Ассоциация дефектов энергия взаимодействия

Подобно тому что имеет место в растворах электролитов [5], заряженные дефекты распределены в решетке не хаотически вследствие того что кулоновские силы действуют на значительных расстояниях, отрицательные дефекты имеют тенденцию располагаться вокруг положительных, а положительные — вокруг отрицательных, т. е. каждый заряженный дефект стремится окружить себя облаком дефектов, обладающим суммарным зарядом противоположного знака. В результате энергия взаимодействия при ассоциации заряженных дефектов уменьшается, т. е. эффективность их в реакциях такого рода снижается. Это можно учесть, вводя вместо концентраций С активности дефектов а, т. е. их эффективные концентрации. Величина а равна произведению С на коэффициент активности V [c.152]

Следует отметить, что использованное выше уравнение (IX.65), связывающее положения уровней и энергии связи, справедливо независимо от механизма образования ассоциатов, и поэтому оно может быть применено и для описания ассоциации противоположно заряженных дефектов. Занятый уровень (обусловленный дефектом с отрицательным эффективным зарядом) в этом случае также понижается, а свободный уровень (обусловленный участником ассоциата, имеющим положительный эффективный заряд) повышается, как было уже показано в разделе IX.2.6, на энергию взаимодействия [c.232]

Численное значение ее может быть найдено по уравнению (У.13). Чем больше расстояние го между ассоциированными дефектами, тем меньше энергия А / взаимодействия между ними, и при А1/<, <АГ, т. е. на расстоянии, при котором АО меньше энергии теплового движения, ассоциация уже практически не имеет места. Это кладет предел числу j учитываемых ассоциатов. Для определения равновесных концентраций Ацх/, 1пг п и всех парных дефектов составляем вначале систему из трех уравнений — двух уравнений баланса, выражающих условие постоянства концентраций растворенных в сульфиде цинка примесей серебра и индия ( Ag и 1п ), и уравнения, получаемого суммированием всех констант равновесия [c.155]

Благодаря дебай-хюккелевскому взаимодействию простой, не связанный в комплексе дефект стабилизируется, как бы опускаясь на более низкий энергетический уровень, что уменьшает энергию, выигрываемую при ассоциации в комплексе. Поправки Дебая—Хюккеля не слишком велики и ими в большинстве случаев можно пренебречь. [c.72]

Ясно, что взаимодействие на больших расстояниях, стабилизируя свободные дефекты, вызывает заметное уменьшение энергии ассоциации. В соответствии с этим нужно ожидать, что степень ассоциации, рассчитанная без учета дальнодействующих сил, будет несколько завышена. [c.212]

Следовательно, ассоциация нейтральных дефектов возможна, поскольку энергия связи в этом случае даже больше, чем при взаимодействии заряженных дефектов. Хотя данный пример и показывает, что нейтральные дефекты [c.213]

Таким же образом, как это было сделано выше, можно рассмотреть ассоциацию дефектов, имеющих заряды zq z больше единицы. Энергия связи в этом случае увеличивается в ZiZ2 раз. Кроме того, возможно образование более сложных ассоциатов. При наличии одного типа дефектов с двойным отрицательным зарядом и дефектов другого типа с одинарным положительным зарядом могут возникать как однократно заряженные пары, так и нейтральные триплеты. В разд. XI 1.2.5 рассмотрен пример такого рода — исследованная Морином, Рейсом и Фуллером ассоциация цинка и лития в германии. Уже здесь можно отметить, что образование триплетов также может быть объяснено простым кулоновским взаимодействием с 1, т. е., как и в рассмотренных выше случаях образования пар, изменение колебательной энтропии пренебрежимо мало. [c.207]

Для ассоциации двух соседних дефектов не обязательно, чтобы они имели разные знаки. Так, 2 Центр в кристаллах галогенидов щелочных металлов образуется при ассоциации двух одинаковых дефектов (/ -центров). Это взаимодействие можно сравнить с ассоциацией двух атомов натрия в газовой фазе (например, Na+Na- Na ). Энергия связи двух /"-центров, конечно, отличается от энергии связи атомов в газовой фазе вследствие влияния кристаллического окружения установлено, что энергия связи в Na l и КС1 не превышает 0,2 зв (4,5 ккал моль ), энергия связи в Nag и Кг составляет 0,7 и 0,5 эв соответственно, а в Li l имеется даже слабое отталкивание. [c.136]

И. Хабер (Краков, ПНР). Авторы доклада 12 обсуждают различия в прочности Ч5ВЯЗИ кислород — Сг + в шпинели и твердом растворе в свете представлений теории кристаллического поля. Однако, чтобы наблюдать какую-либо разницу в величинах энергий стабилизации кристаллического поля, необходимо, чтобы дырка, образующаяся во время хемосорбции, была локализована в твердом растворе и делокализована в шпинели. Мне кажется, что энергия образования ассоциации с дефектом слишком мала, чтобы при сравнительно высоких температурах, применяемых авторами, быть ответственной за наблюдаемые различия. Необходимо также обратить внимание на тот факт, что весьма опасно сравнивать поведение ионов хрома в шпинели и в твердых растворах с MgO, исходя только из представлений о симметрии и взаимодействии Сг — Сг, так как кристаллические решетки этих веществ различны и отличаются поэтому по энергиям и другим свойствам, которые являются функциями характера решетки. Кроме того, следует указать на то, что шпинель — это дефектная структура и растворение MgO в шпинели, соответственно, повышает концентрацию вакансий хрома. Эти дефекты могут значительно влиять на хемосорбционные свойства указанных катализаторов. [c.208]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология