Дифракция и рассеяние

Изучение химической структуры угля насчитывает более чем вековую историю и тем не менее многие представления еще являются дискуссионными. Оно осуществлялось двумя основными путями 1) расчленением ОМУ на фрагменты малой молекулярной массы, доступные для идентификации их строения химическими методами и 2) изучением структуры самой ОМУ химическими и главным образом физическими методами ИК-сиектроскопией, дифракцией и рассеянием рентгеновских лучей, а в последнее время и ЯМР-спектроскопией. [c.85]

Рассмотрим кратко механизм взаимодействия света с веществом. Под влиянием переменного электрического поля распространяющейся в веществе световой волны электроны совершают вынужденные колебания при этом каждый электрон можно рассматривать как осциллятор, частота которого равна частоте падающего света. Каждый такой осциллятор служит источником вторичных световых волн, взаимодействие которых обусловливает дифракцию и рассеяние света. Если рассеянный свет имеет ту же длину волны, что и падающий, то такое рассеяние называется релеевским. Если же в результате взаимодействия света с молекулами, находящимися в колебательном или вращательном состоянии, происходит изменение длины волны света при рассеянии, то такое рассеяние называется комбинационным. Комбинационное рассеяние на несколько порядков слабее реле-евского и в настоящей книге рассматриваться не будет, [c.147]

Атомное строение кристалла определяется по дифракции и рассеянию рентгеновских лучей, электронов и нейтронов. Развитие структурного анализа кристаллов началось со знаменитого опыта М. Лауэ (1912 г.), показавшего, что пучок рентгеновских лучей, проходя через кристалл, испытывает дифракцию, причем симметрия распределения дифракционных максимумов [c.131]

Имеются в виду аберрации, дифракция и рассеяние в фотослое. Прим. ред. [c.12]

Фактически в рассказе о поляризаторах мы упомянули двойное лучепреломление — различное преломление лучей в кристалле с оптической осью, зависящее от поляризации света. Двойное лучепреломление наряду с поперечной поляризацией, просто преломлением, отражением, интерференцией, дифракцией и рассеянием входит в число семи важнейших свойств света. [c.41]

Рентгеновский структурный анализ компонентов битума заключается в исследовании его атомной структуры путем изучения дифракции и рассеяния рентгеновских лучей. При помощи рентгеноскопии установлено, что битумы, хорощо зарекомендовавщие себя при практическом использовании, имеют небольщой угол рассеивания и что между содержанием серы и углом рассеивания имеется взаимосвязь с возрастанием содержания серы в битуме частицы дисперсной фазы битума укрупняются, угол рассеивания уменьшается. [c.26]

Дифрагированное от кристалла излучение попадает в детектор, преобразующий кванты рентгеновского излучения в электрические импульсы, амплитуда которых пропорциональна энергии квантов. После усиления и амплитудной селекции, позволяющей исключить компоненты фона, обусловленные высшими порядками дифракции и рассеянием постороннего излучения, импульсы поступают в пересчетное устройство, регистрирующее их количество за время экспозиции. Количество зарегистрированных импульсов может быть выведено на табло, цифропечать или передано в ЭВМ для последующей обработки и расчета концентраций определяемых элементов. [c.11]

СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ - анализ структуры материала и его дефектов. Для исследования атомно-кристаллической структуры исполт,зуют дифракцию и рассеяние рентгеновских лучей (см. Рентгеноструктурный анализ), электронов (см. Электронографический анализ) и нейтронов (см. Нейтронографический анализ). Получили распространение методы анализа с использованием ориентационных эффектов при рассеянии тяжелых заряженных частиц (см. Ме-тодом ориентационных аффектов анализ), а также автоионный микроскопический анализ, в к-ром используют ионизацию атомов (или моле-ку.т) газа в неоднородном электр. поле у поверхности образца. При рассеянии потоков излучений атомами, находящимися в узлах идеальной кристаллической решетки, возникают резкие максимумы и диффузный фон вследствие комптоновского рассеяния. По положению и интенсивности максимумов определяют тип кристаллической решетки, размеры элементарной ячейки и расположение атомов в ней. Нарушения идеальности кристалла, напр, колебания атомов, наличие атомов различных хим. элементов, дислокаций, частиц новой фазы и др., изменяют положение, форму и интенсивность максимумов и вызывают дополнительное диффузное рассеяние, что дает возможность получать информацию об этих нару-шеннях. Дифракционными методалш изучают также строение веществ (напр., аморфных), пе обладающих строгой трехмерной периодичностью. Теории дифракции всех излучений имеют много общего, в то же время в них есть особенности, обусловли- [c.470]

В приборе (рис. 4.9) применен двойной монохроматор, состоящий из предварительного призменного монохроматора (для устранения высших порядков дифракции и рассеянного излучения) и ос Ювного дифракциопного монохроматора. [c.153]

Характерная особенность температурной зависимости квадрупольного расщепления в РеСЬ была объяснена путем дополнения к гамильтониану электрического сверхтонкого взаимодействия обменного члена, который описывает спин-упорядочивающие взаимодействия. Параметры, входящие в гамильтониан, получены из анализа температурной зависимости экспериментальных мессбауэровских спектров. Схема уровней энергии для иона Ре в РеС1г, вычисленная на основе этого гамильтониана, согласуется с магнитными данными и данными по дифракции и рассеянию нейтронов. [c.195]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология