Глубина выхода фотоэлектронов

Глубина выхода фотоэлектронов [c.146]

При малых энергиях связи электронов, т. е. больших кинетических энергиях (валентные оболочки), фотоэлектроны могут преодолевать толщину до 10 нм, а при энергиях связи порядка сотен и 1000 эВ глубина выхода фотоэлектронов не превышает обычно [c.147]

Как определяется глубина выхода фотоэлектронов [c.166]

При оценке длины свободного пробега Я, фотоэлектрона (глубины выхода) на практике обычно предполагают, хотя это и не совсем строго, экспоненциальную зависимость интенсивности I=f(X). Величину л экспериментально оценивают тогда по ослаблению интенсивности сигнала подложки при напылении на нее пленки известной толщины [c.146]

Глубина выхода Я, зависит, конечно, от характера образца (плотности и упаковки), энергии связи электронов, а значит, и Ект, угла эмиссии фотоэлектронов. При фиксированных углах Я является приближенной функцией кин(Х.л кин" ). [c.147]

Так как для аналитических целей важны только электроны, не претерпевшие каких-либо энергетических потерь, аналитический сигнал формируется электронами, выходящими из очень тонких поверхностных слоев. Глубина выхода (без потерь) фотоэлектронов определяется их средней длиной свободного пробега. Эта величина находится в пределах от 0,5 до 10 нм и зависит от кинетической энергии электронов. Обычно глубина выхода в РФЭС составляет величину порядка 1 нм (приблизительно 5 атомных слоев). Средняя длина свободного пробега является статистической величиной, обозначающей расстояние, проходимое электронами в твердом теле, до момента потери энергии 1/е ( 35%) частью электронов в результате столкновения с атомами вещества. [c.317]

Функция выхода фотоэлектронов в твердом теле имеет экспоненциальный характер где а — координата по глубине. В случае, если х = , для [c.317]

ИХ независимыми от состава. Этот вывод иллюстрирует рис. 5, на котором представлена зависимость глубины выхода оже-электронов от энергии электрона для некоторых элементов [49]. В фотоэлектронной спектроскопии аналогичный вывод следует из данных Вагнера [50]. Логично поэтому считать, что гфр) зависит только от I и от энергии первичного возбуждения Ер, а д (Ео) —только от I и от энергии оже-электронов Ео. Параметр аю Ер) включает сечение ионизации внутреннего уровня в оже-процессе и вероятность перехода для последующего испускания. По существу, ою(Ер) зависит от определенного оже-процесса, происходящего с определенным типом атома, [c.418]

Одной из основных характеристик фотоэмиссии является также квантовый выход, т. е. отношение числа эмиттированных электронов к числу поглощенных квантов света. Абсолютное значение квантового выхода при эмиссии из растворов определяется концентрацией эмиттера в данном растворе, природой растворителя и энергией кванта света. Сравнительно невысокие (10 —10 ) значения квантового выхода в максимуме спектральной зависимости / — Йо) для растворов щелочных металлов в гексаметилфосфортриамиде [247] связаны с тем, что область формирования фотоэлектронов, способных преодолеть границу раздела, значительно меньше толщины раствора, в которой происходит поглощение света. Численное значение составляет, согласно оценке [154], приблизительно 40 А, тогда как в большинстве растворов поглощение света происходит на глубине порядка 1 мм- [c.158]

Другой эффект, который обычно проявляется у органических сцинтилляторов различных типов, получил название эффекта поверхностного тушения. Обнаружено, что выход сцинтилляций по отношению к частицам с коротким пробегом, которые падают на поверхность сцинтиллятора и проникают в глубину только на несколько микронов, меньше, чем выход по отношению к таким же частицам с той же энергией, но полученным внутри сцинтиллятора, например фотоэлектронам, появляющимся под действием падающих рентгеновских лучей. Этот эффект показывает, что поверхность сцинтиллятора имеет меньшую эффективность по отношению к сцинтилляциям, чем масса вещества. [c.155]

Поскольку фотоэлектроны, освободившиеся в околоповерхностном слое, принадлежат после выхода в зону проводимости уже всему кристаллу, то это и является причиной образования скрытого изображения не только в наружном слое, но и в глубинных дефектах эмульсионных зерен. [c.323]

Универсальная эмпирическая зависимость СДСП электрона от его кинетической энергии приведена на рис. 11.34. До 99% фотоэлектронов выходит из поверхностного слоя толщиной ЗЛ. Для (фазреженных матриц (например, полимерных материалов) глубина отбора аналитической информации составляет 5—10 нм, а для плотных матриц (например, металлов) — 2—3 нм. Столь малая глубина отбора аналитической ин- [c.260]

Как пояснялось в 2, фотоэлектронная спектроскопия — это метод изучения валентных уровней и полос газов и, отчасти, твердых тел. Основная область применения рентгеноэлектронной спектроскопии — это изучение внутренних электронных уровней твердых тел и, отчасти, газов [53, 54]. Наряду с внутренними уровнями изучаются также и валентные. В связи с большей кинетической энергией фотоэлектронов увеличивается глубина их выхода из твердого тела по сравнению с фотоэлектронными спектрами — это несколько-уменьшает требования к отсутствию поверхностных загрязнений. Однако очистка шоверхпости при изучении валентных полос в твердом теле остается одной из трудных задач при проведении рентгеноэлектронного эксперимента. Очистка по-верхшости образца может быть достигнута в результате обработки поверхности ионами благородных газов в процессе электрического разряда. Однако в этом случае есть опасность восстановления образца или образования аморфной пленки на его поверхности. Для получения незагрязненных поверхностей используют также скол монокристалла в условиях вакуума, размельчение в атмосфере инертного газа- [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология