Закон анизотропии

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

Закон анизотропии, справедливый для всех без исключения кристаллов, гласит векторные свойства кристаллического вещества в любой точке объема в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других направлениях различны. Законом анизотропии руководствуются а производстве оптических квантовых генераторов, в различных технологических процессах обработки монокристаллов полупроводников, например при резании их по определенным плоскостям, при травлении, при приготовлении так называемых р—л-переходов (см. гл. IX) и т. п. Для кварцевых резонаторов и ультразвуковых генераторов надо вырезать пластины кварца по определенным направлениям в зависимости от конкретных задач. [c.116]

Не менее важное значение в подготовке инженера полупроводниковой электроники имеет кристаллохимия. Так, например, при использовании монокристаллов в качестве полупроводников и диэлектриков особенно резко проявляется закон анизотропии. Пластинки кварца для кварцевых резонаторов, стабилизирующих радиочастоты, вырезаются из. монокристалла под разными углами к осям кристалла п неправильный выбор этих углов неминуемо влечет за собой существенное ухудшение параметров резонатора. [c.6]

ЗАКОН АНИЗОТРОПИИ. ЗАКОН ПОСТОЯНСТВА УГЛОВ КРИСТАЛЛА [c.19]

Скалярные, векторные свойства. Закон анизотропии. Изучение свойств кристаллического состояния на монокристаллах показало, что эти свойства делятся на две группы не зависящие и зависящие от направления. Первые (например, теплоемкость) получили название скалярных, вторые (например, теплопроводность, электропроводность) — векторных. [c.21]

Согласно закону анизотропии, справедливому для всех без исключения кристаллов, кристаллическое вещество однородно и анизотропно его векторные свойства в любой внутренней точке кристалла в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других [c.21]

Скалярные, векторные свойства. Закон анизотропии [c.32]

Согласно закону анизотропии, справедливому для всех без исключения кристаллов, кристаллическое вещество однородно и анизотропно его векторные свойства в любых внутренних точках кристалла в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других направлениях — различны. Значения векторных свойств монокристалла в разных направлениях могут отличаться в тысячи и более раз. [c.32]

Сформулируйте закон анизотропии. Приведите примеры его проявлений. [c.113]

В случае кристаллов, вследствие действия закона анизотропии, для разных граней [c.294]

Таким образом, зависимость величины свойства от симметрии кристалла выглядит много сложнее, чем при первоначальном изложении закона анизотропии, формулировка которого должна быть уточнена. Более того, суперпозиция симметрии кристалла и симметрии внешнего поля создает новые представления о симметрии процесса, описание которой должно опираться на методы тензорного анализа. [c.371]

II. Рассматриваются в V.9 —V.19 зависимости величин ряда физических свойств у кристаллов всех видов симметрии от их строения и от направлений [hkl]. В результате возникает возможность глубже понять закон анизотропии. [c.372]

Полупроводниковая электроника широко оперирует с монокристаллическими объектами. Здесь вступает в силу закон анизотропии, необходимость учитывать влияние различных направлений <кЫ> на характер, скорость и результаты диффузии. [c.432]

Для всех без исключения твёрдых тел (кристаллов) справедлив закон анизотропии [c.24]

Если подходить к форме и строению кристалла с точки зрения закона анизотропии, то, очевидно, в нём должны обнаруживаться не только симметричные точки и части, но и симметричные направления. [c.30]

Закон анизотропии и требования к ориентировке по отношению к осям кристалпа вырезаемых из монокристалла пластинок [c.68]

В основной формулировке закона анизотропии говорится, что векторные свойства кристалла в любых его внутренних точках одинаковы в параллельных и симметричных направлениях. Однако при этом умалчивается о том, что только у центросимметричных кристаллов (11 видов симметрии) величины свойства впрямом ив обратном направлениях обязательно одинаковы (рис. V.1, а). У кристаллов остальных 21 видов симметрии в прямом и в обратном направлениях величина свойства может быть одинакова, но может быть и не одинакова, в зависимости от характера поля, с которым взаимодействует кристалл. Так, у кристалла сфалерита (Т —43 т) (рис. V.l, ) плоскости (111) и (ПГ) образованы либо только атомами А-Р" ", либо только Вр и несут заряды разных знаков. [c.373]

В I. 12 мы указывали, что, например, в таком пьезоэлектрике, как кварц, закон анизотропии проявляется по отношению к пьезоэлектрическим свойствам чрезвычайно резко. Это приводит к тому, что для различных целей и прежде всего для уменьшения температурных коэффициентов свойств (частоты колебания и др.) кристаллы кварца приходится разрезать на пластинки под строго определенными углами, используя для этого станки с рентгенгониометрами. [c.419]

Б соответствии с законом анизотропии и законом Вульфа термодинамически устойчивая внешняя форма вещества является функцией его вну-трениеп структуры. [c.27]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.21 , c.338 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.32 , c.68 , c.69 , c.373 , c.415 , c.419 , c.432 ]

Структуры неорганических веществ (1950) -- [ c.23 , c.24 , c.27 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология