Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Нернста поперечный

    Исследования Греха, Финка, Нернста и др. показали, что количество растворенного вещества, передающегося (восходящего) от слоя к слою в вертикальном цилиндрическом сосуде, пропорционально не только времени и величине поперечного сечения цилиндра, но и содержанию растворенного в слое вещества, так что каждому растворенному веществу отвечает свой коэффициент диффузии. Причину диффузии растворов должно считать, в сущности, прежде всего такою же, как и причину диффузии газов, т.-е. зависящею от движения, свойственного частицам, но здесь, по всей вероятности, играют свою роль и те чисто химические, хотя и мало развитые, силы, которые влекут растворенные вещества к образованию неопределенных соединений с водою. [c.381]


    Первой из них явилась пленочная модель Нернста — Лэнгмюра, в соответствии с которой пограничный слой рассматривают как неподвижную пленку толщиной б. Пленка прилегает к поверхности и отделяет ее от ядра потока, где концентрация (или температура) полностью выровнена по поперечному сечению. Соответствующий профиль концентраций показан на рис. 15.6. [c.188]

    Экспериментальные результаты, полученные при изучении поперечного эффекта Нернста— [c.242]

    Возможна другая модель, соответствующая схеме Нернста — Христиансена. В этой модели толщина стенки достаточно велика, а длина отверстия значительно больше его поперечного сечения. Следовательно, в этом канале молекулы могут сталкиваться друг с другом или со стенками, меняя направление или импульс. [c.341]

    Кроме рассмотренных гальваномагнитных явлений, в графите изучались и термомагннт-ные явления [57—59]. Главным образом исследованию подвергался поперечный эффект Нернста—Эттингсгаузена в пиролитических графитах. [c.241]

    Эффект Нернста—Эттингсгаузена (НЭ) заключается в появлении разности потенциалов в проводнике, вдоль которого имеется градиент температуры йТ1(1х в поперечном магнитном поле Нг [60]. Коэффи- [c.241]

    В работе автора и Пашнина [83] приведены результаты исследования поперечного эффекта Нернста — Эттингсгаузена в углеграфитовых телах. Оказалось, что коэффициент Нернста—Эттингсгаузена прессованных образцов и порошков имеет отрицательный знак. Коэффициент Нернста — Эттингсгау- [c.248]

    Многочисленные попытки интерпретировать световой эфир знакомыми нам образами не дали удовлетворительных результатов. В нем возможны лишь поперечные электромагнитные колебания, что характерно для абсолютно упругих твердых тел. Между тем плотность этого твердого тела должна быть чрезвычайно малой. Теория относительности Эйнштейна трактует электромагнитные явления как изменение геометрических свойств П1)остранства. Однако, если эти свойства приписать самому пространству, а не заполняющему его эфиру, то возникают непреодолимые трудности принципиального философского порядка, так как носителем тех или иных свойств может быть лишь материя, но не пустота. Отметим попутно что Менделеев (1902) сделал интересную, хотя и неубедительную попытку рассматривать эфир как химический элемент (с атомным весом порядка 10 ). Нернст (1916) представляет себе эфир также в виде атомов, состоящих из попарно соединенных положительных и отрицательных электронов. [c.76]

    Тассмотрим механизм ионного обмена с точки зрения кинетики. При обмене между двумя фазами происходит перенос противоионов в обеих фазах к поверхности раздела и от нее. Этому переносу ионов в растворе способствует его перемешивание. Однако даже при самом эффективном перемешивании зерно ионообменника остается всегда окруженным неподвижной пленкой раствора (пленка Нернста). Толщина пленки примерно 10 — 10 см. Процесс обмена, происходящий между зернами ионообменника и хорошо перемешиваемым раствором, сводится к трем последовательным стадиям I — диффузия обменивающихся противоионов через стационарную пленку, окружающую зерно ионообменника П — диффузия их в зерне ионообменника П — химический обмен. Собственно обмен — стадия П1 — протекает практически мгновенно, поэтому ионный обмен рассматривают как чисто диффузионный процесс, скорость которого определяется самой медленной стадией либо диффузией в пленке — пленочная кинетика , либо диффузией в зерне — гелевая кинетика . Все факторы, которые увеличивают диффузионный поток в пленке и уменьшают поток в зерне, способствуют гелевой кинетике пленочной кинетике благоприятствуют факторы, увеличивающие диффузионный поток в зерне и уменьшающие его в пленке. Например, диффузия Б пленке может быть скоростьопределяющей стадией в системах с более высокой концентрацией фиксированных ионов, с меньшим числом поперечных связей в матрице ионообменника, с меньшим размером зерен, с меньшей концентрацией раствора (<0,01 М), при более слабом перемешивании раствора. При [c.36]


    В пользу нереальности чисто ионных межатомных связей можно привести данные для некоторых полупроюдящнх веществ, ранее считавшихся ионными соединениями. Так, для ионных полупроводников ниже характеристической температуры должен наблюдаться экспоненциальный рост подвижности носителей с повышением температуры. Однако ни одно из исследованных веществ (PbS, u O, ZnO, PbSe и др.) не подтверждает этого. Кроме того, поперечный термомагнитный эф( кт Нернста — Эттингсгаузена у полупроводников с ионной связью должен иметь отрицательный знак. Измерения же этого эффекта для перечисленных веществ показывают, что знак положителен. Наконец, совместное измерение поперечного и продольного эффектов Нернста — Эттингсгаузена позволяет установить зависимость длины свободного пробега от энергии. Длина свободного пробега пропорциональна корню квадратному нз энергии, что также не соответствует ионной связи. [c.36]

    Поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена. Этот эффект заключается в появлении поперечной разности потенциалов при внесении полупроводника, вдоль которого имеется градиент температуры в поперечное магнитное поле. Этот эффект считается положительным, если при положительном градиенте температуры в направлении оси X и магнитного поля в направлении оси г возникает электрическое поле Еу в направлении оси у. Знак поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена не зависит от вида носителей тока. [c.51]

    Исследован температурный ход поперечного и продольного эффектов Нернста— Эттингсгаузена на монокристаллических образцах арсенида индия. Оба эффекта при низких температурах имеют отрицательный знак вследствие рассеяния носителей на ионизированных примесях. При высоких же температурах наблюдается положительный знак указанных эффектов, который свидетельствует [c.142]

    Холловская подвижность электронов в монокристаллах окиси цинка порядка 1000, а в прессованных образцах не превышает 100 смЧв-сек. Подвижность носителей тока, найденная из поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена для поликристаллов, не отличается от подвижности монокристаллов, что объясняется малой чув- [c.164]

    Теллурид ртути — полуметалл, хотя раньше считали его полупроводником с очень малой шириной запретной зоны (порядка 0,01 эв). HgTe может быть л- и р-типа проводимости. Дырочная проводимость, которая обычно наблюдается в теллуриде ртути, обусловлена вакансиями в подрешетке ртути. Поэтому образцы HgTe р-типа при отжиге в парах ртути становятся / -типа проводимости. Максимальная подвижность электронов для образцов теллурида, близких к стехиометрии, составляет 25 ООО при комнатной температуре и 80 ООО сж Ve при 77°К. Изучение температурной зависимости подвижности электронов, знака и температурного хода поперечного и продольного эффектов Нернста — Эттингсгаузена показывают, что HgTe обладает ковалентным типом химической связи. Этим и объясняются наблюдаемые высокие значения подвижности носителей тока среди соединений [c.182]

    Температурная зависимость подвижности дырок в ZnSb подчиняется закону р Знак продольного и поперечного эффектов Нернста — Эттингсгаузена соответствует преимущественному рассеянию носителей тока на акустических колебаниях решетки. Все это позволяет сделать вывод о преимущественно ковалентном характере химической связи в ZnSb. [c.216]

    В области собственной проводимости коэ ициент поперечного эффекта Нернста — Эттингсгаузена Q [c.216]


Смотреть страницы где упоминается термин Нернста поперечный: [c.7]    [c.12]    [c.279]    [c.217]   
Введение в химию полупроводников Издание 2 (1975) -- [ c.51 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Нернст



© 2025 chem21.info Реклама на сайте