Интенсивность дифракции рассеяния

При прохождении любого электромагнитного излучения, в том числе и рентгеновского, через вещество происходит частичное рассеивание излучения. Под действием периодически изменяющегося электрического поля электроны вещества начинают колебаться с частотой, равной частоте падающего излучения.Колеблющиеся электрические заряды становятся источниками вторичного электромагнитного излучения гой же частоты, которое распространяется во всех направлениях и наблюдается как рассеянное излучение. Пучок рассеянного излучения, выбранный в некотором направлении, складывается из волн, рассеянных в этом направлении. Однако в подавляющем большинстве направлений эти волны на фронте рассеянной волны не совпадают по фазе и частично или полностью гасят друг друга, и заметного рассеяния не происходит. Однако при прохождении пучка через периодическую структуру — кристалл в некоторых определенных направлениях рассеянные волны совпадают по фазе и, усиливая друг друга, дают интенсивный пучок рассеянного излучения. Возникновение интенсивного рассеяния рентгеновского излучения по неко-торы.м дискретным направлениям в результате взаимодействия их с периодическими структурами называется дифракцией рентгеновского излучения. [c.160]

НИИ, складывается из волн, рассеянных в этом направлении. Однако в подавляющем большинстве направлений эти волны на фронте рассеянной волны не совпадают по фазе и частично или полностью гасят друг друга, поэтому заметного рассеяния не происходит. Однако при прохождении пучка через периодическую структуру (кристалл) в некоторых определенных направлениях рассеянные волны совпадают по фазе и, усиливая друг друга, дают интенсивный пучок рассеянного излучения. Интенсивное рассеяние рентгеновского излучения по некоторым дискретным направлениям в ре зультате взаимодействия с периодическими структурами называется дифракцией рентгеновского излучения. [c.182]

Сильное рассеяние электронов, проходящих через образец, приводит к тому, что интенсивность дифракции в 10 —10 раз выше интенсивности, достигаемой в аналогичных условиях при использовании рентгеновского излучения. [c.138]

Искажения кристаллической решетки, вызванные когерентными выделениями новой фазы, приводят к диффузному рассеянию рентгеновских лучей и электронов, распределенному в непосредственной близости от узлов обратной решетки. Теоретические результаты, полученные в предыдущих параграфах, позволяют получить простые выражения для распределения интенсивностей диффузного рассеяния на картинах дифракции, справедливые в рамках кинематического приближения. Первые результаты такого рода были опубликованы в работе Хуанга [181]. В ней рассматривалось диффузное рассеяние, обусловленное точечным дефектом — дилатационным центром в упруго-изотропной среде. Более общие результаты были получены в [182], где учитывалась упругая анизотропия среды, и в [183, 184], где принималась во внимание произвольная геометрия перестройки кристаллической решетки при фазовом превращении и конечные размеры включений. [c.241]

Для предельно разбавленных растворов интенсивность света, рассеянного под углом 6, отнесенная к интенсивности света, рассеянного без учета дифракции под тем же углом, будет определяться, как известно из теории дифракции, суммой [c.158]

Степень кристалличности можно измерить непосредственно по рентгенограмме полимера. На первый взгляд кажется, что рентгенограмма такого довольно кристаллического полимера, как растянутый каучук или найлон, содержит только интенсивные резкие максимумы, соответствующие кристаллическим областям. В действительности же по всей пленке распределено почернение, вызываемое дифракцией от аморфных областей. Для того чтобы установить степень кристалличности, нужно определить количественное соотношение между рассеянием от кристаллических областей и рассеянием от аморфных областей. Этот метод оказывается наиболее простым тогда, когда рассеяние от аморфных областей проявляется в виде хорошо различимой широкой полосы, налагающейся на резкую рентгенограмму, которая соответствует кристаллической области. В принципе, однако, общую интенсивность фонового рассеяния от аморфных областей можно измерить и в том случае, если оно не проявляется в виде отчетливой полосы. На рис. 46 изображена рентгенограмма, являющаяся результатом дифракции как от кристаллических, так и от аморфных областей. Измеряя площади [c.88]

Это выражение показывает, что интенсивность света, рассеянного дифракцией на частицах, прямо пропорциональна кубу радиуса этих частиц или обратно пропорциональна степени дисперсности дисперсной фазы. [c.335]

Ясно, что наблюдаемая в эксперименте интенсивность дифракции автоматически усреднена по всем начальным состояниям кристалла, что эквивалентно термодинамическому усреднению вероятности рассеяния. Производя термодинамическое усреднение выражения (7.32), находим, что интенсивность упругой дифракции 7-квантов пропорциональна функции [c.148]

Рассчитать характер изменения с углом дифракции интенсивности малоуглового рассеяния рентгеновских лучей в сплаве Л1—10 % (ат.) 2п при образовании ГП зон в форме сфер диаметром 20 нм. Зоны содержат около 33 % (ат.) 2п. Их концентрация 10 5 мм-3. Толщина фольги 100 мкм, сечение пучка 0,2X2 мм, излучение Си. [c.218]

В кристаллах довольно интенсивное когерентное рассеяние может быть только в определенных направлениях при интерференции волн рассеянных фотонов. Это явление лежит в основе изучения структуры кристаллов с помощью дифракции рентгеновского излучения. [c.54]

Для интерпретации рентгенограмм малоуглового рассеяния наряду с графическим методом расчета рентгенограмм [4] был применен метод построения функции распределения частиц путем преобразований Фурье интенсивности малоуглового рассеяния [5]. По аналогии с функцией радиального распределения атомов положение и интенсивность максимумов на кривой функции распределения частиц характеризуют расположение слоев или частиц в пространстве. Относительные величины интенсивности мало углового рассеяния приводились к электронным единицам приравниванием экспериментальной кривой к теоретической (рис. 3), рассчитанной для дифракции изолированными графитоподобными слоями I = 0,606 [4]. Функции распределения частиц [c.49]

Обычно измерения уменьшения интенсивности брэгговского рассеяния с увеличением температуры соответствуют дебаевскому приближению фактора Дебая — Хюккеля, который дает эффективную дебаевскую температуру 6. Чем меньше значение 6, тем больше величина среднеквадратичной амплитуды колебания атомов, ответственных за дифракцию. [c.170]

Таким образом, практически измеряемая интенсивность рассеяния ПВХ значительно меньше, чем для соединений, молекулы которых состоят из легких атомов — Н, С, О. Это обстоятельство, кроме повышенных требований к чувствительности регистрирующих средств, приводит к существенному увеличению интенсивности фона по сравнению с интенсивностью дифракции ПВХ. Наличие сильного фона сводит на нет почти все попытки проиллюстрировать работы фотоснимками рентгенограмм ПВХ 7 . Основными источниками фона [c.216]

В грубодисперсных микрогетерогенных системах (суспензии, эмульсии) с частицами дисперсной фазы, линейные размеры которых более длины световой волны (г > Я,), можно наблюдать внешне аналогичный эффект, обусловленный, однако, не дифракцией, а беспорядочным отражением и преломлением света по законам геометрической оптики на границе раздела частиц и среды. Интенсивность (яркость) рассеянного коллоидной системой света в определенном направлении хорошо описывается уравнением Рэлея [c.228]

Типичная кривая дифракции рентгеновских лучей образцом стеклообразного полимера в области близких к нулю углов рассеяния показана на рис. 1.5. Практически постоянный уровень интенсивности дифракции в интервале 20 = 25—60 является характерным для рассеяния от изотропной среды при ненулевых терми- [c.39]

Естественно предположить, что наблюдаемые эффекты — результат структурной дезорганизации аморфных участков полимера. Доказательством этой ситуации является линейная зависимость для исследованных нами образцов ПП между максимумом интенсивности дифракции / малоуглового рентгеновского рассеяния и величиной (й кр—(см. рис. 5.10), поскольку [282, 284] [c.180]

Тем не менее, взгляды Захариасена являются характерными. Экспериментальное подтверждение эти взгляды нашли в работах Уоррена с сотрудниками [11]. Авторы использовали метод дифракции рентгеновских лучей анализ рентгенограмм осуществлялся методом Фурье и сравнением экспериментально найденных и теоретически вычисленных кривых интенсивности радиального рассеяния рентгеновских лучей. [c.86]

Ha опыте можно измерять лишь интенсивность излучения, рассеянного на угол 2в. Если выразить отношение этой интенсивности к интенсивности излучения, рассеянного одним электроном в начале координат, то получим интенсивность дифракции [c.319]

Из этого уравнения следует, что наблюдаемое распределение интенсивности дифракции (интенсивности рассеяния) симметрично относительно начала координат ( 5 = 0) в обратном пространстве. Этот результат, т.е. то, что /(5) обладает центром симметрии в обратном пространстве, носит название закона Фриделя. Из него следует, что для получения всей информации, содержащейся в картине рассеяния, надо измерить только половину всех значений интенсивности рассеяния. [c.320]

У задачи определения, или решения, структуры огромное число неизвестных положение каждого атома в элементарной ячейке, тип атома и, следовательно, ожидаемый атомный фактор рассеяния и, наконец, фаза, связанная с каждым дифракционным пятном. Но есть также и значительное количество доступных данных интенсивности дифракции, пространственная группа, элементарная ячейка кристалла и обычно значительная информация об исследуемой молекуле (например, частичная или полная химическая структура и, возможно, даже некоторые конформационные данные). [c.371]

Экспериментально определяется не амплитуда рассеянной волны, а поток энергии или частиц, пропорциональный ее квадрату. В рентгеноструктурном анализе вводится специальная функция 1(з), называемая интенсивностью рассеяния или дифференциальным сечением рассеяния (для дифракции нейтронов). Размерность этой функции — квадрат длины. Обычно решается обратная задача по восстановлению распределения рассеивающей плотности по измеренной экспериментально функции 1(з). Величина 5 = связывает угол рассеяния 6 с [c.101]

Кристалл представляет собой систему, состоящую их двух взаимодействующих подсистем электронной и ядерной. В рассеянии излучений принимают участие обе подсистемы, однако, интенсивность рассеяния на каждой из них зависит от природы рассеиваемого излучения. Например, интенсивность потенциального рассеяния рентгеновских лучей на ядрах атомов (томпсоновское рассеяние) примерно в 10 раз меньше интенсивности, рассеянной электронными оболочками тех же самых атомов, поэтому в теории дифракции рентгеновских лучей рассеянием на ядрах пренебрегают. Известны некоторые изотопы, ядра которых как раз попадают в область длин волн, используемых в структурном анализе. Сечение взаимодействия таких ядер имеет резонансный характер и по величине может значительно превышать сечение взаимодействия излучения с электронными оболочками атома. [c.174]

В случае поликристаллич. образцов положение и интенсивность дифракц. максимумов определяют не только с помощью дифрактометров, но иногда и с помощью рентгеновских камер с фотографич. регистрацией рассеянного излучения. Структуру устанавливают методом проб и ошибок к заранее известному нли предполагаемому каркасу атомной структуры (напр., содержащему только тяжелые атомы) добавляют неизвестные ранее детали и рассчитывают интенсивности максимумов, к-рые сравнивают затем с экспериментально полученными значениями. Совпадение служит подтверждением предложенной модели. Использование при этом профильного анализа рентгенограмм поликристаллов позволяет исследовать сложные структуры с 30- 50 атомами в элементарной ячейке. [c.241]

Бон и др. [45] сообщили, что структура атактического поли-акрилонитрила очень сходна со структурой поливинилкарбазола. Образование характерной структуры, обладающей только поперечным порядкам, было приписано дипольным внутримолекулярным Отталкиваниям, приводящим к более жесткой цепи. Цепь можно моделировать жестким стержнем диаметром около 6 А. Поперечный порядок и продольная неупорядоченность системы изучались методом дифракции рентгенавских лучей на ориентированных образцах. Наблюдались острые экваториальные рефлексы линии, соответствующие слоистой структуре, отсутствовали, а вместо них наблюдалось интенсивное диффузное рассеяние на экваторе. Установлено, что для нолиакрилонитрила не существует аморфного гало. Диаграмма малоуглового рассеяния характеризовалась диффузным рассеянием, относившимся к микропустотам вещества. Полимер было предложено считать на 100% поперечно упорядоченным веществом. Сообщалось, что упорядоченный полимер имел температуру стеклования в той же области температур, что и аморфный полимер. [c.32]

Большим периодом обычно называют величину d == XllQ, где Х — длина во.лны, а 20 — угол дифракции, соответствующий максимуму в распределении интенсивности малоуглового рассеяния рентгеновских лучей. Изучение больших периодов, в частности при различных температурах [1], представляет большой интерес, поскольку опо позволяет судить о различиях в степени порядка в структуре полимеров. Мы исследовали изменение большого периода в ориентированных волокнах полиэтилена низкого давления в области темие])атур от комн атной до 116°. Съемки рентгенограмм в больших углах показали, что степень ориентации кристаллитов в волокнах была весь-лш высокой и практически пе менялась после проведения температурных съемок, поскольку волокна в образце находились в натянутом состоянии. Максимальное отклонение осей цепей от оси волокна (рассеяние текстуры) не превышало 10—15°. Ориентированный образец волокон помещался в печку, установленную на малоугловой камере. Температура контролировалась с точностью до 2°. При данной температуре снималась вся кривая малоуглового рассеяния. Остальные условия эксперимента были такими же, как в работах [2, 3]. Съемки кривых рассеяния проводились в течение нескольких пос.тедовательных циклов нагревания и охлаждения одного и того же образца. Измерения повторялись многократно, и результаты хорошо воспроизводились. Кривые распределения интенсивности меридионального малоуглового рефлекса, получен ныо в цикле 1 при повышении температуры до 113°, приведены ira рис. 1, а нри понижении температуры до 20° — на рис. 2. При [c.176]

Каждый коллоидный раствор в той или иной степени опалесци-рует. Если коллоидные частицы шарообразны, не проводят электрического тока и находятся в сильно разбавленном растворе, то-, как показал английский ученый Рэлей, зависимость интенсивности света рассеянного дифракцией на частицах от длины его волны и свойств коллоидного раствора выражается уравнением [c.334]

Чем меньше угол дифракции, тем, вообще говоря, больше расстояние между соответствующими частицами в структуре. Поэтому изучение дифракции в малых углах дает возможность получить сведения о размерах, форме и взаимном расположепии частиц размером в десятки и сотни. 4.. Обычно различают два типа малоугловой дифракции — диффузное и дискретное рассеяние. Интенсивность диффузного рассеяния постепенно уменьшается по мере увеличения угла дифракции. Дискретное рассеяние состоит из одного или нест-ольких максимумов, аналогичных рефлексам, наблк даемым при дифракции в больших углах. Оба вида малоугловой дифракции встречаются как у изотропных, так и у ориентированных полимеров. [c.170]

При достаточно совершенной кристаллической структуре объекта на электронограмме будут присутствовать не только точки (результат упругого рассеяния и дифракции электронов от точечного источника), но и дополнительная сложная картина светлых и темных поле (результат дифракции электронов пучка, претерпевших неупругое рассеяние в объеме объекта при малых потерях энергии. Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении ti и 2 рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа— Брегга. В связи с тем, что интенсивность диффузно рассеянных электронов, в направлении ai меньше, чем в направлении 2 (поскольку а <Са2), интенсивность отраженных лучей А/г>A/i. Следовательно, добавление к интенсивности фона [-fA/2 в направлении ai больше, чем убыль интенсивности —А/ь и, наоборот, убыль интенсивности —Д/2 в направлении 2 больше, чем добавление +A/i- В итоге в определенных направлениях должна возникать избыточная интенсивность фона, а в других недостаток интенсивности (рис. 20.31). Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HKL и HKL, и угол при вершине равен (180°—2 ). Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо-Косселя для дифракции рентгеновских лучей (см. гл. 9). В связи с малостью углов О пересечения конусов с плоскостью экрана или фотопластинки в случае дифракции быстрых электронов картина имеет вид прямых линий (вместо гипербол при рентгеновской дифракции). Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. Как видно на рис. 20.31,6, след отражающей плоскости точно проектируется посередине расстояния между соответствующими темной и светлой линиями Кикучи и представляет собой гномоническую [c.474]

Поскольку это взаимодействие обусловлено колебаниями электронов, интенсивность дифракции на тяжелых атомах будет значительно больше, чем на более легких атомах. В результате различия в интенсивиостях на рентгенограмме столь велики, что по ложение легких атомов (например, водорода) очень трудно определить из-за маскирующей интенсивности тяжелых атомов. Кроме того, нельзя провести различие между разными атомам1и, которые Проявляют почти одинаковую способность к рассеянию рентгеновских лучей (например, отличить кислород от азота). Если требуется установить разл.ичия в положении легких атомов или атомов с приблизительно одинаковыми атомными номерами, то необходимо применить методы, основанные на дифракции элв К-тронов или нейтронов. [c.119]

Изучение поверхности Рс1 с адсорбированным на нем ДМАБ осуществленное с использованием метода многократного нарушенного полного внутреннего отражения в инфракрасной области и метода лазерной спектроскопии комбинационного рассеяния света, не выявили частиц с В—Н-связью (vв-н = 1800— 2000 см ). Вместе с тем, исследования рентгеновскими методами при соблюдении приемов, обеспечивающих максимальный поток рентгеновских лучей, выявили в дифракционной картине несколько слабых максимумов между 3,5 и 7,5 А, т. е. в области наибольшей интенсивности дифракции как для ромбоэдрического, так и для тетрагонального бора. Это дает основание предположить, что на поверхности Рс1 присутствует, по меньшей мере, одна из модификаций элементарного бора. Учитывая, что восстановленный с помощью ДМАБ металл всегда содержит бор, следует предположить общность механизма разложения АБ в обоих случаях (в растворах ДМАБ и растворах химического никелирования). [c.159]

Интенсивность когерентного рассеяния быстро падает с увеличением отражения порядка ге, и в ряде случаев с нейтоонами, отраженными в высших порядках (я=2, 3, 4 и т. д.), можно не считаться. Излучение дифракции медленных псйтронов требует прежде всего применения мощных источников нейтронов— урановых реакторов. Схема установки показана на рис. 96. В бетонной защите котла, предохраняющей работников от вредного излучения, сделано отверстие со вставленной внутрь реактора графитовой призмой (так называемой термической колонной). Графит является хорошим замедлителем, слабо поглощающим нейтроны. В выходящем из реактора конце колонны сделана цилиндрическая полость. Благодаря [c.199]

Рассеяние воздухом дает заметный вклад в интенсивность рассеяния всех полимеров при малых углах отражения, однако для полимеров, состоящих из легких атомов, уже начиная с 20° 2 (СиКа), °но становится пренебрежимо малым даже при количественных измерениях интенсивности . В случае ПВХ,. интенсивность рассеяния которого невелика, относительный вклад рассеяния воздухом заметно больще. Это можно видеть на рис. 6.12а, где кривая 3 показывает результаты съемки холостого хода . Поэтому при количественных измерениях интенсивности дифракции ПВХ обязательным условием является учет рассеяния воздухом с этой целью некоторые авторы вакуумируют рентгеновские каме-ры 8> 88 или при съемке в воздухе вЪ1чи-тают картину холостого хода > 8о [c.217]

Заключительную стадию такого ориентационного структурирования часто удается наблюдать в тонких слоях (около ОЛ мм) с помощью метода поляризационной хмикроскопии [42]. Если заполнение кюветы осуществляется при малых градиентах скорости (или по окончании заполнения кювета располагается под углом примерно 5° к горизонту), то через 1—2 ч в препарате появляются чередующиеся темные и светлые полосы, ориентированные вдоль направления течения (рис. 4.8). Такая полосатая текстура дает до 14 порядков дифракции рассеяния поляризованного света. Характерным для растворов ПБА является чередование интенсивностей четных и нечетных дифракционных максимумов при Я,,-рассеянии, что, по-Ендимому, может быть объяснено различной поляризацией молекул в смелсных полосах. [c.130]

На основе упрощенного анализа явления можно ожидать, что в результате деформации при растяжении даже полимера, характеризующегося высоким содержанием пластинчатых структур (например, полиэтилена), большинство его цепей развернется и перейдет в выпрямленное состояние. При такой ориентации всегда наблюдается значительное уменьшение интенсивности дискретного рассеяния под малыми углами [53 ]. Предполагают, что слабую дифракцию от больших периодов, которую еще удается наблюдать, порождают оставшиеся нераспрямленными складки [54]. Если теперь к системе подвести тепло, чтобы обеспечить достаточную подвижность сегментов цепей, то при этом вновь образуются складки. Как следует из характера дискретного рассеяния под малыми углами, чем выше температура, тем больше количество складок и тем больше их период [12, 45]. Для того чтобы объяснить физические свойства полимеров, часто связанные с рекристаллизацией, следует предположить, что новообразование складок происходит совершенно случайно и в этом процессе должны принимать участие отдельные цепи или только малые группы цепей. Несомненно, что образование пластин не обусловлено процессами новообразования складок и рекристаллизации при температурах, обычно используемых на практике при термической обработке, так как следовало бы ожидать, что наличие таких кристаллических пластин должно оказывать вредное влияние на прочность ориентированного волокна. В самом деле, хрупкость полимера, часто вызванная слишком высокой температурой термической обработки, может быть обусловлена образованием пластин. Такие пластины, расположенные поперек оси волокна, наблюдал Кобаяши в отожженных волокнах линейного полиэтилена [55]. [c.225]

Исследование образцов лленки с помощью дифракции рентгеновских лучей под малыми углами показало, что в ориентированных образцах сформировалась фибриллярная структура с одинаковым периодом (2-10 8 м) и, как это следовало из постоянства интенсивности малоуглового рассеяния, с одинаковым внутренним строением периода. На основании независимости фибриллярной структуры ориентированных пленок от исходной был сделан вывод, что ориентация вызывает на первой стадии деформирования разрушение исходной структуры, затем переход ее в некоторое промежуточное неустойчивое состояние и последующее формирование конечной структуры. Этот последний этап определяется лишь условиями ориентации. Среди этих условий существенную роль играет совместное влияние вытяжки и температуры. Роль такого влияния является двоякой разрушается исходная структура или определяется направленность формирования фибриллярной структуры. [c.181]

Пользуясь методами малоугловой рентгеновской дифракции, они установили, что с увеличением кратности вытяжки волокон и пленок из ПВС возрастает интенсивность диффузного рассеяния и одновременно уменьшается интенсивность малоуглового рефлекса и увеличивается его ширина (рис. 18.23). Одновременно были измерены другие структурные параметры с использованием широкоугловых рефлексов (по изменению радиального и азимутального распределения их интенсивностей [76, 100—107]. [c.265]

Теория и опыт показывают, что интенсивность рассеянного излучения зависит от направления. Функция распределения рассеянного по различным направлениям излучения называется индикатрисой рассеяния Уу Р, з ), где — выбранное направление луча (условно назовем этот луч своим ) — направление чужого луча (рис. 19.2), проходящего через точку Р. Если рассеянное излучение равномерно распределяется по всевозможным направлениям (изотропное рассеяние), то его доля в направлении равна с1(о7(4хс), а при анизотропном рассеянии она составляет Уу Р, л )с1со7(4л ). Вид индикатрисы рассеяния зависит от отношения диаметра частицы к длине волны излучения. Для частиц, диаметр которых с/ X, интенсивности рассеяния вперед по лучу и назад одинаковы и в 2 раза выше, чем в перпендикулярном направлении (закон рассеяния Релея). Индикатриса релеевского рассеяния приведена на рис. 19.3. Если же с1 X, то вследствие дифракции рассеяние вперед значительно превышает рассеяние назад и индикатриса рассеяния вытянута по направлению луча. [c.486]

Система RYSALIS j ] определяет трехмерную структуру белка по распределению плотности электронов (РПЭ). ЭС интерпретирует информацию по дифракции рентгеновских лучей, включающую информацию о положении и интенсивности рассеянных волн, и выводит атомную структуру. ЭС использует знания о составе белка и рентгеноструктурном анализе, а также эвристики, чтобы с помощью анализа РПЭ получать и проверять гипотезы относительно правдоподобных белковых структур. HYSALIS использует архитектуру типа доски объявлений , содержащей независимые источники знаний для выдвижения и проверки многоуровневой структуры гипотез. ЭС написана на языке ЛИСП. [c.262]

Дифракционное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами характерно для ультрамикрогетерогенных систем с частицами аморфной структуры. Природа этого я1 ле1 ия аналогична дифракции видимого света малыми экранами и отверстиями, теория которой подробно рассматривается в следующем разделе, поспященном рассеянию света. Отличия состоят не только в размерах частиц и применяемых длин воли, а главное — в соотношениях между ними. Данный метод применим, если размеры определяемых частиц сравнимы или больше длин рентгеновских лучей. В связи с этим максимум рассеяния приходится па направление, совпадающее с направлением падающих лучей. Размер же области рассеяния, т. е. угол, при котором интенсивность рассеянных лучей нрактически равна нулю (Омзкс), тем меньше, чем больше рассеивающий объем. Эту величину можно оценить по соотношению [c.253]