Гранецентрированная кубическая цинковая обманка

К этому типу весьма близка решетка типа сфалерита или цинковой обманки ZnS, изображенная на рис. 45-в. Решетка типа сфалерита представляет собой систему двух кубических гранецентрированных подрешеток цинка и серы, вдвинутых друг в друга на V диагонали куба. В такой ячейке в отличие от алмазной 4 атома цинка и 4 атома серы, но положение их и направленность связей такие же, как в решетке алмаза. Многие полупроводниковые соединения типов А В и А "В имеют решетки типа сфалерита (или вюрцита, см. ниже). Такую же решетку имеет карборунд Si . [c.124]

Структура цинковой обманки (рис. 164) очень сходна со структурой алмаза. Атомы одного элемента (безразлично, цинка или серы) занимают узлы гранецентрированной кубической ячейки, а атомы второго элемента — центры четырех (из восьми) малых кубов. Пустые октанты чередуются с заселенными во всех трех координатных [c.123]

В кубической плотной упаковке шаров число октаэдрических пустот равно числу шаров, и в случае заполнения всех этих пустот расположение атомов получается таким же, как и в структуре хлористого натрия. Если заняты не все пустоты, то возникают структуры, приближающиеся к формулам МзХ и М Х. Число тетраэдрических пустот в два раза больше, чем число шаров, и если все эти пустоты заполнены, то возникает структура СаРз- Когда половина тетраэдрических пустот заполнена наиболее симметричным способом, то соединение имеет структуру цинковой обманки. Связь этих простых структур с кубической плотной упаковкой показана на рис. 175. Центры октаэдрических пустот лежат на серединах сторон и в пространственном центре гранецентрированного куба центры тетраэдрических пустот лежат в точках, расположенных по пространственным [c.653]

Мононитрид представляет порошок светлосерого цвета [15], имеет гранецентрированную кубическую решетку с константой а=4,880 0,001 А [12, 13, 16, 17]. Элементарная ячейка содержит четыре атома урана. Вещество имеет структуру типа каменной соли, а не цинковой обманки это подтверждается тем, что на порошкограммах отражение (4 2 0) заметно интенсивнее, чем отражение (331) [16]. Плотность мононитрида, рассчитанная из рентгенографических данных, равна 14,32г/сж. Мононитрид полностью изоморфен монокарбиду иС (см. гл. 9). [c.193]

Цинковая обманка и хлористый натрий — соединения с эквивалентными гранецентрированными кубическими решетками с взаимным проникновением, от- [c.96]

Рис. 29. Сопоставление структур цинковой обманки (а) а хлористого натрия (С) с гранецентрированной кубической решеткой.

Полезно подвергнуть анализу структуры цинковой обманки и хлористого натрия, используя два варианта расположения атомов в гранецентрированной кубической решетке, показанные на рис. 25, а и 25, б. На рис. 29 обе структуры представлены так, что в них можно усмотреть ориентацию, показанную на рис. 25, а. Атомы различных решеток показаны в виде белых и черных кружков соответственно, й [c.97]

Рассмотрим еще раз гранецентрированную кубическую решетку, характерную для структуры алмаза. В алмазе центры малых кубов заняты через один атомами того же типа, что углы и центры граней большого куба. В цинковой обманке эти места заняты атомами (или ионами) другого типа. Если в центрах всех малых кубов находятся атомы, отличающиеся от атомов в углах и на гранях, то получается структура, изображенная на рис. 9. Первым изученным примером этого типа был фторид кальция СаГд, по которому эта кубическая решетка [7] и получила свое название. Каждый ион кальция окружен восемью ионами фтора, находящимися на расстоянии 3/4 от него, а каждый ион фтора окружен находящимися на том же расстоянии четырьмя ионами кальция. В табл. 7 приведены постоянные решеток некоторых кристаллов, принадлежащих к этому в высшей степени симметричному типу. [c.481]

В структуре шпинели атомы кислорода образуют кубическую гранецентрированную решетку, подобную подрешеткам из атомов хлора или серы в структурах Na l или цинковой обманки (сфалерита). Атомы А1 в этом случае занимают половину октаэдрических пустот, которые в структуре Na l заняты атомами Na, а атомы Mg — четверть тетраэдрических пустот, в которых в структуре сфалерита находятся атомы Zn. При этом атомы металлов подрешетки металла распределяются так, что каждый атом кислорода окружен четырьмя атомами металла (тремя атомами А1 и одним атомом Mg) по искаженному тетраэдру (рис. 20.7, а, б). [c.205]

Поскольку вокруг каждого атома имеется 8 тетраэдрических дырок и в свою очередь каждая дырка приходится на 4 атома, число тетраэдрических дырок вдвое больше числа атомов. Если построить плотнейшую упаковку из положительных ионов с зарядом -f-2 в виде гранецентрированной кубической структуры, то отрицательные ионы могут разместиться в тетраэдрических дырках с образованием электронейтрального кристалла. Предположим, например, что в гранецентрированной решетке положительными являются ионы Са , а отрицательными — ионы F". Тогда, чтобы получить электро-нейтральный кристалл, необходимо заполнить все тетраэдрические дырки. Оказывается, что именно так построена решетка флюорита Сар2 (рис. 8.42, а). С другой стороны, предположим, что положительными являются ионы Zn " , а отрицательными — ионы Тогда, для того чтобы получить нейтральный кристалл, нужно заполнить только половину имеющихся тетраэдрических дырок. Если ионы Zn " располагаются по типу гранецентрированной плотнейшей упаковки, а половину тетраэдрических дырок (через одну) заполняют ионы возникает одна из форм сульфида цинка (рис. 8.41, б) — решетка цинковой обманки. Подобным же образом, если ионы расположены по типу гексагональной плотнейшей упаковки и каждая вторая тетраэдрическая дырка заполнена ионами возникает вторая форма. сульфида цинка, структура вюртцита (рис. 8.41, в). [c.296]

При другом подходе к изучению этих структур выявляют горизонтально расположенные слои атомов. Однако в этих слоях нет плотной упаковки, расположение атомов в них совпадает с расположением атомов в слоях гранецентрированной кубической решетки (рис. 25,6). Для простой гранецентрированной кубической решетки характерна последовательность АВСАВСА (стр. 87), а в рассматриваемых цинковой обманке и хлористом натрии имеются две взаимно проникающие решетки и атомные слои соответственно принадлежат разным решеткам. Поэтому можно считать, что структура алмаза имеет последовательность расположения слоев АА ВВ СС А и т. д. (рис. 30), где А, В п С—различные варианты расположения слоев относительно друг друга (как при последовательности АВСАВСА), а штрихами обозначены слои другой решетки. Таким образом, второй слой находится непосредственно под первым, четвертый — под третьим и т. д. Последовательность слоев в струк- туре р-полония АС ВА СВ А, т. е. в его решетке непосредственно за первым слоем расположен четвертый слой, принадлежащий другой решетке. [c.98]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология