Кристаллизация на винтовых дислокациях

Рост из расплава. При росте кристалла из расплава движущей силой является относительное переохлаждение 8Т/Т = = (7 — То)/Т о на фронте кристаллизации. Поверхностная шероховатость кристалла, контактирующего с собственным расплавом, а также величина переохлаждения и определяют в основном вид зависимости скорости роста кристалла от 8Т/Т. Как показывает расчет, скорость роста кристалла может зависеть от ST/T линейно (модель нормального роста все поверхностные узлы активны), квадратично (модель дислокационного роста активными центрами являются, например, винтовые дислокации), экспоненциально (рост кристалла из расплава происходит по механизму двумерного зарождения). [c.484]

Кроме рассмотренных точечных дефектов, в кристаллах всегда имеются также краевые или винтовые дислокации, связанные со смещением рядов атомов друг относительно друга. Такие дефекты особенно сильно сказываются на прочности кристаллов и часто являются химически активными центрами при растворении, кристаллизации, адсорбции и катализе. [c.290]

Таким образом, на поверхности пинакоида кристаллов синтетического кварца в одних и тех же условиях проявляются два различных механизма роста. При отсутствии дислокаций наблюдается нормальное отложение вещества с образованием характерной ячеистой структуры. Если же в кристалле имеются винтовые дислокации, кристаллизация происходит в основном по спирально-слоистому механизму. Зачастую оба механизма действуют 160 [c.160]

Известен еще один механизм роста, обусловленный наличием винтовых дислокаций [36]. Этот механизм, однако, наиболее часто встречается при кристаллизации из раствора и раствора в расплаве [37] и практически не встречается при кристаллизации из расплава. [c.31]

Центрами образования поверхностных зародышей могут служить дислокации. Так, Фрэнк [36] предположил, что рост кристалла может происходить на выступе винтовой дислокации (см. разд. У-4В), и в этом случае поверхность развивается по спирали. Хотя явлениям кристаллизации посвящено довольно большое число работ, полной ясности в вопросе, какой именно механизм роста кристаллов играет доминирующую роль, не достигнуто. Бакли [37] отмечает, что картины спирального роста не так уж часты и, более того, спиральный рост наблюдается на вполне развитых и, следовательно, медленно растущих поверхностях. Интерферометрические данные по концентрационным градиентам вокруг растущего кристалла [38, 39] показывают, что в зависимости от кристалла максимальный градиент может наблюдаться как в центре грани, так и вблизи ребер. Со временем картина интерференционных полос может значительно меняться без какой-либо видимой связи с локальными скоростями роста. Ясно, что, рассматривая рост кристаллов, необходимо учитывать возможность миграции частиц от точки осаждения на поверхности к месту ее окончательной локализации. Тем не менее механизм Фрэнка признается многими исследователями, и в отдельных случаях действительно можно наблюдать медленный поворот спирали, образующейся на поверхности кристалла в процессе его роста [40]. [c.305]

Другая интересная проблема, касающаяся роста кристаллов, в особенности больших, состоит в том, необходима ли для образования двухмерных центров кристаллизации на совершенной кристаллической грани более высокая степень пересыщения, чем для роста неполностью укомплектованной грани. Еще в 1878 г. Гиббс предположил, что рост кристалла происходит посредством образования на кристаллической грани центров кристаллизации в виде однослойных островков, которые затем быстро растут до границ грани. Фольмер 2, Коссель з и Странский вывели теоретические уравнения для скорости роста, исходя из двухмерного механизма образования центров кристаллизации. Из этих уравнений следует, что для образования центра кристаллизации новой плоскости кристалла при кристаллизации металла из его пара необходимо, чтобы давление пара было на 25—50% выше, чем давление насыщения. Однако Фольмер и Шульц показали, что кристаллы нафталина, ртути и фосфора могут быть выращены из пара при пересыщении всего в 1%. Теоретически при таком пересыщении рост может иметь место только за счет атомов, попадающих на плоскую поверхность в соответствующее положение благодаря термическому возбуждению, и скорость роста должна быть в 10 ниже, чем наблюдаемая в действительности Такое колоссальное расхождение было в конце концов объяснено Фрэнком как результат роста по винтовой дислокации, которая схематически изображена на рис. 13. Очевидно, что кристалл с такого рода несовершенством может расти посредством выдвигающихся по спирали плоскостей, и не возникает никакой необходимости в образовании центров кристаллизации на плоской поверхности. Описано много случаев визуальных наблюдений роста кристаллов по спирали. При конденсации из [c.159]

Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества-зародышей кристаллов, которые способны расти. Рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей. Эти зародыши и образующиеся затем кристаллы содержат определенные дислокации на поверхности роста, что приводит к наличию винтовой дислокации, в результате которой при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов. Дислокационная теория, основные положения которой изложены в работе [26], объясняет механизм роста кристаллов индивидуальных н-алканов и их смесей. [c.17]

По механизму Франка молекулы попадают на излом выступающей ступеньки винтовой дислокации, причем рост происходит за счет движения ступеньки вширь и вокруг начала дислокации (точка А на рис. 6). Последовательные этапы механизма роста представлены на рис. 8. Так как начало дислокации не смещается, а край ступеньки равномерно перемещается, то ступенька закручивается в спираль. Начиная с этого момента достигается устойчивое состояние, при котором начало спирали сохраняет свое положение, а процесс роста идет как непрерывное вращение всей спирали вокруг начала дислокации. До тех пор пока ступенька самовоспроизводится, не возникает необходимости в образовании центров кристаллизации в виде мономолекулярных островков. Итак, если на поверхности кристал ла возни кает дислокация, которая частично или полностью относится к винтовой дислокации, то эта поверхность может неограниченно расти при малых пересыщениях. [c.199]

Степень полноты количественной теории кристаллизации в больших объемах ограничена возможностями используемого при построении такой теории математического аппарата, который определяет необходимую меру упрощений, принимаемых при разработке расчетной схемы процесса. Оказывается неизбежным принятие ряда допущений относительно атомно-молекулярного механизма кристаллизации и законов теплопередачи в жидкой и твердой фазах. Так, например, при анализе последовательной кристаллизации следует задать зависимость скорости роста кристаллов V от переохлаждения ДГ, определяемую рельефом поверхности раздела фаз в атомном масштабе [И, 12]. Если плотность точек роста на поверхности кристалла близка к единице (атомы из жидкости могут подстраиваться к кристаллу в любой точке его поверхности, которая предельно шероховата ), то в условиях стационарного процесса V — А Г ( нормальный рост кристалла). В противоположном случае совершенно гладкой в атомных масштабах поверхности раздела фаз последовательные слои твердой фазы возникают через формирование двумерных зародышей и функция V (АТ) много сложнее ( слоистый рост кристалла). Наличие на поверхности кристалла несовершенств, например областей выхода винтовых дислокаций, меняет вид зависимости у от АТ. [c.10]

При пересечении винтовой дислокацией поверхности кристалла уменьшение скорости кристаллизации вследствие необходимости образования вторичных зародышей может не происходить. Винтовая дислокация представляет собой непрерывный ненарушаемый вторичный зародыш на поверхности кристалла (см. разд. 4.3.3 и рис. 4.43). Скорость, с которой кристалл может расти на поверхности с винтовой дислокацией, определяется произведением скорости образования новых оборотов спирали роста на толщину одинарного слоя [51]. В соответствии с этим выражение для скорости роста кристалла можно [c.103]

Винтовая дислокация. При низких значениях пересыщения скорость роста кристаллов может быть обусловлена винтовой дислокацией [37, 38]. Это наиболее важный тип роста кристаллов для аналитических осадков, обычно получаемых в условиях, обеспечивающих крупные, хорошо сформированные частицы. Возникновение дислокации на поверхности кристалла может произойти в результате включения примеси. Кристалл с такого рода несовершенством может увеличиваться за счет нарастания плоскостей по спирали, при этом подавляется образование центров кристаллизации на плоской поверхности. В угловом измерении относительная [c.168]

Двумерная поверхностная нуклеация. Еще в 1878 г. Гиббс [41] предположил, что рост кристалла происходит посредством образования на кристаллической грани центров кристаллизации в виде однослойных островков, которые затем быстро растут до границ грани. Фольмер [42], Коссель [43] и Странский [44] вывели теоретические уравнения для скорости роста, исходя из двумерного механизма образования центров кристаллизации. Для такого образования центров кристаллизации необходимо наличие критической степени пересыщения процесс образования центров кристаллизации при этом повторяется для каждого нового слоя кристаллов. Следовательно, такой механизм роста кристаллов имеет место лишь в том случае, когда концентрация превысит некоторый определенный критический уровень пересыщения, при низких значениях пересыщения он невозможен. Так, Фольмер и Шульц [45] показали, что кристаллы нафталина, ртути и фосфора могут быть выращены из пара при пересыщении всего в 1%. Если механизмом роста было двумерное образование центров кристаллизации, то при таком пересыщении рост происходил бы только за счет атомов, попадающих на плоскую поверхность в соответствующее положение благодаря термическому возбуждению, и скорость роста должна быть в 10 ° ° ниже [46], чем наблюдаемая в действительности Как было показано, при низких значениях пересыщения рост может происходить за счет винтовой дислокации. [c.169]

Хотя при больших концентрациях ПС (ау яг 0,9) при использовании для него термодинамически хорошего растворителя рост достаточно совершенных монокристаллов ПЭО все еще возможен, тем не менее незатрудненный рост совершенных монокристаллов ПЭО наблюдается только при содержании ПС до 40%. Вместе с тем слои ПС при определенных условиях препятствуют возникновению винтовых дислокаций и других дефектов и тем самым механически стабилизируют монокристаллы и позволяют исследовать кристаллизацию, не осложненную побочными явлениями. Следует подчеркнуть, что образование монокристаллов в разбавленных растворах облегчается при использовании термодинамически хороших растворителей для ПС напротив, для роста совершенных кристаллических структур в пленках, получаемых поливом из растворов, требуется термодинамически хороший растворитель для ПЭО. [c.159]

Очевидно, существование двух типов изотерм отражает изменения в размерах и морфологии кристаллов, что, в свою очередь, свидетельствует об изменении числа и природы зародышей. Было установлено, что при кристаллизации первого типа, размеры изменяются обратно пропорционально концентрации зародышей. В связи с этим был сделан вывод, что некоторое увеличение п связано с небольшим увеличением числа дефектных кристаллов, например имеющих винтовые дислокации. Такие кристаллы, обладающие большей поверхностью роста, как правило, увеличивают скорость кристаллизации. [c.175]

Структура поверхности кристаллов с винтовой дислокацией существенно влияет на увеличение скорости кристаллизации. Атомы или ионы могут заселять ступенчатую поверхность интенсивнее, [c.268]

При повыщенных температурах кристаллизация парафина может происходить либо в результате образования твердой фазы из расплавов, либо вследствие выделения парафина из раствора высокой концентрации. Поэтому расплавы парафина, богатые парафином гачи, отеки и другие подобные им продукты кристаллизуются с образованием кристаллов гексагональной сингонии. Рост кристаллов гексагональной сингонии и ромбической сингонии показан на рис. 30 и 31. Кристаллы парафина ромбической сингонии развиваются из винтовых дислокаций по спирально-ступенчатому механизму [112, 116]. [c.95]

Все используемые в технике кристаллизующиеся материалы являются поликристаллитами. Иначе говоря, все они состоят из множества кристаллических областей, каждая из которых граничит с другими кристаллическими или аморфными областями. Поэтому морфология кристаллизующихся материалов носит очень сложный характер. По этой причине основные характеристики их изучают на монокристаллах. Полимеры не являются исключением. Полимерные монокристаллы выращивают из слабоконцентрированных растворов. При температуре кристаллизации способный к кристаллизации полимер высаживается из раствора в виде крошечных пластинок (ламелей), имеющих все характерные черты кристалла, например регулярные грани (видны при электронной микроскопии), и дающих дифракционные картины, присущие монокристаллам. Необходимость применения электронного микроскопа или оптического микроскопа с большим увеличением обусловлена очень малыми размерами полимерных кристаллов максимальные размеры монокристалла ПЭВП составляют несколько мкм, в то время как его толщина очень невелика — порядка 100 А. Монокристаллы других полимеров имеют форму полых пирамид, которые часто закручиваются по спирали, что свидетельствует о существовании винтовых дислокаций. Детальное рассмотрение природы монокристаллов можно найти у Джейла [51, Келлера [6] и Шульца [7]. Наиболее вал<ная и неожиданная особенность монокристаллов состоит в наличии практи- [c.47]

Установлено, что структурные единицы легче всего встраиваются в места выхода на поверхность дислокаций. Если это винтовые дислокации, то встраивание идет непрерывно до завершения кристаллизации, причем образуются спиральные ступени роста, часто прямоугольные и очень сложные благодаря наложению друг на друга различных дислокаций. Если кристаллизация происходит на поверхности постороннего кристалла, то энергия взаимодействия структурных единиц с подложкой зависит от структуры и состава последней. При определенных условиях наблюдается эпитаксия. Этот процесс происходит, при некотором подобии кристаллических решеток, путем ориентации плотнеупакованных слоев кристаллизующего вещества и подложки. Имеет также значение соот- [c.152]

Скорость роста идеально гладкой грани пропорциональна частоте появления на ней двумерных зародышей. Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25—50% совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при ма/гых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кинетике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дислокационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реальном кристалле и выходящие на растущую поверхность, обеспечивают наличие готовых ступенек. Частицы, адсорбировапные поверхностью, свободно по ней перемещаются и, наконец, присоединяются к имеющемуся дислокационному выступу — ступеньке. В процессе кристаллизации ступеньки не зарастают, а сохраняются в новых слоях. Поэтому вся кинетика роста определяется движением ступенек и нет необходимости в появлении новых двумерных зародышей. При таком механизме роста полностью заполненных плоскостей нет, присоединение частиц происходит по спирали. -Для образцов с достаточно ( свершенной структурой плотность дислокаций, выходящих на поверхность, достигает 10 Поэтому рост такой поверхности происходит во многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким, а шероховатым. [c.60]

ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, переход в-ва из ионизиров. состояния в р-ре или расплаве в кристаллическое в результате электрохим. р-ции. Лежит в основе всех процессов электроосаждения металлов, а также формирования слоев оксидов и труднорастворимых соед. на аиоде (напр., при образовании электролитич. защитно-декоративных покрытий, в произ-ве хпм. источников тока). Отличается от обычной кристаллизации из пара или р-ра тем, что построе-ншо кристаллич. структуры предшествует перенос заряда с электрода на ион или оба этн акта протекают одновременно. Возникновение зародышей новой фазы при Э. требует определ. пересыщения, к-рое определяется перенапряжением на электроде. Чем выше перенапряжение, тем большее число зародышей возникает в единицу времени на данной площади. Зародыши разрастаются в результате послойного роста граней. Процесс может идти с образованием двумерных зародышей илн по закону слоисто-спирального роста на винтовых дислокациях (см. Рост кристаллов). В результате линейного роста кристаллов происходит их слияние с образованием сплошного слоя электролитич. покрытия. [c.698]

Из рис. 8, на котором приведены электронно-микроскопические снимки полученного углистого вещества, следует, что угольные/ден-дриты на первый взгляд действительно представляют собой червеобразные частицы, особенно если они разломаны на куски. При более детальном просмотре частицы, при большем увеличении, можно увидеть, что она представляет собой тесно свитую спираль с небольшим шагом (рис. 8,д). Кроме неразветвленных частиц имеются частицц с боковыми отростками (рис. 8, г, е), что особенно характерно для дендритных форм кристаллизации. На вершинах некоторых частиц видны конусовидные шапки, что также характерно для дендритов, особенно растущих в форме винтовых дислокаций [126]. [c.288]

При охлаждении в контролируемых условиях значитель-, ного количества раствора кристаллизация протекала в объеме и осажденные из суспензии кристаллы имели другой вид. Из разбавленных растворов выделялись либо дендритообразные, либо, если концентрация была несколько еще более понижена или температура повышена, ромбические монокристаллы (фото 89). Последние обладали отчетливо видимыми в результате оттенения ступенями роста, свидетельствовавшими о том, что рост кристаллов протекал по механизму, определенному присутствием винтовой дислокации, как это ранее было рассмотрено для парафинов. [c.261]

Если политетрафторэтилен перед кристаллизацией нагревали до более высокой температуры, то на микрофотографиях реплик наблюдалась структура, приближающаяся к сферо-литной. Авторами описан еще ряд наблюдений, которые, однако, не находят себе надежного объяснения. Ступенчатый спиральный рост, вызванный винтовыми. дислокациями, был обнаружен на так называемом воске политетрафторэтилена, полученном в результате частичного разрушения полимера под воздействием сильного нагревания или ионизирующего облучения. И здесь авторы, как и в ранее рассмотренных работах, были удивлень постоянством высоты ступенек роста, составлявшей около 200 А. Объяснение этому факту авторы ищут в предположении, что при разрушении полимера образуются молекулы приблизительно одинаковой длины, хотя ряд данных свидетельствует об обратном. Вероятно, авторы не были знакомы с работой Келлера, так как предположение о складчатой конфигурации молекулярных цепей позволяет дать более естественное объяснение наблюдавшемуся явлению. [c.265]

Наряду с точечными дефектами в макромолекулярных кристаллах могут существовать и линейные — дислокации, которые чаще всего возникают из-за наличия в кристалле лишней полуплоскости (краевые дислокации) или из-за смещения одной части кристалла относительно другой (винтовые дислокации) (рис. 1.9). Дислокации характеризуют вектором Бюр-герса . Винтовые дислокации с вектором Бюргерса, равным молекулярной складке, возникают при росте кристалла во время кристаллизации и легко могут быть обнаружены на ЭМ снимках реплик с кристаллов. Дислокации в макромолекулярных кристаллах, имеющие вектора Бюргерса, сравнимые с периодом идентичности, можно обнаружить уже только по нарушению периодичности муаровых картин, возникающих при прохождении электронного пучка через пару наложенных друг на друга кристаллических ламелей. [c.39]

Кристаллизация полимеров с образованием шиш-кебабов в условиях, где роль растягивающего поля не так очевидна (ультразвуковой метод, кристаллизация в парах растворителя), привела к появлению различных теорий, отрицающих необходимость предварительного распрямления макромолекул в кристаллизующемся растворе. Нагасава, например, пришел к заключению, что при кристаллизации раствора в сдвиговых полях растут обычные КСЦ по механизму винтовой дислокации, а структура типа шиш-кебаб возникает лишь из-за деформации винтового кристалла под действием сдвига. Однако недавние работы [68, 71] убедительно показывают, что кристаллизация с образованием шиш-кебабов происходит в условиях молекулярной ориентации. Мэклей [71] прикреплял микроскопическую сетку ребром к поверхности внутреннего вращающегося цилиндра, перемешивающего переохлажденный раствор полимера. Он получал на ней шиш-кебабы даже при очень медленном перемешивании, при котором в отсутствии сетки не воз- [c.54]

Процессы кристаллизации на винтовых дислокациях. На винтовых дислокациях, которые обусловливаются примесями или несовершенствами структуры реального кристалла, постоянно остаются ступени роста. Представления и теорию Бартона, Кабрера и Франка осаждения и растворения или испарения кристаллов через винтовые дислокации без существенного изменения можно перенести на электрохимическое осаждение или растворение металлов, как это было сделано Бермилья я Флейшманом и Ферском [c.338]

В реальных кристаллах атомы расположены отнюдь не так идеально, как изображено на рисунке. Обычно при кристаллизации металлов одни грани решеток растут нормально, а другие пскажаются. В каком-то из узлов может не хватать атома металла или на одной из плоскостей решетки они располагаются неправильно. Тогда в структуре решетки возникают нарушения, которые называются дислокациями. Одни из вид0 в таких нарушений — винтовая дислокация — изображен на рис. 3. [c.12]

С теоретической точки зрения кристаллическая грань может расти двумя различными путями (см. статью Рейнольдса, гл. 3 этого тома). Уже Гиббс предполагал, что кристаллические грани растут слой за слоем. По Брандесу [5], новый слой начинается с двумерного центра кристаллизации, вырастающего до полного слоя при достижении определенного критического радиуса. Бартон и Кабрера [9] показали, что для такого процесса необходимо пересыщение около 50%. В действительности же кристаллы растут уже при та-ких низких пересыщениях, как 0,5%. Франк [18] указал, что выход на поверхность винтовой дислокации приводит к механизму, который не требует образования двумерных центров и позволяет кристаллам расти при значительно более низких пересыщениях. [c.354]

Согласно Фольмеру [78], Странскому и Каишеву [68], Беккеру и Дёрингу [77] теория роста кристаллов требует, чтобы каждая новая плоскость решетки растущей сингулярной поверхности начиналась с формирования зародыша в виде двумерного островка (см. раздел ,1,Д). При кристаллизации из пара такой механизм требовал бы такой степени пересыщения, которая намного больше, чем необходимо в действительности. Эго противоречие было разрешено с помощью блестящего положения Франка 23] о том, что винтовые дислокации должны приводить к образованию на сингулярной поверхности неисчезающей ступени, на которую могут непрерывно пристраиваться молекулы, формируя решетку. Идея Франка оказалась очень плодотворной при разрешении многих проблем роста кристаллов и позволила получить новые данные. Для целей настоящей работы является достаточным указать на то, что теория Франка облегчила понимание структуры растущей поверхности органического вещества. [c.384]

НОГО раствора при 75—80°. Структурные исследования показали, что оси решетки а и 6 лежат соответственно вдоль длинной и короткой диагоналей кристаллов. Молекулы, расположенные параллельно оси с, перпендикулярны граням кристалла, и, следовательно, если иметь в виду высокий молекулярный вес полимера, они должны быть сложены. При более быстрой кристаллизации развиваются дендритные формы, при этом вначале грани (ПО) принимают форму зубьев пилы, а в конце концов форму агрегатов в виде перьев, составленных из множества отдельных чешуек [33], как это показано на рис. 10в. В этих условиях может происходить заметное двой-никование, причем плоскостями двойникования являются плоскости (ПО),, (530) и, возможно, (120) [16, 66]. При еще больших скоростях кристаллизации образуются агрегаты кристаллов в виде сферолитов. Как и в случае линейных парафинов, толщина кристаллов увеличивается путем формирования на гранях (001) террас роста, возникающих - в виде спиральных выступов из изолированных винтовых дислокаций или из группы таких дислокаций. Последовательные слои этих террас имеют одинаковую толщину. Они связаны друг с другом слабо, и каждая молекула должна поэтому укладываться в пределах одного слоя, перегибаясь туда и обратно [86[. [c.431]

Большое количество опытных данных качественно подтверждает механизм винтовой дислокации. Спиралеобразные формы роста наблюдают не только при образовании кристаллов из паровой фазы [67, 70а, б], а также в случае кристаллизации из растворов [70—72] при электролизе последних [73—78] или при электролизе расплавленных солей [79] и т. д. Однако, за исключением нескольких случаев [70а, б], вместо спиралей, состоящих из одноатомных или мономолекулярных ступеней, как это представляется рассматриваемой моделью, в действительности наблюдаются гораздо более высокие ступеви (порядка 10" А). Наблюдается также, что расстояние между макро -ступенями в этих спиралях значительно больше предсказанного теоретически, что дает возможность наблюдать ступени и спирали даже при сравнительно небольшом увеличении (например, при стократном). Для объяснения столь высоких ступеней в этих спиралях было высказано предположение, что одна спираль может образоваться из множества винтовых дислокаций (или групп дислокаций), что и является причиной образования высоких ступеней [67, 72, 79]. [c.327]

Рост кристаллов по механизму винтовой дислокации, по-видимому, имеет место при образовании из паровой фазы нескольких типов кристаллических осадков, например при образовании нитеобразных кристаллов, подобных металлическим усам (см. Набар-ро и Джексон [80]). Из паровой фазы усы растут своими торцами, на каждом из которых имеется винтовая дислокация, простирающаяся параллельно окончанию уса. Усы таких металлов, как кадмий, цинк и серебро, растут на подложках из пирекса и из кварца при осаждении из паровой фазы только в том случае, если пересыщение ниже некоторой критической величины, которая может соответствовать критической величине пересыщения для двухмерного образования центров кристаллизации [81, 82]. Было найдено, что в последовательно проводимых опытах усы обычно начинают расти на одних и тех же участках субстрата (в данном случае пирекса или кварца) это позволило сделать предположение. [c.327]

Если необходимо объяснить низкое значение перенапряжения, при котором может происходить электроосажение металла, не прибегая при этом к представлению об образовании зародышей кристаллизации, которые еще не могут возникать при таких условиях (см. раздел XII, 1), обязательно следует использовать концепцию о самосохраняющнхся ступенях, возникающих на дислокациях поверхности кристалла (раздел XIII, 2). Так, на почти совершенных кристаллах, таких, как усы с низкой плотностью дислокации (идеально — с одной винтовой дислокацией на ус), электроосаждения металла (меди) не происходит, если величина приложенного перенапряжения недостаточна для образования центров кристаллизации [60]. [c.336]

МОЖНО удовлетворительно объяснить на основании вышеприведенного механизма (раздел XVI,3,3). В этом случаев отличие от уже описанного микроступени должны возникать в результате образования центров кристаллизации на верхней поверхности кубического слоя или по механизму винтовой дислокации (раздел XI 1,2). Образование складок пока еше удовлетворительно не объяснено. [c.349]

Кан [207] и его сотрудники [208] изучили зависимость скорости роста сингулярной поверхности от движущей силы. При очень высоких величинах движущей силы отпадает необходимость зарождения центров кристаллизации и происходит общее увеличение сингулярной поверхности. На основе теории диффузионных границ раздела Кана — Хиллиарда [209] была исследована переходная область между ростом при умеренном значении движущей силы (которая лимитируется образованием зародышей или винтовой дислокацией) и ростом общим фронтом при высоком значении движущей силы. [c.181]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология