Дырка положительная эффективная

Теория Митчелла утверждает, что ири условиях комнатной температуры молекулы сульфида серебра не могут быть эффективными ловушками для электронов проводимости в кристаллах, а являются ловушками для дырок. Дырки захватываются, и при наличии подвижного иона серебра появляется положительный ионный заряд. Поверхностные ловушки для электронов проводимости, существующие на сульфидных образованиях и дефектах решетки, углубляются вблизи подвижных ионов серебра, что приводит к рекомбинации электрона с ионом серебра и его закреплению. [c.73]

Индекс е относится к электронам, тогда как р означает положительные дырки т—эффективная масса А — зона перекрывания Кх и Ку — соответственно х и у компоненты волнового вектора. [c.340]

В приближении узких зон возникновение электрона проводимости и дырки эквивалентно образованию в двух узлах решетки дефектов замещения с отрицательным и положительным эффективными зарядами [c.31]

Так как понятие дырка в электронной теории металлов не вполне однозначно, то последнее высказывание требует уточнения. В 4 мы видели, что электроны с энергией, близкой к максимальной в данной зоне, обладают отрицательной эффективной массой. Эти электроны в ряде случаев ведут себя как частицы с положительным зарядом (например, в постоянном магнитном поле вращаются в направлении, противоположном правилу буравчика, замедляются электрическим полем, ускоряющим свободные электроны, и т. п.). Как правило, в окончательные формулы (для электропроводности, для константы Холла и др.) входит не число электронов с отрицательной эффективной массой, а число свободных состояний с отрицательной эффективной массой. Последнее и принято называть числом дырок . При этом, однако, все рассмотрение вообще можно вести, не оговаривая существования дырок , достаточно последовательно учитывать характер закона дисперсии вблизи максимума энергии ). Если в результате столкновения электрон из состояния с положительной эффективной массой перейдет в состояние с отрицательной эффективной массой, то это можно, конечно, трактовать как аннигиляцию электрона и дырки , по можно (и, с нашей точки зрения, даже удобнее) не вводить новых понятий, а при дальнейшем расчете, если необходимо, учесть то обстоятельство, чго в конечном состоянии электрон обладает отрицательной эффективной массой. [c.73]

В ионной решетке внедрившиеся атомы становятся донорами (металлы) или акцепторами (неметаллы) электронов. Перемещение электронов приводит к появлению в структуре кристалла точек с избыточными отрицательными и положительными зарядами. Атомы с избыточным положительным зарядом, т. е. с дефицитом электронов, называют дырками. В целом кристалл сохраняет электронейтральность, несмотря на то, что дефекты его имеют эффективный заряд, отличающийся от нулевого, за который принимают заряд частиц идеального кристалла. [c.341]

Отдельные слои в монокристаллах графита принято представлять как двумерный металл с эффективной массой носителя тока, равной массе свободного эЛектрона. В перпендикулярном к слоям направлении - графит полупроводник. Поэтому ток в графите переносится как электронами, так и положительными дырками, а его проводимость определяется концентрацией носителей тока и их средним свободным пробегом. В самом общем виде электросопротивление можно рассчитывать по формуле р= АрП, где Ар — фактор, учитывающий влияние пористости, текстуры и температуры измерения / — средняя длина свободного пробега электронов. [c.88]

Шр — эффективная масса положительной дырки [c.327]

Имеются, одпако, данные, не согласующиеся с предположением о большой эффективности реакции (8) в твердых насыщенных углеводородах. В частности, при облучении замороженных алканов в присутствии акцепторов положительного заряда обнаружена миграция дырки на значительные расстояния [ИЗ—119]. [c.169]

И положительные дырки соответственно. E v и на контакты подать напряжение, то возникающее электрическое поле заставляет электроны и дырки двигаться навстречу друг другу, встречаться и рекомбинировать в пространстве между контактами. Важной особенностью полупроводникового лазера является его экономичность (почти 100%-ная эффективность преобразования электрической энергии в световую), а также возможность плавного изменения частоты лазерного излучения за счет изменения температуры и других условий эксперимента. [c.301]

Напротив, при растворении в кристалле MgO металлической примеси с одним валентным электроном, например Li, его валентный электрон заполняет только один энергетический уровень в валентной зоне кислорода, а второй остается свободным. Если в кристалле отсутствуют какие-либо дополнительные атомные дефекты, которые могли бы привести к заполнению незанятого уровня, последний на общем фоне представляет собой электронную дырку в валентной зоне. Ион же лития, отдавший в валентную зону кислорода один электрон, находится в виде однократно заряженного положительного иона и на фоне двукратно заряженных ионов магния проявляет себя как дефект замещения Li Mg с отрицательным эффективным зарядом. [c.36]

Настоящая глава посвящена электронам проводимости. Каждый электрон в любом теле имеет заряд, равный заряду свободного электрона. Даже дырке, оказывается, можно не приписывать положительный заряд, если учесть, что она представляет собой незанятое электроном состояние с отрицательной эффективной массой (см. (16.3)). [c.310]

Электропроводность полупроводника обусловлена либо перемещением электронов в зоне проводимости (проводимость п-типа), либо движением дырок — свободных мест в нормально заполненной зоне (проводимость р-типа). Дырку можно грубо представлять себе как свободную валентную связь проводимость осуществляется за счет обмена электронами с соседними насыщенными валентными связями, в результате чего дырка будет перемещаться по решетке под влиянием электрического поля как положительный заряд. Методами квантовой теории можно показать, что во многих отношениях дырка ведет себя аналогично положительному заряду (- - е) с эффективной массой порядка массы свободного электрона. [c.290]

Следует отметить, что представление о центрах как точечных дефектах, захвативших электрон или дырку, является первым приближением, поскольку электронно-дырочные центры — это особые электронные конфигурации групп атомов (ионов), связанные с дефектными участками атомной структуры, захватившими электрон или дырку. Для практических целей обычно сначала рассматривают зарядовое поведение существующих точечных дефектов, а не их совокупности. При этом считают, что в качестве положительно заряженных центров следует рассматривать катионы, занимающие междоузельные положения, а также несвойственные им узлы кристаллической решетки (Ср В", Сц и т. д., где точками обозначен эффективный заряд ионов). Вакансии же анионов представляют как отрицательно заряженные центры (число штрихов означает число [c.36]

Кристаллы двуоксида урана содержат [1] избыток кислорода в форме внедренных атомов. Так как нормальной составляющей решетки являются ионы то атомы кислорода в междоузлиях, стремясь приобрести такую же электронную конфигурацию, захватывают электроны из решетки. В последней возникают дырки (/г ) — атомы или ионы с дефицитом электронов, т. е. с избыточным положительным зарядом по отношению к составным частям идеальной решетки. Обозначая эффективный отрицательный заряд штрихом, образование дефектов нестехиометрии в кристалле иОг+у можно выразить уравнением [c.77]

Понятие. дырки вводится при описании особого типа проводимости в кристаллах. Если в ионном кристалле под действием света вырывается один из электронов, то освободившееся место, по характеру поведения во внешнем электрическом поле, можно рассматривать как эффективный положительный заряд, равный по абсолютной величине заряду электрона. Дырка может быть занята другим электроном. Тогда место, которое этот электрон покинул, становится новой дыркой . Этот процесс можно рассматривать как перемещение. дырки в кристалле. В ионном кристалле галоидного серебра ион галоида, потерявший электрон под действием света и превратившийся в атом галоида, является местом локализации дырки . [c.3]

В сенсибилизированных кристаллах положительные дырки захватываются частицами сенсибилизатора и, менее эффективно, [c.16]

Необходимо сделать некоторые замечания относительно захвата дырок и электронов на первой стадии образования скрытого изображения. В химически несенсибилизированных кристаллах положительные дырки будут захватываться ионами брома, занимающими изломы на наружных и внутренних поверхностях кристалла. Ясно, что захват дырки с образованием атома брома на внутренней поверхности не может привести к фотохимическому эффекту, так как этот атом, в конце концов, рекомбинирует с электроном или с выделившимся атомом серебра. С другой стороны, захват положительных дырок ионами брома, занимающими изломы на наружной поверхности, может сопровождаться удалением брома в виде атомов или молекул с поверхности кристалла и образованием локализованного положительного заряда (вакантный узел на месте ушедшего брома). Захват электронов подвижными ионами серебра или ионами серебра, занимающими изломы на наружной поверхности, приводит к образованию атомов серебра, которые затем служат эффективными ловушками для дырок, как это ясно следует из опытных данных. Следовательно, захват электронов ионами серебра на наружной поверхности приведет к их рекомбинации с дырками, тогда как захват дырок ионами брома на внутренних [c.41]

Объемный заряд нейтрализуется ионами серебра, движущимися по междоузлиям, вакантным узлам ионов серебра или по узлам на внешних или внутренних поверхностях кристалла. Имеющиеся в настоящее время экспериментальные данные не позволяют исключить какую-либо из этих возможностей. В остальной части настоящей работы мы будем говорить только о нейтрализации объемных зарядов подвижными ионами серебра, не уточняя механизма этого движения. Однако можно сейчас указать, что наиболее эффективные центры захвата для электронов и дырок на поверхности и внутри кристалла расположены на поверхностях раздела полиэдрической субструктуры кристалла. Если бы даже движение ионов серебра вдоль внешней поверхности кристалла затруднялось или полностью исключалось адсорбированным слоем желатины, то объемные заряды могли бы нейтрализоваться в результате движения ионов серебра по внутренним поверхностям кристалла. Перемещение иона серебра от места захвата положительной дырки к месту захвата электрона восстанавливает места [c.59]

Если скорость образования пар электрон — дырка превышает скорость, с которой объемные заряды, возникшие в результате захвата этих пар на поверхностных и внутренних частях центра светочувствительности, нейтрализуются подвижными ионами серебра, то электроны и дырки будут захватываться другими частями поверхности полиэдрической субструктуры, всегда содержащей больше внутренних ловушек, чем поверхностных. Атомы брома должны покидать кристалл в количестве, эквивалентном числу атомов серебра, выделяющемуся на внутренних поверхностях. Поверхность приобретает положительный заряд, равный отрицательному заряду внутри кристалла. Электроны, дырки и ионы серебра перемещаются в создавшемся электрическом поле, часть электронов и дырок рекомбинирует, что уменьшает эффективность образования скрытого изображения. Нейтрализация объемного заряда ионами серебра должна с наибольшей скоростью протекать тогда, когда положительная дырка захватывается на поверхности центра светочувствительности, а электрон захватывается в непосредственной близости внутренним ионом серебра. В этом случае иону серебра нужно переместиться на небольшое расстояние в сильном поле. Отсюда следует, что в определенном интервале освещенностей образуется компактное скрытое изображение, состоящее из частицы серебра и расположенное в центре светочувствительности непосредственно под поверхностью. [c.63]

В несенсибилизированных кристаллах важной причиной низкого квантового выхода при образовании скрытого изображения служит захват положительных дырок атомами серебра скрытого изображения или рекомбинация атомов брома и серебра. Химическая сенсибилизация создает эффективные ловушки для дырок на поверхности кристаллов, в результате чего электроны и дырки могут захватываться в пространственно разделенных местах электроны — на центре светочувствительности, а дырки — на распределенных по поверхности кристалла группах атомов и молекул сенсибилизатора. Это увеличивает суммарную эффективность образования скрытого изображения. Частицы сенсибилизатора обладают еще другим важным свойством. Как указывалось выше, экспериментальные данные показывают, что вероятность захвата положительных дырок атомами серебра больше вероятности захвата электронов ионами серебра. Во время освещения в кристалле может образоваться избыток ионов серебра и эквивалентное число электронов в полосе проводимости. Эти ионы и электроны могут медленно рекомбинировать с образованием атомов серебра вблизи частиц сенсибилизатора, связанных с центрами светочувствительности, в результате чего эти частицы превращаются [c.67]

Свободные электроны и дырки обычно обозначаются как е и Ь причем е и Ь обозначают соответственно электрон и дырку, а индексы штрих и точка указывают соответственно на эффективный отрицательный и положительный заряды. [c.153]

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафетную электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон мол<ет оторваться от молекулы л попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия— дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов. может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцеиторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не долл<на зависеть от вязкости среды. [c.61]

Галогениды серебра обладают эффектом фотопроводимости. Считается, что освещение галогенида серебра перебрасывает фотоэлектроны из валентной зоны в зону проводимости галогенида (см. разд. 8.9.2). Механизм образования свободного серебра в этом случае включает миграцию фотоэлектронов и внедренных ионов серебра в избранные точки на зерне, а затем появление свободных атомов серебра в результате соединения ионов и электронов. Образовавшиеся таким образом свободные атомы серебра действуют как эффективные ловушки возникающих впоследствии фотоэлектронов, и новые ионы серебра превращаются в нейтральные атомы вблизи того места, где появился первый атом. Поэтому крупицы серебра растут в отдельных исходных точках. Остающиеся после отрыва электронов положительно заряженные дырки могут обладать некоторой подвижностью и диффундировать к поверхности галогенидосеребряных зерен, выделяя свободный галоген. На рис. 8.14 показан механизм образования изображения, базирующийся на представлениях Гёрни и Мотта. Альтернативная схема, предложенная Митчеллом, предполагает первоначальный захват электрона ионом Дg+ с последующей адсорбцией Ag+ на растущей крупице серебра для захвата возникающих позже электронов. В обоих случаях основные процессы аналогичны. Стадии до образования крупицы из двух атомов обратимы, что согласуется с экспериментальным фактом стабильности скрытого изображения лишь при формировании агрегатов из более чем двух атомов (см. выше). [c.247]

У некоторых полупроводников эффективная масса дырок очень велика ио сравнению с эффективной массой электронов проводимости, и поэтому основной вклад в электрические свойства дают электроны проводимости. Такие полупроводники называются электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа (от слова negativ — негативный, т. е. отрицательный). В противоположном случае (большая эффективная масса электронов проводимости) основной вклад дают дырки. Такие полупроводники называются дырочными полупроводниками или полупроводниками р-типа (positiv — позитивный, т. е. положительный). [c.216]

Повышение эффективности образования проявляемого поверхностного и внутреннего скрытых изображений, при сенсибилизации восстановителями, пожалуй, и не удивительно. Происходящие при этом явления очень похожи на рассмотренные выше, за исключением того, что выделяющиеся атомы брома могут в этом случае реагировать с атомами серебра. Фотоэлектроны и ионы серебра могут далее соединяться на центрах, которыми являются поверхностные атомы серебра, или на границах субструктуры, куда они проникают путем диффузии. В последнем случае внутреннее скрытое изображение образуется в непосредственной близости от поверхности. Можно предложить другие механизмы процесса, но все они приводят к одному и тому же результату. Например, можно представить себе, что экситоны взаимодействуют с адсорбированными на поверхности атомами серебра, освобождая из них электроны. Возникающие при этом ионы серебра и электроны могут либо рекомбинировать на центрах, которыми являются другие атомы серебра, образуя более крупные агрегаты, либо продиффундиро-вать на границы субструктуры и рекомбинировать там. Атомы серебра могут захватывать положительные дырки, превращаясь в ионы серебра, которые далее соединяются с электронами. Наконец, электроны могут испускаться из адсорбированных атомов серебра при поглощении фотонов, с последующей рекомбинацией ионов серебра с электронами на центрах, которыми являются другие атомы серебра. Как было упомянуто выше, адсорбционный слой желатины препятствует диффузии ионов серебра по внешней поверхности кристаллов. В этих условиях во вторичных процессах на поверхности могут принимать участие дефекты ионной решетки, причем вакантный узел решетки притягивается к избыточному иону серебра, а соответствующий междуузельный ион серебра соединяется с электроном на центре, которым является атом серебра, находящийся на поверхности кристалла или на границах субструктуры. Для оценки относительной вероятности всех этих различных процессов требуется весьма кропотливая методическая и экспериментальная работа. Можно также предложить различные механизмы возникновения поверхностного скрытого изображения в кристаллах, сенсибилизированных сульфидом серебра. Атомы брома, получающиеся, как описано выше (стр. 425, 426), одно- [c.436]

Метод, с помощью которого производится это вычисление, может быть пояснен на конкретном примере — ядре С . Ион хлора имеет за.мкнутую оболочку с шестью р-электронами, и следовательно, Цгг У ядра равно нулю. Градиент у ядра атома хлора вызывается положительной дыркой в оболочке шести р-электронов. Он имеет то же абсолютное значение, что и градиент поля, вызываемый р-электроном, движущимся вокруг ядра с тем же эффективным зарядом, что и у атома хлора. [c.404]

В табл. 9 приведены экспериментально измеренные значения Q. Исследователи приводят иногда дополнительные сведения по этому вопросу. Так, Нельсон [106] сообщает о том, что в интервале температур от 20° до 80° термоэлектродвижущая сила почти не зависит от температуры, если измерения ведутся при постоянной проводимости, и изменяется обратно пропорционально проводимости, если ее измерять при постоянной температуре. [Полученные значения Q соответствуют, согласно уравнению (28), расстоянию между Ес и Ер, равному всего 0,04 зв. Гарретт [33] получил для фтало-цианинов еще меньшее (но положительное) значение. Это позволило ему объяснить близость значений Ер и Еу, исходя из предположения о наличии низкого акцепторного уровня или очень высокого отношения эффективных масс П1п1т% (последнее, возможно, вызвано тем, что электроны в зоне проводимости практически связаны и проводимость осуществляется дырками в валентной зоне). В некоторой степени аналогичные замечания можно сделать и в отношении красителей, ссылаясь при этом на электроны зоны проводимости, а не на дырки валентной зоны. Предполагается, что толщина пространственно-заряженного слоя мала по сравнению с расстоянием между электродами. [c.704]

В том случае, когда диэлектрическая постоянная велика (порядка десяти) орбита экситона может простираться на такое большое расстояние, что в первом приближении роль кристалла можно рассматривать как действие непрерывной диэлектрической среды. В этом случае предпочтительнее пользоваться приближением Мотта —Ванье, основанном на представлении об эффективной массе [7, 96]. Согласно этой модели, электрон движется в кулоновском поле положительной дырки, величина которого зависит от диэлектрической проницаемости. При этих условиях должен существовать ряд водородоподобных связанных состояний. Более близким к действительности является представление об экранированном потенциале, существование которого ведет в частности к смещению основного состояния в последовательности водородонодобных состояний [61, 62]. Еще более близким к действительности является представление о поляризации ионной структуры, в которой движутся носители частично разделенных зарядов, в результате чего движущиеся носители зарядов оказываются окутанными создаваемыми нри этом локализованными состояниями, или модами , получившими название поляронов [c.142]

Из условия электронейтральности следует, что с выходом, равным С(естаб)-. в облученных спиртах стабилизируются также положительные ионы. Такими ионами могут быть RHOHJ или непарамагнитные осколочные ионы. Молекулярные катионы RHOH и другие можно исключить, так как в спектрах ЭПР облученных спиртов не наблюдается сигналов, обусловленных положительными ионами. В масс-спектрах большинства простых спиртов [149] наиболее интенсивные пики соответствуют осколочным ионам ROH+. Однако сомнительно, чтобы диссоциативная ионизация эффективно протекала в конденсированной фазе. Молекулярные ионы, по-видимому, в основном участвуют в ионно-молекулярных реакциях (7) и (8), приводящих к образованию протонированного иона RHOHg. На возможность реакций переноса протона с участием молекул спирта при 77° К указывает, например, эффективное ингибирование миграции дырки спиртами и другими соединениями с большим сродством к протону при радиолизе парафинов [150]. Последнее можно объяснить реакцией переноса протона от молекулы матрицы к спирту [c.219]

Эффективную защиту каучуков обеспечивают вторичные ароматические амины [370, с. 238 373, 374]. Пргг исследовании защитного действия различных ароматических соединений, в том числе вторичных ароматических аминов, на радиационную деструкцию ПММА было высказано предположение [356], что антирадное действие таких соединений мол<ет быть связано с процессами переноса электрона от добавки к положительному иону — дырке . Показано, что способность соединений тормозить деструкцию ПММА зависит от потенциала ионизации добавки. Чем меньше потенциал ионизации добавки, тем легче идет перенос электрона от молекулы антирада к дырке и тем меньше радиационно-химический выход деструкции (Од) [357]. [c.164]

Несомненный интерес представляет принципиальная возможность автокаталйтического термического распада твердого тела при образовании значительных концентраций вакансий в объеме кристалла. Известно, что анионная вакансия может захватить и локализовать электрон с образованием Р-центра и положительной дырки в валентной зоне. Захваченный электрон, по-видимому, не висит в вакансии, а локализован на одном из ближайших катионов, образуя катионный радикал, правда, мало подвижный. Положительная дырка является анионным радикалом. При попадании радикалов на поверхность последние могут разлагаться на газообразные продукты, образуя новые вакансии, которые по указанным выше причинам могут переходить в объем кристалла. Очевидно, при таком механизме термический распад должен иметь автокаталитический характер. Анионная вакансия, имея эффективный положительный заряд, представляет собой потенциальную яму для электрона. Катионная вакансия, обладая эффективным отрицательным зарядом, напротив, должна увеличивать энергию электрона. Если в ионном кристалле анион и катион имеют одинаковые валентности, эффективные заряды соответствующих вакансий равны и противоположны. Можно Я [c.58]

Итак, внутри каждой полосы разрешенных энергий эффективная масса меняется от положительных значений через оо до отрицательных величин (см. рис. 2). Каково поведение электронов, находящихся в состояниях с отрицательной эффективной массой Для этих электронных состояний вблизи верхнего края полосы кривизна имеет отрицательный знак, а потому из уравйения (1.22) видно, что ( и/Л)< <0, в то время как действующая сила положительна. Значит, что сила замедляет движение этих электронов по направлению своего действия. Это можно понять, если допустить, что вблизи верхней границы зоны не все состояния заполнены и имеются вакансии, которым можно приписать положительный знак. Эти вакантные состояния с положительным знаком называются дырками. Таким образом, понятие дырки так же, как и представление об эффективной массе, вытекает из применения квантовой теории к твердому телу. [c.20]

ИОНОМ серебра. Таким образом, две основные причины отклонения от взаимозаместимости при высоких освещенностях, повидимому, состоят в уменьшении суммарного квантового выхода, обусловленного peкoмбинaщ eй части пар электрон — дырка, и в образовании дисперсного скрытого изображения, которое проявляется с меньшей эффективностью, чем компактное скрытое изображение, образующееся при более низких освещенностях. Проявляемость кристаллов после экспонирования при столь высоких освещенностях может медленно возрастать при хранении вследствие диффузии атомов серебра и их конденсации, приводящей к образованию более компактного скрытого изображения. Дополнительная экспозиция при низкой освещенности способствует подобно.му усилению скрытого изображения, так как при таком экспонировании увеличивается вероятность захвата электронов на центре светочувствительности, а положительных дырок — на атомах серебра дисперсного скрытого изображения. Далее ионы серебра диффундируют к центру светочувствительности, так что дополнительная экспозиция вызывает эффективное перемещение атомов серебра от дисперсного скрытого изображения к центру светочувствительности. При этом благодаря отклонениям от взаимозаместимости при низких освещенностях в неэкспонированных кристаллах не образуется проявляемого скрытого изображения [10]. Можно также ожидать, что подобное дополнительное экспонирование при низкой освещенности приведет к увеличению поверхностной светочувствительности. [c.64]

При весьма низкой освещенности.реакции, протекающие после образования электрона и положительной дырки, заканчиваются до образования второй пары электрон — дырка. Электрон захватывается ионом серебра на центре светочувствительности, как было рассмотрено в 3, а положительная дырка в идеально сенсибилизированном микрокристалле захватывается соседней частицей сенсибилизатора. Перемещение иона серебра от места захвата дырки к месту захвата электрона восстанавливает электронейтральность и позволяет центру светочувствительности захватить другой электрон. Что касается начального распределения атомов серебра, то, поскольку присутствие частицы сенсибилизатора не влияет на захват электронов, нет никаких причин, которые способствовали бы преимущественному выделению атомов серебра на поверхности сравнительно с их выделением внутри центра светочувствительности (во время освещения при весьма низкой освещенности). Однако атомы серебра, образовавшиеся в любой точке центра светочувствительности, могут в дальнейшем сконденсироваться на поверхностной частице сенсибилизатора с образованием поверхностного скрытого изображения. Энергичная сенсибилизация устраняет две причины отклонений от взаимозаместимости при низкой освещенности. Образовавшиеся на поверхности атомы серебра могут закрепиться на центрах конденсации, вместо того, чтобы диффундировать прочь, и, кроме того, они больше не будут служить единственными эффективными поверхностными ловушками для положительных дырок. Внутреннее скрытое изображение может обнаруживать отклонение от взаимозаместимо- [c.68]

До сих пор мы в этом параграфе рассматривали зависимость эффективности образования скрытого изображения от освещенности. Рассмотрим теперь влияние экспозиции при постоянной освещенности на образование скрытого изображения. В случае многих химически сенсибилизированных эмульсий продолжительное освещение вызывает соляризацию поверхностного скрытого изображения, тогда как внутреннее скрытое изображение продолжает увеличиваться и не обнаруживает соляризации. Мы уже рассматривали, как при освещении кристаллов вблизи оптимальной освещенности электроны захватываются на поверхности центра светочувствительности, а дырки — соседними частицами сенсибилизатора. Объемные заряды нейтрализуются далее ионами серебра, что приводит к эффективному перемещению атомов серебра на поверхность центра светочувствительности, тогда как сам сенсибилизатор реагирует с бромом. По мере увеличения времени освещения от центра светочувствительности по поверхности кристалла распространяется круговая зона, внутри которой сенсибилизатор уже прореагировал с бромом и потерял свою активность. Это явление аналогично описанному Ленингом истощению золя бромида серебра [3]. Скоро достигается момент, когда перестает функционировать механизм быстрой нейтрализации, способствовавший образованию поверхностного скрытого изображения за счет внутреннего и частично ответственный за уменьшение отклонений от взаимозаместимости для поверхностного скрыто го изображения при высоких освещенностях. С увеличением степени истощения сенсибилизатора на поверхности увеличивается вероятность захвата положительных дырок атомами серебра поверхностного скрытого изображения и свойства микрокристаллов будут приближаться к свойствам несенсибилизированных микрокристаллов, описанных в 3. Таким образом, с увеличением экспозиции образование скрытого изображения в сенсибилизированных кристаллах проходит через три последовательные стадии 1) атомы серебра в количестве, эквивалентном количеству химического сенсибилизатора, концентрируются на поверхности центра светочувствительности 2) после истощения диспергированного сенсибилизатора положительные дырки захватываются образовавшимся по стадии 1 поверхностным скрытым изображением, что ведет к переходу последнего на внутреннюю поверхность 3) для протекания дальнейшего фотолиза необходимо, чтобы бром покинул кристалл, т. е. скрытое изображение образуется по такому же механизму, как в несенсибилизирован-ном кристалле. Мы полагаем, что предложенный механизм объясняет все известные экспериментальные данные по соляризации поверхностного скрытого изображения. [c.71]

Здесь А п и Л2( 1 — ) суть вероятности рекомбинации и локализации электронов, находящихся в полосе проводимости они соответственно пропорциональны числу дырок п и числу свободных уровней прилипания (V] — у) с другой стороны, они пропорциональны скоростям электрона в полосе проводимости и эффективным сечениям захвата электрона положительной дырко или уровнем прилипания. Величины А и А в характеризуют эффективные сечения захвата и скорости движения электронов в полосе проводимости. Таким образом, число электронов, рекомбинирующих за время будет А1п1 й1, а число электропов, локализующихся на уровнях прилипания, будет А2 1 — )) N(11, откуда и следуют написанные уравнения. [c.341]

Адсорбированные электроотрицательные газы и пары, как например 0 и хинон на ZnO [3], и хинон на Agi и ТП [4—7], Вгг на AgBr и Т1Вг [8], увеличивают сенсибилизацию в 10—100 раз. Это увеличение не может быть объяснено изменением фотоэлектрической чувствительности красителя, так как эти газы резко понижают фотопроводимость компактных слоев красителей ге-типа. Для красителей р-тина такие электроотрицательные газы (исключая очень агрессивный бром) дают, наоборот, ожидаемое увели-чение фотопроводимости благодаря положительным дыркам. Так как такие газы обладают большим сродством к электрону, порядка 1—2 эв, это показывает, что сенсибилизованный фотоэффект обязан присутствию уровней захвата на поверхности полупроводника. Это обстоятельство объясняет, почему лишь ограниченное количество полупроводников может быть эффективно сенсибилизовано. [c.240]