Дислокация винтовая краевая

Рис. 1-1. Дислокации. а — краевая б — винтовая в — смешанная АВ — линия дислокации Ь — вектор Бюргерса.

Имеются два типа дислокаций — краевые и винтовые Краевая дислокация — нарушение ориентации слоев у края незавершенной плоскости в решетке кристалла (рис. 6.25,6), она находится на границе между той частью кристалла, где произошел [c.266]

Остальные дислокации являются краевыми. Каждая винтовая дислокация в принципе может формировать активный хол-94 [c.94]

Кроме рассмотренных точечных дефектов в кристаллах всегда имеются также дислокации — дефекты, связанные со смещением рядов атомов. Дислокации бывают краевыми и винтовыми. Первые обусловлены обрывом плоскостей, заполненных атомами (рис. 146, а) вторые — взаимным сдвигом плоскостей, соответствующим вращению одной из них вокруг перпендикулярной ей оси (рис. 146, б). Ди- [c.264]

Простейшими (предельными) видами дислокаций являются краевая и винтовая (рис. 75). [c.179]

Как ранее было установлено, лишь 15 % ростовых дислокаций в пирамиде <с> имеет винтовую компоненту и не гаснет в рефлексе 0003. Остальные дислокации являются краевыми. Каждая винтовая дислокация в принципе может формировать активный хол-94 [c.94]

Это и есть дислокация. Вектор сдвига д называется вектором Бюргерса. Если вектор Бюргерса перпендикулярен к линии дислокации, такая дислокация называется краевой (рис. 1-1, а). Если же он параллелен дислокации, дислокация называется винтовой (рис. 1-1,6). В случае винтовой дислокации атомные плоскости, перпендикулярные к линии дислокации, образуют единую непрерывную винтовую поверхность правого или левого закручивания. Ориентация вектора Бюргерса может быть и переменной вдоль дислокации, и тогда мы имеем смешанную дислокацию (рис. 1-1, в). [c.6]

Линейные дефекты, или дислокации, бывают двух типов краевые и винтовые. Краевая дислокация выражается в отсутствии половины атомного ряда, которое повторяется во все плоскостях решетки. Кристаллическая решетка искажается только в непосредственной близости к линии дислокации и остается совершенной вдали от нее. [c.541]

Соотношение (5.4) легко доказать, если провести контур, охватывающий обе дислокации. Из определения вектора Бюргерса следует, что здесь bi = = Ь-2 + bg. Угол между b и линией дислокации определяет разложение дислокации на краевую и винтовую компоненты если b X то f/l — элемент длины краевой дислокации, если b II dl, то — винтовой. [c.322]

Как видно из формул (5.13), (5.14), поля напряжений, создаваемых дислокациями, убывают обратно пропорционально расстоянию от дислокации. Поле краевой дислокации не обладает радиальной симметрией по одну сторону от плоскости скольжения имеются сжимающие, а по другую сторону — растягивающие напряжения распределение их для положительной дислокации обратно распределению для отрицательной. Поле винтовой дислокации [c.347]

IV.8. Винтовые дислокации противоположного знака. Как и в случае краевых дислокаций, винтовые дислокации могут перемещаться параллельно самим себе. По аналогии с данными раздела IV.6 можно сказать, что край разреза AD будет проникать дальше в кристалл. [c.123]

Оказалось, что подобные отклонения от идеальной структуры существенно влияют на целый ряд свойств кристаллов. За последние годы выяснилось, что для оценки механических свойств и процесса роста кристаллов особенно важны дефекты иного типа — дислокации. Различают краевые я винтовые дислокации. В случае краевых дислокаций плоскости сеток кристаллической решетки обрываются внутри кристалла. Во втором случае сетки кристаллической решетки не являются строгими плоскостями, они располагаются спиралеобразно вдоль некоторой линии наподобие винтовых лестниц. Такие винтовые дислокации допускают рост кристалла при меньших значениях пересыщения, чем это требуется при возникновении твердой фазы на поверхности совершенного кристалла. [c.151]

Существенно, что на участках, где дислокация движется в направлении скалывающего напряжения (направление показано стрелками на дислокации), дислокация остается краевой. На участках, где это движение перпендикулярно к направлению скалывающего напряжения, возникают участки винтовой дислокации. Это движение будет расширять дислокационную петлю, как это показано на рис. 86, г. [c.339]

К линейным (одномерным) дефектам кристаллической решетки относятся дислокации. Простейшими видами дислокаций являются краевые и винтовые. Если одна из атомных плоскостей обрывается внутри кристалла, то место ее обрыва образует краевую дислокацию. Винтовые дислокации плоскостей представляют собой систему, похожую на винтовую лестницу. [c.454]

К л и и е й н ы м дефектам относят различного вида дислокации, т. е. линейные нарушения кристаллической решетки, от которых зависят большинство механических характеристик кристаллических веществ. Основными видами дислокаций являются краевые (линейные) и винтовые. Дислокационные нарушения кристаллической решетки принципиально отличаются от нарушений, вводимых вакансиями. Если вблизи линии, состоящей из вакансий, находится правильно построенный кристалл, то вокруг дислокаций возникает искажение кристалла, распространяющееся на его значительный объем. Энергию этого искажения можно определить как работу упругой деформации, необходимой для образования дислокации. Энергия краевой дислокации [c.152]

Существует три типа простых дислокаций винтовая (рис. 4.23), краевая с плоскостью скольжения 100 (рис. 4.24) и 60-градусная дислокация с плоскостью скольжения 111 —вектор Бюргерса, который образует угол 60° с осью дислокации (рис. 4.25). [c.231]

Линейные (одномерные) и поверхностные (двумерные) дефекты— это дислокации (линейная, краевая, винтовая и др.), границы блоков, зерен, двойников, доменов. Они являются определяющими в процессах кристаллизации, пластической деформации, зародышеобразования и диффузии. [c.33]

Линии дислокаций не могут заканчиваться внутри кристалла и либо заканчиваются на поверхности, либо образуют замкнутый контур. Дислокации в кристалле при пересечении способны скомпенсировать друг друга. Очень часто при пересечении винтовых дислокаций образуются краевые дислокации. [c.296]

В работе [16] получена низкотемпературная асимптотика формулы (11) для винтовой, краевой и смешанной дислокаций. [c.221]

Кроме линейных в графите наблюдаются краевые и винтовые дислокации, межслоевые нарушения дислокационного характера, а также вакансии атомов, скапливающиеся в петли. Их образование связано с взаимодействием краевых и винтовых дислокаций. [c.239]

Для замыкания контура, проведенного вокруг этого перпендикуляра, понадобится вектор Бюргерса, параллельный направлению дислокации. Можно показать, что любая сложная дислокация может быть разложена на составляющие — краевые и винтовые. [c.280]

Рис. 39. Краевые (а) и винтовые (б) дислокации и плоские дефекты (в) кристалло в

Различают краевые и винтовые дислокации. Краевая дислокация возникает (рис. 39, а) за счет появления в объеме кристалла лишней атомной плоскости. Собственно под дислокацией и понимается линия искажения, проходящая вдоль края этой лишней плоскости. На рис. 39, б приведен пример винтовой дислокации. Последняя образуется за счет смещения микрочастиц в одной части кристалла по отношению к другой его части, в результате чего вокруг линии дислокации образуется винтообразная плоскость. Дислокации являются причиной пластичности кристаллов. Деформация кристалла обычно совершается за счет движения дислокации В его объеме, что требует меньших затрат энергии, чем можно было бы предположить, исходя из энергии его кристаллической решетки. [c.90]

В последнее время большой интерес вызывают дефекты, которые получили название дислокации. Дислокации могут быть краевыми и винтовыми. Рассмотрим возникновение краевой дислокации на примере кубического кристалла, в котором происходит деформация сдвига одной части кристалла относительно другой (рис. 25). В этом кристалле левый верхний атомный слой сдвинулся на одно межатомное расстояние в плоскости скольжения. Граница между той областью, где сдвиг имеет место и где его нет, называется дислокацией. Из рис. 25 видно, что дислокация простирается в плоскости скольжения перпендикулярно к направлению скольжения. Вблизи дислокации деформация наибольшая. Дислокации в кристаллах могут перемещаться. [c.90]

Различают дислокации краевые и винтовые. В первом случае (рис. IV. 15, а) одна из атомных плоскостей имеет край внутри кристалла. При деформации сдвига дислокация перемещается по решетке перпендикулярно линии дислокации. [c.193]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

Наряду с точечными в кристаллах существуют линейные дефекты, которые соответствуют смещению целых рядов атомов. Они называются дислокациями. Дислокации появляются под действием механических и термических напряжений. Существует два типа дислокаций— краевые и винтовые. Краевая дислокация представляет собой незавершенную атомную плоскость, находящуюся на границе между частью кристалла, в которой произошел сдвиг, и той, где он не произошел. Из рис. XIII.4 видно, что при этом образуется лишняя полуплоскость. Линия, вдоль которой произошел сдвиг, называется линией дислокации. [c.167]

Дислокации (линейные Д.) бывают двух видов краевые и винтовые. Краевая дислокация представляет собой край атомной плоскости, к-рая обрывается внутри кристалла, не доходя до его пов-сти. Движение дислокаций в кристаллах ответственно за процессы их пластич. деформации. Пластич. сдвиг в кристалле осуществляется не одновременным перемещением всех атомов (ионов), лежащих в данной плоскости (что потребовало бы весьма значит, напряжений), а последоват перемещением краевой дислокации от одной группы атомов к другой. В результате дислокация (граница зоны сдвига) выходит на пов-сть кристалла - происходит элементарный пластич. сдвиг вектор Ь фис. 2), длина к-рого равна величине сдвига, наз. вектором Бюргере а плоскость, проходящая через этот вектор и линию дисло- [c.30]

Бетге и Келлер [9—11] применили этот метод для изучения процессов испарения с поверхности кристаллов Na l. Поскольку испарение происходит в первую очередь с дефектных мест, то на поверхности образуются характерные фигуры термического травления. В местах выхода на по верхность краевых дислокаций наблюдаются кольцевые ступеньки, а около винтовых — спиральные (рис. 4). В этом состоит преимущество метода перед химическим травлением, которое не различает винтовые дислокации от краевых. [c.290]

Точечные а — атом крупных размеров в решетке кристалла б — атом в межузлии в — сво-бодный узел (вакансия) дислокации г — краевая д — винтовая [c.19]

Точно описать дислокацию можно при полющи так называемого контура Бюргерса, обходя линию дислокации в плоскости, которая расположена перпендькуляр-ио к этой линии. Таким путем можно или вернуться в исходную точку, или отклониться от нее на величину, которая соответствует вектору Бюргерса. На рис. 10.9 и рис. 10.10 изображена циркуляция (контур) Бюргерса для краевой и винтовой дислокации. Краевая дислокация обозначается символом Л . Вертикальная черта символизирует вдвинутую атомную плоскость (с одной стороны плоскости дислокации решетка состоит из п- -1 атомных рядов, которым противостоят п атомных рядов). Горизонтальная черта условно показывает плоскость сдвига. В случае краевой дислокации обход по контуру Бюргерса приводит к возвращению в исходную точку, лежащую в той же плоскости. Вектор Бюргерса проходит в этом случае перпендикулярно к направлению дислокации (определение краевой дислокации). [c.221]

Под влиянием внешних воздействий сдвиг одной тасти кристалла по отношению к другой мол-сет деформировать кристалл таким образом, что его можно представить состоящим из атомных плоскостей, закрученных в виде винтовой лестницы (рис. 4.17). Границу зоны сдвига называют винтовой дислокацией она характеризуется тем, что параллельна вектору сдвига (рис. 4.18). На рис. 4.19 схематически показано расположение атомов в двух атомных плоскостях, расположенных выше и ниже плоскости скольжения. В отличие от краевой дислокации, винтовая дислокация может образовываться при сдвиге по любой атомной плоскости, т. е. она не определяет однозначно плоскость скольжения. [c.224]

V — объем винт — винтовая дислокация ясраев. — краевая дислокация пара —парная вакансия [c.6]

Этому вопросу посвящено несколько недавно вышед-щих работ Рида [23], Коттрелла [24] и Фриделя [25]. Два основные вида дислокации — дислокация угловая (краевая), или Тейлора — Орована [26, 27] и дислокация винтовая, или иначе называемая [c.34]

Дислокации. Одномерные дефекты (дислокации) играют исключительную роль в химических превращениях с участием твердофазных реагентов и продуктов, так как реакции проходят на активных участках поверхности, на которых имеются выходы дислокаций, являющиеся часто центрами образования зародышей новой фазы или нового слоя при росте кристалла (см. подразд. 5.5 и 5.6). Известны два основных типа дислокаций — краевые и винтовые. Краевая дислокация (рис. 3.15) представляет собой лишнюю атомную полуплоскость (так называемую экстраплоскость), т. е. плоскость, которая проходит не через весь кристалл, а только через его часть. Для характеристики дислокаций обычно используют так называемое построение Бюргерса, заключающееся в об- [c.146]

Существует два главных типа дислокаций — краевые и винтовые. Краевая дислокация (в моноатомных кристаллах) представляет собой линию атомов (или ионов), каждый из которых образует на единицу меньше координационных связей с со-седним и атомами, чем должно быть в идеальном кристалле (рис. 10.3). Иначе краевую дислокацию можно представить себе как искажение кристаллической структуры, вызванное лишней атомной плоскостью, вдвинутой в часть объема кристалла. В ионных кристаллах нужно вдвинуть две полуплоскости одну для анионной и другую для катионной решетки. Под нагрузкой [c.295]

В случае, когда направление осей молекул внутри обр<13ца непрерывно меняется, происходит их закручивание вокруг осей, перпендикулярных продольным осям молекул. Такие явления наблюдаются у модификации нематической фазы — холестерической. Эта структура сходна с отдельными фрагментами микроструктуры игольчатого кокса из мезофазы (рис. 2-3). Возникающие в мезофазе дефекты образуют краевые и винтовые дислокации и особенно дисклинации - структурные неоднородности, связанные с изменениями в расположении молекул относительно главной оси по мере удаления от поверхности мезофазы (рис. 2-4, ). [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология