста будет зависеть от величины кристалла. Поэтому оба высказанных выше предположения (о сохранении кристаллом при росте постоянной геометрической формы и о том, что линейная скорость роста кристалла не зависит от размера г) можно считать справедливыми для кристаллов видимых размеров. Однако неверно было бы полагать, что кристаллы зародышевых размеров растут с той же скоростью, что и большие по размерам кристаллы. Действительно, растворимость кристаллов будет увеличиваться с уменьшением их размеров (как это следует из уравнения III.74), так что скорость роста будет уменьшаться по мере падения размера кристаллов. И для кристаллов критических размеров скорость роста должна упасть до нуля. Следовательно, для малых размеров концентрация кристаллов будет значительно превышать величину, даваемую уравнением (VII.44), если R — скорость роста больших кристаллов. Поскольку масса этих кристаллов, имеющих очень малые размеры, чрезвычайно мала, то уменьшение скорости их роста будет очень мало влиять на поток массы, или, по крайней мере, будет влиять на него гораздо меньше, чем на распределение кристаллов по размерам. [c.275]

Пассивационные и концентрационные эффекты играют важную роль в процессах роста кристаллов, однако они не исчерпывают всех причин, вызывающих отклонение реальной картины кристаллизации от идеализированной модели Фольмера. Отклонения от модели Фольмера объясняются и нарушениями идеальной структуры кристалла, т. е. дефектами кристаллической решетки, и в первую очередь появлением- участков с расположением структурных элементов отличным от их расположения в идеальной решетке данного кристаллического тела, та называемых дислокации. [c.353]

Ни одно из рассмотренных выше уравнений, выведенных из механических моделей, не может количественно описать релаксационные свойства полимеров. Это объясняется использованием в уравнениях только одного времени релаксации, тогда как реальные полимеры характеризуются достаточно широким их набором. Возникает необходимость введения понятия спектра времен релаксации. При т = ц1Е и переходе от низших членов гомологического ряда к высшим приходится сталкиваться со все большими значениями времен релаксации прежде всего в связи со значительным повышением вязкости полимера. В процессе полимеризации вязкость увеличивается на 15 порядков. Поэтому, несмотря на одновременный рост модуля, период релаксации резко возрастает и может достигать нескольких лет. Вследствие перемещения молекул полимера в виде отдельных сегментов, наличия в полимерных молекулах участков различной гибкости и полярности, разного уровня внутри- и межмолекулярных взаимодействий, разной плотности упаковки, объединения молекул в различные надмолекулярные образования вплоть до кристаллов набор времен релаксации еще больше расширяется. [c.97]

Помимо рассмотренной модели роста реального кристалла могут существовать и другие подходы, учитывающие реализующиеся на практике виды несовершенств поверхности растущего кристалла. Понятие структуры поверхности включает в себя ее микроскопическое строение (в атомном масштабе) и макроско- [c.135]

Т. е. коэффициент а постоянен. Не нужно думать, что рост кристаллов следует такому простому механизму, хотя заключение, что а = onst, как будет показано ниже, близко к действительности в случае роста многих реальных кристаллов. Однако полезно сравнить описанный механизм С более сложными процессами роста, обсуждаемыми в гл. VI. Заметим, что Уайли [Wyllie, 1949] использовал эту модель при обсуждении своих экспериментов по испарению жидкостей. [c.43]

Статистический расчет структуры поверхности. 1. Поверхностное плавление, шероховатость и модель Изинга. Вслед за Ли и Янгом [30] Бартон и Кабрера [40] (см. также статью Бартона и др. [41]) обнаружили, что найденное Онсагером решение для модели ферромагнетизма по Изингу приложимо при анализе фазовых превращений двумерных молекулярных структур. Бартон и Кабрера предполагали рассчитать, как с ростом температуры увеличивается шероховатость поверхности кристалла, которая вначале была плотноупакованной. Они рассматривали грань (100) кристалла с простой кубической решеткой, считая ее идеально гладкой (т. е. не содержащей вакансий) при температуре Г = 0. Потенциальная энергия взаимодействия между двумя ближайшими атомами считалась равной ф, т. е. по ф/2 на атом. Если же тот или иной поверхностный атом расположен выше соседнего на один или несколько периодов решетки, то одна связь с ближайшим соседним атомом считается порванной, так что подобная конфигурация обладает избыточной энергией ф/2 на атом. Мера шероховатости поверхности Sr определяется следующим образом Sr = U—Uq) Uo, где С/о(=ф/2) и и — удельные потенциальные энергии соответственно идеально гладкой грани и реальной поверхности. Ясно, что Sr — О для гладкой грани и Sr > О в реальном случае. Эта двумерная структура с двумя уровнями точно соответствует модели Изинга, и, следовательно, ей свойственно свое фазовое превращение ( поверхностное плавление ) при температуре Тс- Из [c.378]

Следует заметить, что рассмотренная идеализированная модель соответствует случаю незаторможенного роста бездефектного складчатого кристалла по механизму последовательного переноса сегментов свободной цепн из изотропного расплава. Есть основания считать, однако, что реальная ситуация будет отличаться от идеальной, например, вследствие уменьшения движушей силы кристаллизации Ag из-за возрастания гиббсовой энергии кристалла в случае паракристаллических нарушений решетки и обр-азо-вания микропаракристаллов [240] , или же понижения гиббсовой энергии расплава за счет непрерывного уменьшения конформационной энтропии незакристаллизованных фрагментов цепи в процессе кристаллизации [241]. Нетрудно показать, что каждый из этих эффектов приведет не только к замедлению кристаллизации, но и к ухудшению характеристик результирующей кристаллической фазы (понижение степени кристалличности, температуры плавления и т. п.). [c.165]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология