Травление полупроводников

Для травления металлов эффективны все способы. Для травления полупроводников ионная бомбардировка используется редко, так как необходимый эффект можно достигнуть другими более простыми способами, а также из-за возможности ухудшения свойств "и повреждения материала при нагревании до высоких температур. [c.101]

Состав травителей. Химическое травление полупроводников основано на окислении поверхности травителем и последующем удалении образовавшихся продуктов. Неокисляющие травители на большинство полупроводниковых материалов не действуют. В состав травителей 061ЫЧН0 включают 1) растворитель (среда для образования гомогенной системы) 2) окислители, которые образуют окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника 3) комплексо-образователи, которые растворяют продукт окисления и удаляют его с поверхности 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если они протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять [c.103]

Травление полупроводников. Сб. под ред, С. Н. Горина.. Мир, 1965. [c.109]

В заключение заметим, что скорость электролитического травления полупроводника п типа может быть резко повышена при освещении поверхности кристалла. Это объясняется тем, что в данном случае происходит генерация неравновесных электроннодырочных пар. Увеличение концентрации свободных электронов на поверхности кристалла приводит к возрастанию обратного тока через р — п переход. Такой же результат может быть достигнут прн инжекции через контакт, расположенный вблизи обрабатываемой поверхности на расстоянии, не превышающем диффузионную длину . При этом плотность обратного тока, а следовательно, и скорость травления возрастает за счет увеличения концентрации дырок в объеме кристалла (т. е. в п области). [c.203]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

Электрохимическим путем производят травление полупроводников, например германия. [c.225]

Определение pH растворов имеет большое значение. Процессы, протекающие при электролизе, при травлении полупроводников в растворах, кинетика химических реакций и т. д. зависят от pH. С точным электрометрическим методом определения pH мы познакомимся в гл. VHI, а здесь укажем только на возможность оценки этой величины с помощью индикаторов — веществ, которые меняют свою окраску в той или иной области значений pH. Например, метилоранже-пый меняет окраску от красной к желтой при pH от 3,1 до 4,4 метиловый красный — при pH от 4,2 до 6,3 также от красной к желтой, лакмус — от красной к синей при pH от 6 до 8 фенолфталеин — от бесцветной к малиновой при pH от 8,3 до 9,8. [c.165]

Электрохимическое травление полупроводников особенно целесообразно проводить для 1) выявления р—п-переходов 2) резки монокристаллов 3) получения гонких образцов 4) вытравливания углублений и отверстий (нанесение рисунка на поверхность полупроводника) и т. д. Чтобы осуществить вторую и четвертую операции, прибегают к локальному травлению, которое основано на использовании электролита с более высоким удельным сопротивлением, чем сопротивление полупроводника. Часто электролит смачивает лишь участок, подвергающийся травлению (струйное травление, травление в потоке). [c.217]

Возникновение электрохимии полупроводников как новой главы теоретической электрохимии обусловлено двумя основными причинами. Во-первых, многие электрохимические процессы, протекающие на границе электрод — электролит, совершаются фактически на поверхности, обладающей полупроводниковыми свойствами, со всеми особенностями, присущими такого рода материалам. Проводимость этих поверхностных слоев — окислов металлов, их гидридов, интерметаллических соединений и т. п.— по своей величине лежит между проводимостью металлов и диэлектриков. Она чувствительна к внедрению в основной слой следов примесей и в противоположность металлам увеличивается с температурой. Прохождение тока через полупроводники в общем случае осуществляется электронами (п-проводимость) или дырками, т. е. вакансиями, оставшимися после ухода электронов в другую энергетическую зону (р-проводимость). В отличие от металлов, в полупроводниках вблизи их поверхности раздела с другими фазами имеется широкая область объемного заряда, что значительно усложняет картину двойного электрического слоя. Выяснение кинетики многих электрохимических реакций (процессы в химических источниках тока, анодное растворение металлов и т. п.) становится поэтому невозможным без разработки электрохимии полупроводников. Во-вторых, в самой технологии получения полупроводниковых материалов, идущих на изготовление радиотехнических приборов, солнечных батарей и т. п., важную роль играют процессы, являющиеся по своей природе электрохимическими. К ним относятся, например, анодное и обычное травление полупроводников, осаждение тонких слоев металла на поверхность полупроводников и др. [c.491]

Описанная модель микровесов применяется для изучения процессов газового травления полупроводников, в частности кремния, с помощью фтора и безводного фтористого водорода с целью очистки поверхности и придания ей необходимых электрофизических свойств [12, 13]. [c.153]

Новая область применения галоидофторидов — газофазное травление полупроводников. [c.327]

Наиболее широко распространен метод химического травления. Химическое травление полупроводников — это процесс растворения, при котором вещество, переходящее во внешнюю фазу (жидкий раствор или газ), является продуктом химической реакции твердого полупроводника с химическим реагентом. [c.400]

Травление полупроводников. Сб. статей. Пер. с англ. С. Н. Горина. Изд-во Мир , 1965. [c.402]

Природа процессов травления. Травление полупроводников можно рассматривать как частный случай коррозии материалов. Поэтому для объяснения процессов травления используются положения теории коррозии. Теории, объясняющей с единой точки зрения разнообразные виды травления, до сих пор нет. Взгляды, которые объединяются под названием химической, электрохимической, молекулярно-кинетической и другой теорий обычно описывают или какую-то группу процессов, или рассматривают какие-то стороны процесса, абстрагируясь от других. [c.276]

КИНЕТИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА A1V и Ai BV [c.210]

Кинетические закономерности травления полупроводников типа и Орлова Г. М. Химическая связь в полупроводниках , 1969 г., 210—216. [c.359]

В зависимости от состояния ( чистоты ) поверхности, давления газов в окружающей атмосфере и условий стимуляции (нагрев, освещение) при регистрации эмиссии газонаполненным счетчиком Гейгера или вторично-электронным умножителем могут происходить процессы как адсорбции, так и десорбции. В последнее время появились работы, касающиеся явлений само-возбуждающейся эмиссии. Нагревание образцов без какого-либо предварительного возбуждения (в результате механических, радиационных и других воздействий) приводит к появлению пиков ТСЭ [8, 24—27]. Эти эффекты особенно проявляются в том случае, если исследуемые вещества подвергаются предварительной обработке, приводящей к гидратации поверхности. Интенсивная термостимулированная эмиссия наблюдалась после смачивания водой металлов и полупроводников [25], травления полупроводников [26], смачивания водой и спиртом щелочных галогенидов [4, 27]. [c.257]

По сравнению с первым изданием (1965 г.) помимо новых разделов и глав (например, жидкие полупроводники, травление полупроводников и т. д.) весь материал книги подвергнут коренной переработке. Сохранилась только общая композиция книги. Однако автор счел возможным не включать во второе издание главу о сложных полупроводниковых соединениях, которая в основном была посвящена тройным полупроводниковым фазам. Во-первых, все принципиальные вопросы образования сложных полупроводниковых соединений (природа химической связи, кристаллохимия, нарушения стехиометрии и т. д.) решаются при интерпретации бинарных полупроводников. Во-вторых, тройным полупроводникам посвящены книги Н. А. Горюновой Сложные алмазоподобные полупроводники , Л. И. Бергера и В. Д. Прочухана Тройные алмазоподобные полупроводники и др. [c.3]

Очень существенным элементом процедуры получения электродов с высокой фоточувствительностью является фотоэлектрохимическое травление, которое следует за химическим травлением полупроводника. Его ведут при анодной поляризации в травящем растворе (например, для dSe-B смеси типа царской водки, HNO3—НС1—Н2О (0,3 9,7 90) [c.141]

Состав травителей. Большинство полупроводниковых материалов не изменяется под действием неокисляющих травителей. Химическое травление полупроводников основано на процессах окисления поверхности и удаления образовавшихся продуктов. В состав травителей обычно включаются 1) растворитель — среда для образования гомогенного травителя 2) окислители, которые должны образовать окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника (повысить степень окисления) 3) комплексообразователи, которые должны растворить образовавшийся продукт окисления, удалить его с поверхности 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если последние протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять 5) специальные добавки, обусловливающие селективность действия травителя. [c.282]

Первые попытки использовать электрохимические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов были сделаны вскоре после создания транзисторов. Однако эти процессы не имели самостоятельного значения и их применение ограничивалось операцией травления полупроводников с целью получения р— -переходов. Толчком к широкому использованию электрохимических реакций в полупроводниковой технике послужила работа Тили и Уильямса о прецизионном струйном электролитическом травлении. Благодаря разработке этого метода стало возможным изготовление целого класса высокочастотных транзисторов со строго контролируемой толщиной базовой области (поверхностно-барьерный триод, микросплавные транзисторы с однородной и диффузионной базой и т. д.). [c.153]

Фотолитография и микролитография. Для изготовления печатных форм для высокой и глубокой печати и полупроводниковых микросхем (микролитография) необходимо создать позитивное или негативное рельефное изображение на поверхности подложки или полупроводника. Для плоской печати достаточно изменить адгезионные свойства поверхности. В микроэлектронике используют материалы, способные давать рельеф, устойчивый в агрессивных средах, применяемых для химического, электрохимического или плазменного травления полупроводников (фоторезисты). [c.351]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

А, ф.-фторирующий агент в произ-ве LiF, BeFj, AIF3 и др. При получении HF через NaHF компонент р-ров для очистки котлов и труб от накипи, флюоритовых концентратов-от кварпа и кальцита, компонент составов для травления полупроводников, стекла и нек-рых металлов, для гидротермального выращивания монокристаллов кварца и аметиста. А.ф. токсичен, ПДК 0,5 мг/м (в пересчете на HF). [c.155]

Цля натсетя антикоррозионных покрытий, формования и обработки корпусов и деталей мембранных клапанов, дросселей (рис. 4.11) и т.п., формования седел 1 лапанов и нанесения покрытия на шарики шаровых клапанов, кранов приспособлений для травления полупроводников и т.п. [c.304]

В книге изложены основы химии полупроводников, включая представления о зонах валентной, проводимости, природе химической связи, нарушении стехиометрического состава и фазовых свойствах полупроводников, а также физико-химический анализ полупроводниковых систем. Описаны методы получения поли- и монокристаллов полупроводниковых материалов, их химические, физико-химические, зласгрические и оптические свойства. Наряду с элементарными по гу-проводш1ками (германием, кремнием и др.) подробно исследуются многочисленные бинарные полупроводниковые соединения, а такж некристаллические полупроводники (стеклообразные и жидкие). 05-суждены современные методы очистки и контроля чистоты полупроводниковых материалов, а также рассмотрены- процессы травления полупроводников. [c.2]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология