Процессы перемагничивания

Так как реальные пленки обладают одноосной анизотропией, у них в отличие от обычных массивных образцов петля гистерезиса (см. гл. VI) в легком направлении имеет высокую прямолинейность, что обусловливает два стабильных остаточных состояния. Эти состояния можно использовать для записи О и 1 в двоичной системе, иначе говоря, пленки можно, применять как элементы памяти. Петля гистерезиса пленок в трудном направлении в большинстве случаев имеет вид прямой линии, наклон которой равен PJH , где — намагниченность, а Н/, — поле анизотропии пленки. При квазистатическом перемагничивании изменение намагниченности в легком и трудном направлениях обусловлено двумя различными процессами. Перемагничивание в легком направлении происходит путем движения доменных стенок, а в трудном направлении — в основном путем когерентного вращения намагниченности. [c.500]

Один из основных механизмов процесса намагничивания и перемагничивания заключается в смещении доменных границ между областями спонтанного намагничивания. Для того чтобы произошло смещение границ, необходимо преодолеть некоторый энергетический уровень, связанный с тем, что при таком процессе перемагничивания увеличивается энергия граничного слоя между доменами. При изменении намагничивающего поля доменные границы смещаются скачками. При обычном определении точек кривой намагничивания получают плавную кривую из-за малости этих скачков намагниченности. [c.367]

Это объясняется тем, что процесс перемагничивания ограничивается только объемом, заключенным в пределах глубины проникновения. [c.81]

Измерители магнитных шумов. При намагничивании и перемагничивании ферромагнетиков наряду с плавным (обратимым) процессами изменения магнитного состояния материала значительную роль играют процессы скачкообразного изменения намагниченности ферромагнетиков. Это явление было открыто в 1919 году Баркгаузеном и носит его имя. [c.169]

Магнитный вид неразрушающего контроля основан на анализе взаимодействия магнитного поля с контролируемым объектом. Его, как правило, применяют для контроля объектов из ферромагнитных материалов. По характеру взаимодействия физического поля с объектом этот вид контроля не дифференцируют во всех случаях используют намагничивание объекта и измеряют параметры, используемые при контроле магнитными методами. Процесс намагничивания и перемагничивания ферромагнитного материала сопровождается гистерезисными явлениями (рис. 1.1). Свойства, которые требуется контролировать (химический состав, структура, наличие несплошностей и др.), обычно связаны с параметрами процесса намагничивания и петлей гистерезиса. [c.9]

Кроме указанных видов АЭ существует магнитная акустическая эмиссия МАЭ) - излучение упругих колебаний при перемагничивании материала объекта. Каждое из этих и подобных явлений может быть использовано для исследования механизма различных физических и химических процессов. [c.301]

Петли гистерезиса бывают самыми разнообразными по форме. Одним из факторов, влияющих на форму петли, является размер частиц образца, причем увеличение их размера приводит, как правило, к тому, что материал становится более мягким, т. е. уменьшается поле, необходимое для его перемагничивания (рис. 4.22. и 4.23). Объясняется это тем, что основным процессом при намагничивании очень мелких однодоменных частиц является поворот магнитного момента частицы в сторону поля (рис. 4.24, А), в то время как намагничивание крупных частиц осуществляется путем смещения доменных стенок, происходящего при меньших полях, чем поворот моментов (рис. 4.24, Б). Частицы среднего размера обычно бывают разделены на области-домены с разным направлением намагниченности, что уменьшает энергию магнитного поля, создаваемого магнитным моментом частицы. [c.199]

При небольших упругих растягивающих деформациях 90° соседства между доменами заменяются 180° (по аналогии с рисунком 2.2.1, д — г, где домены А, В, С, О вытесняются доменами Р, Н, К, М), поэтому в кристаллитах будет форшфоваться текстура, при которой векторы намагниченности будут направлены вдоль осей легкого намагничивания, ближайших к направлению действия растяжения, так как в данном случае знаки 00 и По совпадают. Сформированная вдоль оси образца текстура, сопровождающаяся увеличением площади 180° доменных границ (см. рисунок 2.2.1, в, г — для плоскости (100)), облегчает процессы перемагничивания. Но, как уже отмечалось, для стали Ящ <0, поэтому под действием достаточно болыш растягивающих напряжений (То > 60 МПа будет наблюдаться отклонение векторов намагниченности от тетрагональных направлений кристаллитов на плоскость, перпещхикулярную оси растяжения, при этом меняет знак продольная магнитострикция. [c.64]

Процесс перемагничивания характеризуется кривыми циклического перемапшчивания и основной (коммутационной) 1фивой намагничивания, проходящей через вершины симметричных частных петель перемагничивания ферромагнетика в магнитном поле переменной напряженности. [c.10]

При применении уравнения Ландау—Лифщица к процессам импульсного перемагничивания тонких пленок оказывается, что с ростом параметра затухания а время полной переориентации намагниченности убывает. Для того чтобы избежать этого противоречия, Гильберт (1955 г.) предложил уравнение движения для намагниченности [c.382]

В твердых телах адиабатический перенос поляризации между спинами двух сортов осуществим посредством адиабатического размагничивания и перемагничивания во вращающейся системе координат [4.145, 4.146]. По аналогии с начальным шагом в кросс-поляризации по Хартманну — Хану /-намагниченность сначала захватывается в силу эффекта спин-локинга вдоль РЧ-поля. Затем амплитуда РЧ-поля адиабатически медленно уменьшается до нуля, так что система постоянно находится около положения равновесия. Во время этого процесса теплоемкость С/ВЬ зеемановского взаимодействия уменьшается до нуля, а теплоемкость дипольного резервуара (С/ + Ся)В[ остается постоянной (Вь — эффективное локальное поле). Поэтому полная спиновая энтропия передается дипольному порядку. На последнем этапе амплитуда РЧ-поля, приложенного к [c.237]

Размер зерен определяет механизм их перемагничивания. Если он превышает 5 мкм, то зерна состоят из множества доменов и перемагничивание осуществляется путем смещения доменных границ. Такой способ перемагничивания обусловливает низкие значения остаточной индукции, максимальной магнитной энергии и коэрцитивной силы. Последняя составляет примерно (2,44,0) 10" А/м. Зерна размером 1—3 мкм обладают, по-видимому, переходной доменной структурой и перемагничи-ваются главным образом путем зарождения и роста зародышей обратной намагниченности. Улучшение магнитных параметров в этом случае связано с затруднением процесса образования зародышей обратной намагниченности и замедлением собственно процесса роста из-за смещения доменных границ упомянутых зародышей. Наиболее эффективная задержка таких границ происходит на различных дефектах микроструктуры (немагнитные включения, поры и т. д.), размеры которых соизмеримы с толщиной границы. Такой механизм перемагничивания определяет значения вНс (20 24) 10 А/м, ВН) акс — (2,4 2,8) X X 10- Т-А/м п Вг = 0,38 0,40 Т. [c.111]

В процессе нагрева заготовки изменяются значения тока и сопротивления. Изменение активного сопротивления происходит вледствие увеличения с температурой удельного электрического сопротивления, явления поверхностного эффекта и потерь на перемагничивание. 100 [c.100]

Сборка комнаты, экранированной листами электротехнической стали, производится в последовательности, обеспечивающей максимальную простоту конструкции и легкий доступ ко всем поверхностям для проведения локального перемагничивания. Удобнее всего, конечно, когда листы не прилегают к стенам комнаты, так что затруднен доступ только к наружной поверхности пола. Но при отсутствии свободного места можно располагать экран и вплотную к стенам и потолку, при этом всю необходимую обработку материала следует проводить до того, как он будет закрыт последующими конструкциями. По возможности нужно стараться все же оставлять пространство между поверхностями экрана и комнаты, достаточное для работы с размагничивающей катущкой, поскольку это часто бывает необходимо и в процессе возведения экрана, и при тех или иных изменениях внешнего поля, возникающих, например, при перемещениях лабораторного оборудования и изменениях конфигурации арматуры. [c.283]

Предположение о клеточном механизме релаксации стимулировало проведение магнитометрических экспериментов с клеточными препаратами, которые получались промьшанием у хомяков легких после ингаляции магнетита с последующим центрифугованием и выделением макрофагов [189—191]. В работе [191] исходное намагничивание препарата производилось коротким импульсом поля (0,1 Тл, 10 мкс), с тем чтобы происходило только перемагничивание частицы без ее поворота как целого. Движение частицы в клетке при перемагничивании могло бы исказить внутриклеточную структуру ( скелет ), ответственную за последующую разориентацию магнитных моментов. Проведенные эксперименты действительно продемонстрировали основную роль внутриклеточных механизмов в процессе релаксации. Исследование этого типа магнитной релаксации дает новый метод изучения процессов внутри клетки. [c.110]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология