Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Свободная уровни

    Для того чтобы избежать вскипания жидкости во всасывающей линии насоса из-за падения давления в ией, насос располагают ниже свободного уровня жидкого. хладагента в циркуляционном ресивере, обеспечивая необходимый столб жидкости на всасывающей стороне насоса. Причем чем ниже температура кипения хладагента. [c.72]

    Непрозрачность и характерный металлический блеск металлов обусловлены структурой энергетических уровней металлов. Близость энергий большого количества занятых и свободных уровней приводит к тому, что любому кванту видимого света с энергией Е = Н и всегда имеется такая пара энергетических уровней, один из которых находится в валентной зоне, а другой — в зоне проводимости, что разность их энергий равна Е. В этом случае электрон из валентной зоны, поглощая квант света, переходит в зону проводи.мости. Свет не отражается, а поглощается. Поэтому металлы непрозрачны. В то же время металлам характерен блеск, который появляется в результате испускания света при возвращении возбужденных светом электронов на более низкие энергетические уровни. [c.151]


    Действительно, для того чтобы участвовать в переносе тока, электрон должен получить некоторую дополнительную энергию от лектрического поля н перейти на более высокий (вакантный) уровень, где он может передвигаться (дрейфовать) в соответствии с приложенным полем. Однако если все уровни в зоне заняты, а следующая разрешенная зона (зона проводимости) с вакантными уровнями находится далеко, п энергия, необходимая для перевода электрона с верхнего уровня валентной зоны на нижний уровень зоны проводимости, значительно превосходит энергию поля, то ток через систему не может пойти, несмотря иа наличие свободных уровней. [c.136]

    Пульсационный ситчатый экстрактор (рис. Х1И-24, а) представляет собой обычную колонну I с ситчатыми тарелками, к которой присоединен пульсатор 2. По аналогии с насосами различают пульсаторы поршневые (плунжерные), мембранные, сильфонные и пневматические. Поршневой пульсатор — это бесклапанный поршневой насос, который присоединяется либо к линии подачи легкой фазы (рис. ХП1-24, а), либо непосредственно к днищу колонны. С помош,ью пневматического пульсатора (рнс. ХП1-24, б) при движений" поршня 1 периодически изменяется давление воздуха или инертного газа над свободным уровнем жидкости в камере 5, соединенной с насосом. Эти колебания давления, в свою очередь, вызывают колебательное движение жидкости в экстракционной насадочной колонне 3.  [c.545]

    Вернемся к литию (см. выше). Каждый его атом представлен одним 25-уровнем в валентной зоне и одним — в зоне проводимости (см. рис. 28). Если кристалл состоит из N атомов лития, то в валентной зоне имеется N энергетических уровней, на каждом из которых могло бы находиться по два электрона. Но у лития имеется только один валентный электрон. Следовательно, половина уровней в этой зоне не заняты. Поэтому валентные электроны перемещаются от одного свободного уровня данной зоны к другому, двигаясь между атомными остовами — положительными ядрами атомов, отчасти заэкранированными электронными оболочками 15 литий электропроводен, это металл. Твердые вещества, такие как алмаз, имеют энергетический спектр с полностью занятыми уровнями валентной зоны, отделенной от зоны проводимости широкой запрещенной зоны. Это изоляторы. Но если ширина запре- [c.104]

    Здесь в непосредственной близости от верхних занятых уровней имеются свободные уровни, на которые могут переходить электроны под действием электрического поля. Это и создает возможность переноса тока электронами — обеспечивает электрическую проводимость металла. [c.149]


    Функция распределения электронов по энергетическим уровням показана на рис. 111.31, б. Пунктир соответствует функции распределения при повышенной температуре, когда только электроны с наибольшей энергией переходят на более высокие свободные уровни. Общий вид функции распределения электронов по энергиям сильно отличается от вида функции распределения классических частиц, которые могут находиться на энергетических уровнях в неограниченном количестве. Это означает, в частности, что при температуре абсолютного нуля все классические частицы должны находиться на самом низком уровне. Такая особенность электронов, подчиняющихся квантовой статистике Ферми — [c.201]

    Поэтому электроны таллия заполняют не асе уровни нижней энергетической зоны германия в этой зоне остается некоторое количество свободных мест — по одному на каждый атом Т1. При воздействии поля электрон с занятого уровня легко может перейти на более высокий свободный уровень той же зоны вспомним, что эти уровни очень близки. На освободившееся место перейдет электрон с более низкого уровня и т. д. электроны будут получать импульс от поля и двигаться по направлению от катода к аноду. Перемещение электронов с замещением свободных уровней — вакансий, или, как чаще говорят, дырок, удобно трактовать как движение в обратном направлении — [c.275]

    Наряду с собственными большое распространение получили также полупроводники примесного типа. В них основное число переносчиков тока — электронов или дырок — поставляют введенные в собственный полупроводник специальные примеси, энергетические уровни которых располагаются между валентными зонами и зонами проводимости полупроводника. Так, при введении в кристалл германия так называемых донорных примесей, как, например, фосфора, мышьяка, сурьмы, электроны последних переходят в зону проводимости полупроводника, резко увеличивая в ней число электронов — переносчиков тока (п-про-водимость). При добавлении к германию акцепторных примесей типа бора, алюминия, индия электроны валентной зоны полупроводника переходят на свободные уровни зоны примесей, что увеличивает число дырок (р-проводимость) в валентной зоне. [c.77]

    Зоны примыкают друг к другу или перекрываются. Наиболее простой случай этого типа представляют металлы (рис. 111.3). В металлических решетках уровни, занятые электронами, образуют нижнюю энергетическую зону к пей непосредственно примыкает зона, состоящая из свободных уровней— зона проводимости. Между ними нет существенного разрыва. Электронные пары занимают все уровни, начиная с самого нижнего и до верха зоны (рис. III.3, а). Такое размещение осуществляется, однако, лишь при Т=ОК. Уровни отделены столь малыми энергетическими интервалами, что уже термической энергии достаточно для перевода электрона с одного из верхних заполненных уровней в зону проводимости. Поэтому в обычных условиях большое число электронов путешествует по металлу, переходя с одного из вакантных уровней на другой. Этим и объясняется высокая электрическая проводимость металлов. В общем случае энергетические зоны электронов могут не только примыкать друг к другу, но и перекрываться. [c.282]

    В молекуле аденина всего десять МО. шесть из них заняты парами электронов. Ниже приведены значения (в Р) энергий верхнего заполненного н нижнего свободного уровней (по Пюльман А. и Б.)  [c.351]

    В зависимости от механизма возбуждения рентгеновское излучение называется или тормозным или характеристическим. Тормозное излучение возникает при торможении быстрых электронов на атомах исследуемого вещества и представляет собой непрерывный спектр. Характеристический спектр — линейчатый рентгеновский спектр, возникающий при переходах электронов из внещних слоев атома на близко расположенные к ядру внутренние Л -, 1-, М-, Л -электронные слои. Для его возникновения необходимо, чтобы под действием какого-либо внешнего возбуждения теми же электронами пли фотонами высокой энергии электроны внутренних слоев перешли на свободные уровни внешних слоев. При возвращении такого возбужденного атома в основное нормальное состояние испускается квант характеристического излучения согласно (111.3). На рис. 82 показана схема возникновения характеристических рентгеновских спектров. Линии в пределах каждой серии отличают друг от друга индексами, обозначаемыми буквами греческого алфавита, например Ка, Кц, а, р, V и т. д. [c.181]

    МёталлыГГл авные металлические катализаторы, применяемые в промышленности, находятся в VIII группе периодической системы и представляют собой, таким образом, переходные элементы, у которых электронные уровни М, id и 5d заполнены полностью или почти полностью. Согласно одной из теорий, электроны адсорбированных молекул могут заполнить свободные уровни в незаполненных оболочках, что обусловливает химическую связь. Что происходит далее, зависит от условий процесса. Детальный химический механизм реакций (например, реакций синтеза аммиака или восстановления водородом), катализаторами которых служат металлы, пока является только умозрительным. [c.313]


    Общая электронная формула s-металлов ПА-группы s . Предыдущий электронный слой атомов содержит 8 электронов, а у атома Ве только 2. Начиная с атома Са появляются свободные подуровни (d, f, g), заполняющиеся электронами в последующих периодах. Наличие свободных уровней у Са, Sr и Ва обусловливает их более высокую химическую активность и отличие физических свойств от Ве и Mg. [c.296]

    Наличие свободных уровней означает, что под влиянием электрического поля электроны могут увеличивать свою энергию, т. е. двигаться. Это определяет наличие металлической электропроводности. Таким образом, например, два -электрона атомов лития создают первую зону металлического лития. [c.351]

    В других случаях валентные уровни примесных атомов расположены так, что нижний из них находится близко к верхнему краю валентной зоны (рис. 10,3,6). В этом случае часть электронов из этой зоны забрасывается та свободные уровни примесных атомов, я в зоне появляются дырки и возможность дырочной проводимости, [c.283]

    Электронные уровни в металлах, заполненные электронами и свободные, расположены непосредственно друг за другом (рис. 48,а). Заштрихованная косой штриховкой полоса —энергетические уро>вни, занятые электронами (валентная зона), выше идет зона проводимости — свободные уровни (прямая штрихОвка). Дф — работа выхода электрона из металла в окружаюш,ее пространство. Для перехода электронов в зону проводимости не требуется преодоления энергии. В полупроводниках (рис. 48,6) для перехода из заполненной в свободную зону, т. е. для начала проводимости, требуется преодоление энергетического барьера и энергии активации электропроводности . Связано это с тем, что в металлах электроны обобществлены, могут переходить от одного атома к другому, в полупроводниках же переход электрона связан с изменением валентного состояния иона или атома. [c.228]

    Таким образом, постоянная к характеризует относительную часть поверхности свободного уровня, которая относится к воде. И наоборот, (1 — к) —относительная часть, касающаяся парового канала. Чтобы упростить выражения для передаточных функций уровня (8.85), (8.88) и (8.90), разделим их, например, на постоянную Ло- Тогда зависимость передаточной функции уровня от всех трех факторов примет вид [c.318]

    Для испарителей со свободным уровнем жидкого хладагента применяют АСПИ, воспринимающую изменение уровня. Она может быть плавной или Двухпозиционной. [c.101]

    Высотой всасывания называется разность отметок оси колеса насоса и свободного уровня в резервуаре, пз которого жидкость забирается насосом. [c.175]

    Статическое давление, необходимое для определения напора насоса, должно измеряться на расстоянии 1,5—2,5 внутренних диаметров трубопровода от соответствующего патрубка. При испыта-инн на стендах иасосов, у которых входной патрубок соединен непосредственно с баком (резервуаром) со свободным уровнем перекачиваемой жидкости, давление на входе в насос определяется [c.325]

    Для того чтобы избежать вскипания жидкости во всасывающей линии насоса из-за падения давления в ней, насос располагают ниже свободного уровня жидкого хладагента в циркуляционном ресивере, [c.240]

    Современные представления физики твердого тела позволяют разграничить катализаторы но их электронным свойствам. На рис. 4 показана схема электронных уровней металла. Нижняя часть сплошного энергетического спектра занята электронами. Над этой полосой занятых энергетических уровней расположена вплотную (без разрыва) зона свободных уровней, расстояние ф представляет энергию, требующуюся для удаления электрона из объема твердого тела, т. е. работу выхода электрона из металла. На рис. 5 представлена электронная схема полупроводника. Заполненная зона занята электронами, а на расстоянии А от нее расположена свободная зона (зона проводимости), в которой нет ни одного электрона. Для появления их в свободной зоне электроны из заполненной зоны должны приобрести дополнительную энергию А Е. [c.19]

    Электроны, переходящие от оксида или металла, заполняют один за другим низшие свободные уровни. Поэтому с увеличением степени покрытия уменьшается количество тепла, выделяющееся при взаимодействии адсорбента с адсорбированным веществом. Формирование электростатического поверхностного слоя (разд. 7.3) также затрудняет хемосорбцию. [c.31]

    Рентгеновский спектр /(-края поглощения возникает в тех случаях, когда фотон имеет как раз такую энергию, которая необходима для того, чтобы выбить электрон из /(-оболочки атома. Для металла, в котором имеются свободные уровни проводимости вблизи поверхности Ферми, поглощение начинается при самой низкой возможной энергии. В случае изоляторов требуется более высокая энергия, чтобы перевести электроны в наиболее низкое незанятое энергетическое состояние. [c.124]

    Когда в данной системе число заполненных и свободных уровней равно, потенциал называют стандартным ( ). [c.402]

    Металлическая связь осуществляется электронами, свободно переходящими от одного атома к другому в пределах металлического кристалла. Этот тип связи преобладает по сравнению с другими, когда в атомах имеется много свободных незанятых энергетических уровней, обеспечивающих свободное перемещение электронов, благодаря чему весь кристалл превращается в единую систему взаимосвязанных атомов. Обычно у атомов металлических элементов мало электронов на внешних энергетических уровнях, а число свободных уровней велико. Металлическая связь встречается не только у металлов, но и у некоторых карбидов (РедС, УС), силидов (СгЗ , 11512), в интерметаллических соединениях (MgZп2, NiSb, MgNi2Sn) и др. [c.67]

    Зонньш механизм заключается в следующем Электроны в кристалле обладают строго определенными значениями энергии. Наивысший энергстическии уровень— зона, в которой находятся злектро зы, называется валентной. Наряду с разрешенными зонами существуют так называемые запрещенные, соответствующие тем значениям энергнн, которыми электрон не может обладать. Для перехода с одного энергетического уровня на другой Электрой должен преодолеть запрещенную зону, В металлах валентная зона не полностью заполнена электронами Наличие в этой зоне свободных уровней позволяет электрону переходить легко на них с заполненных уров1гей той же зоны, что и обусловливает хорошую электропроводимость металлов. [c.383]

    Стенды для испытаний динамических иасосов могут выполняться как по открытой схеме (т. е. со свободным уровнем перекачиваемой среды, соединенным с атмосферой), так и по закрытой. Вакуум на входе в насос (при проведении кавитационных испытаний) должен создаваться с помощью вакуумнасоса или задвижки на подводящем трубопроводе или путем изменения положения уровня свободной поасрхности на входе в иасос. [c.325]

    Возбуждение электронов в металле может переводить их и на более высокие энергетические уровни. Потенциальная энергия электронов характеризуется уровнем их химического потенциала (уровнем или энер-Ферми, отсчитываемой от уровня энергии покоящегося электрона в вакуумё), зависящим от средней статистической совокупности заполненных энергетических уровней. В случае металлов уровень Ферми может находиться внутри валентной зоны его расположение зависит от плотности соответствующих уровней. При абсолютном нуле все электроны находятся в наинизших возможных энергетических состояниях и, в соответствии с принципом. Паули, совокупно сть N электронов занимает N/2 уровней. Тогда уровню химического потенциала соответствует поверхность Ферми в пространстве импульсов электронов, разделяющая занятые и свободные уровни. [c.56]

    Направление изменений электропроводности показывает, что вследствие хемосорбции во время реакции на поверхности катализатора возникают донорные центры. В случае электронных катализаторов эти центры снабжают зону проводимости электронами, увеличивая количество носителей тока. В случае дырочных катализаторов, наоборот, электроны заполняют свободные уровни в валентной зоне, и электропроводность уменьшается. После прекращения подачи паров реагентов и возвра--Цв [c.40]


Смотреть страницы где упоминается термин Свободная уровни: [c.636]    [c.636]    [c.272]    [c.39]    [c.297]    [c.297]    [c.298]    [c.402]    [c.297]    [c.297]    [c.298]    [c.314]    [c.68]    [c.23]    [c.56]    [c.262]   
Биоэнергетика и линейная термодинамика необратимых процессов (1986) -- [ c.77 , c.84 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте