Дефекты плотность

Оценка фазового состояния компонентов в смеси ПЭНД и полиоксиметилена, проведенная на основании измерений плотности системы при 20 °С и теплоемкости в интервале температур 30—130 °С, показала [431], что при малых (до 3%) содержаниях каждого полимера в смеси на термограммах наблюдается лишь эндотермический пик, соответствующий плавлению основного компонента, в то время как при сравнимых количествах (1 1) обоих полимеров отмечаются два пика плавления, температуры которых соответствуют температурам плавления исходных компонентов. Этот результат подтверждает термодинамическую несовместимость ПЭ и ПОМ. На рис. V. 15 приведены графики зависимости плотности и теплот плавления в расчете на чистый компонент в зависимости от состава смеси. Из приведенного рисунка видно, что указанные зависимости немонотонны. В области малых (0,5—3%) содержаний ПОМ плотность смеси существенно превышает значение, соответствующее правилу аддитивности теплота плавления ПЭ (т. е. степень кристалличности) также превышает соответствующее значение для исходного образца. Принимая во внимание, что температура максимальной скорости кристаллизации ПОМ лежит выше температуры плавления ПЭ (по нашим данным, около 150°С), положительный инкремент плотности смесей в указанном диапазоне концентраций ПОМ можно объяснить возрастанием степени кристалличности ПЭ в результате зародышеобразующего действия дисперсных частичек ПОМ. При дальнейшем увеличении содержания ПОМ плотность смесей оказывается меньшей аддитивного значения, вплоть до содержания ПОМ 99,5%- Этот результат можно было бы объяснить резким уменьшением степени кристалличности ПОМ, кристаллизация которого протекает в присутствии расплавленного ПЭ, однако значения плотности, рассчитанные, исходя из экспериментально измеренных значений степени кристалличности и табулированных значений плотности обоих компонентов, в диапазоне концентраций ПОМ 97—99,5% оказались меньшими экспериментальных. Отсюда следует, что дефект плотности [c.219]

Гайки на болты, шпильки и винты должны навертываться от руки без заеданий и заметной слабины. Плоскости торцов шляпки болта и гайки, прилегающие к детали, должны быть строго перпендикулярны оси болта, а плоскости шайб, закладываемых под шляпку и гайку,— параллельны на сопрягаемых поверхностях болтов и гаек не допускаются задиры, шероховатости и другие дефекты. Плотность прилегания плоскостей гаек и шляпок болтов к деталям проверяют щупом. Пластины щупа толщиной 0,03 мм не должны проходить в любом месте окружности. После затягивания гайки конец стержня болта должен выходить из гайки не менее чем на два шага резьбы. [c.267]

Магнитный метод основан на изменении магнитного поля над дефектом. Силовые линии в намагниченной детали, встречая трещину в металле,, огибают дефект как препятствие, имеющее малую магнитную проницаемость, в результате чего в месте дефекта плотность магнитного поля возрастает. В качестве индикатора используют мелкие ферромагнитные частицы. Магнитный порошок изготовляют из сухого мелкоразмолотого железного сурика или из чистой железной окалины. Окалину измельчают и просеивают. Для получения 1 дм водной суспензии разводят 15—20 г хозяйственного мыла в небольшом количестве теплой воды, добавляют 50—60 г магнитного порошка и смесь тщательно растирают, доливая горячую воду да 1 дм . Необходимым условием для выявления дефекта является перпендикулярное расположение дефекта к направлению магнитного поля, поэтому деталь проверяют в двух взаимно перпендикулярных направлениях. После снятия магнитного поля магнитный поро-щок стряхивают. [c.187]

К оценке дефекта плотности в субмикроскопических неоднородностях [c.297]

Все физические свойства твердых тел можно разделить на структурно-чувствительные и структурно-нечувствительные [27, с. 6]. К первой группе относятся свойства, зависящие от наличия различных дефектов и искажений в кристаллической решетке, а ко второй — свойства, на которые указанные дефекты почти не влияют. К структурно-чувствительным свойствам относятся, например, электропроводность, тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость, предел текучести и т. д. Практически не чувствительны к структурным дефектам плотность, растворимость и ряд других характеристик. [c.112]

РАДИОГРАФИЯ (от лат. radio-изл) чаю и греч. grapho-пишу), неразрушающий метод контроля сплошности твердых тел, основанный на просвечивании объекта ионизирующим (ииогда и нейтронным) излучением и регистрации фотографич. методом прошедшего через объект излучения. Источником ионизирующего излучения в Р. обычно служат радионуклиды, испускающие у-кванты ( s, Ir, Со, " Se, Tm и др.), реже-испускающие Р -частицы ( Рг, 204-[- 90gj. 90у д др g качестве детектора прошедшего излучения используют рентгенографич. пленки, в т. ч. цветные, спец. ядерные фотоматериалы. Прошедшее через исследуемый объект излучение вызывает почернение фотоэмульсии, причем оптич. плотность изображения при прочих равных условиях будет тем выше, чем тоньше поглощающий слой. Поэтому против тех участков твердого тела, где имеются пустоты, газовые включения или др. подобные дефекты, плотность почернения выше, чем против участков, где дефектов нет. [c.167]

По характеру взаимодействия с контролируемым объектом основным способом радиационного (рентгеновского и гамма) контроля является метод прохождения, Он основан на разном поглощении излучения материалом изделия и дефектом. Таким образом, информативным параметром здесь является плотность потока излучения в местах утонений и дефектов плотность прошедшего потока возрастает. Чем больше толщина изделия, тем более высокочастотное (более жесткое) излучение применяют для контроля рентгеновское, гамма (от распада ядер атомов), жесткое тормозное (от ускорителя электронов бетатрона, микротрона, линейного ускорителя). Предельное значение толщины стали, контролируемое с помощью излучения последнего типа,— около 600 мм. Приемником излучения служит, например, рентгенопленка (радиографический метод), сканирующий сцинтилляционный счетчик частиц и фотонов (радиометрический метод), флуоресцирующий экран с последующим преобразованием изображения в телевизионное (радиоскопи-ческий метод) и т. д. [c.16]

Возможны два типа дисперсии на более высоком кристаллит-ном уровне. Первый — распределение одного компонента в другом на микроуровне в виде отдельных кристаллитов, находящихся в областях матрицы со значительным дефектом плотности второй — макрораспределение одного из компонентов как дисперсной фазы, причем большая вероятность второго типа распределения будет при значительных концентрациях диспергируемого компонента ив случае плохого предварительного смешения. Однако в обоих случаях следует ожидать появления еще одного типа распределения полимерных макромолекул, которое характерно для переходной области. Следует отметить, что при распределении диспергируемого компонента на уровне кристаллитов, вероятно, фазовые границы будут мало отличаться от существующих в чистом полимере, которые обусловлены наличием аморфной и кристаллической фаз. [c.220]

Можно ли в рамках данной модели объяснить ряд свойств ориентированных полимеров Прежде всего оценим, какой дефект плотности будут иметь аморфные области по сравнению с кристаллитами. Обработка результатов работы [84] показала, что число дефектов 2G1 в аморфных прослойках составляет 0,15-1Q22 у ПЭ с Я, = 10, для которого большой период - 200А, а значение аморфной области 40А. Считая избыточный объем, возникающий при наличии дефектов типа 2G1, равным 60 Дз [154], получаем, что дефект плотности из-за наличия большого числа конформеров 2G составляет 30—35%. Отметим, что эта цифра наверняка завышена, так как в интенсивность полосы 1370 см-, соответствующей конформерам GTG, могли внести вклад дефекты, расположенные в межфибриллярных промежутках и кристаллитах. [c.156]

В дефектном кристалле в 8о могут давать вклад упругие поля других дефектов, плотность которых может меняться от кристалла к кристаллу. Действительно, если разброс экспериментальных значений М обычно не превышает погрешность эксперимента, то для 5о этОт разброс в некоторых случаях существенно превыциет ожидаемую погрешность эксперимента. В [209] проводились измерения 5о в кристаллах, заведомо сильно отличающихся друг от друга по исходной плотности полных дислокаций Л п-В качестве примера приведем результаты измерений для двух кристаллов — с минимальной и максимальной плотностями.В первом кристалле Л п 10 см , = 0,29 кгс/см во втором Л 10 см , 5о = = 1,1 кгс/см . Внутренние напряжения от полных дислокаций, равномерно распределенных по кристаллу, должны давать добавку в эффективную силу трения АЗ которая совпадает по порядку величины с экспериментально измеряемым увеличением 5"о в дефектных кристаллах. [c.101]

Технический осмотр катодной установки заключается во онещнем осмотре всех элементов катодной установии, с целью обнаружения внещних дефектов (плотность контактов схемы, целостность монтажа, отсутствие механических повреждений [c.709]

После притирки клапанов и устранения видимых дефектов плотность прилегания пластин к седлам проверяют с помощью керосина. При. наливе на поверхность клапана керосич не должен проникать на противо1положную его сторону. После указанных операций все детали тщательно моют сначала в керосине или в содовом растворе, а затем в теплой воде и после этого сущат. [c.312]

Оценка свойств волокон и нитей производится в лабораториях на заводах-производителях волокна. К стандартным видам испытаний относятся для нитей —определение толщины, крутки, прочности и удлинения, влажности, внутрипаковочных дефектов, плотности намотки, равномерности накрашивания, содер-лсания замасливателя, усадки для волокон — определение тол- [c.12]

В настоящее время установлене [1—3], что зародышеобразовани-протекает избирательно на электри чески активных точечных дефектах. Плотность декорирующих частиц на поверхности диэлектрических и полупроводниковых кристаллов (в данной статье изложены результаты исследований преимущественно неметаллических кристаллов)составляет, как правило, 10 —5-10 Исм , что отражает плотность наиболее активных точечных дефектов. Новым экспериментальным фактом явилось обнаружение сложных активных центров, выявляющихся на электронномикроскопических снимках как группировки из нескольких декорирующих частиц [3—6] (рис. 1). Эти группировки в большинстве случаев [c.197]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология