Охлаждение объектов в электронном микроскопе

Некоторые результаты действия электронного облучения на объект — образование загрязняющего углеродного слоя и горение объектов в электронном микроскопе — указаны ранее, когда описывалось охлаждение объектов в микроскопе. Однако рассматриваемый вопрос значительно шире и понимание его имеет важное значение для практического выполнения электронно-микроскопических исследований. Под действием электронного облучения в микроскопе происходят радиационнохимические и иногда термические превращения. Более просты и изучены последние, которые целесообразно рассмотреть вначале. [c.45]

Далее следует указать на стереоскопию и на ряд методов, основанных на различных воздействиях на препарат нагревание и охлаждение объектов в электронном микроскопе, метод газовой камеры. Вероятно, в скором времени к их числу будет целесообразно добавить метод механического воздействия на объект в камере электронного микроскопа. Несколько работ в этом направлении уже опубликовано, однако полученные результаты пока не имеют сколько-нибудь принципиального научного значения. В известной степени эти методы можно сочетать с методами, указанными ранее. Так, например, химические или физические изменения препаратов, происходящие в результате их нагревания в микроскопе в вакууме или в атмосфере газа, обычно фиксируются при помощи светлопольной микроскопии и микродифракции. [c.16]

Охлаждение объектов в электронном микроскопе [c.25]

Следует различать охлаждение камеры объекта и охлаждение самого объекта в электронном микроскопе. Охлаждение камеры объекта проводят с целью предотвращения загрязнения препаратов и, поскольку это является обязательным условием исследования охлажденных препаратов, то вопрос об охлаждении камеры объекта будет рассмотрен вначале. [c.25]

Описанные выше исследования с охлаждаемой камерой объекта представляют интерес с двух точек зрения. С одной стороны, они привели к установлению двух способов устранения загрязнения в микроскопе — путем охлаждения камеры и путем выжигания загрязнений кислородом. С другой стороны, они указывают на сложные условия, в которых находится препарат во время облучения в микроскопе. Этот вопрос требует серьезного внимания со стороны всех экспериментаторов, работающих с электронным микроскопом, так как недостаточный учет этих условий может привести к ошибкам и ложным выводам. [c.28]

В заключение следует вернуться к вопросу об устойчивости органических препаратов в электронном микроскопе. Как отмечалось выше, при охлаждении лишь стенок камеры объекта препараты сгорают под действием облучения. Однако этого не происходит при одновременном охлаждении самого объекта. [c.32]

Фото 2. Устранение загрязнения объекта (карбоната кальция) в электрон-ном микроскопе при помощи охлаждения камеры объекта. а — микрофотография, сделанная без охлаждения, после облучения в течение 3 мин. По краям частиц виден полупрозрачный слой углерода б — микрофотография пре-парата, охлажденного до—100°, после облучения в течение 10 мин. [c.276]

Электронный и ионный проекторы— эмиссионные микроскопы. Это значит, что объект не облучается изображающими частицами, а они сами порождаются объектом. Схемы электронного и ионного проекторов показаны на рис. 1. Следует сразу же отметить, что принципиальных отличий в их устройстве нет — это один и тот же прибор, но в разных режимах работы. Ионный проектор сложнее лишь тем, что в конструкции колбы предусмотрена возможность более глубокого охлаждения острия. Обязательными элементами проекторов являются тонкое острие, ускоряющий электрод, флуоресцирующий экран (последние две детали часто совмещаются, как па рис. 1). [c.150]

Микротом Rei hert Oiff U2 (Австрия) позволяет получать срезы толщиной 0,1—20 мкм (и менее) и площадью от 4 до 25 мм . Получаемые срезы могут быть объектами исследования в электронном и световом микроскопах. Микротом имеет устройство для охлаждения объектов до —150 С и получения срезов с замороженных образцов. [c.142]

Эльмископ 1202 (ФРГ), Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,2 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ, имеет увеличение от 200 до SOOOQx. Приставки к микроскопу для просвечивающей растровой микроскопии, стереустройство, устройство для нагревания, охлаждения и растяжения объекта и др. [c.148]

Оба метода (прямой и косвенный) имеют преимущества п недо-счатки, и выбор метода зависит прежде всего от целей исследования. При исследованиях по методу реплик изменения препарата под деймвием электронов минимальные и изображения получаются с хорошим контрастом, однако при этом методе несколько снижается разрешающая способность микроскопа (по отношению к первоначальному объекту). Основное преимущество прямых методов исследования заключается в том, что они обеспечивают максимальное разрешение. Кроме этого, с помощью специальных приспособлений прямые методы позволяют наблюдать поведение объекта при различных воздействиях на него непосредственно в колонне электронного микроскопа (деформация, на1 ревание, охлаждение и др.) и микродифракцию. Однако контрастность изображения при прямых методах исследования, как правило, незначительна, а изменение объекта при облучении электронами не всегда возможно предотвратить. [c.175]

Пов-сть ТВ. тела исследуют непосредственно с помо1цью растровых микроскопов. При использ. просвечивающих микроскопов предварительно получают тонкие напыленные слои (реплики), копирующие исследуемую пов-сть, или специально уменьшают толщину участков образца до неск. десятков нм. Для изучения образцов большой толщины примен. просвечивающие микроскопы с ускоряющим напряжением до 5 МВ и просвечивающие растровые микроскопы. Методами Э. м. изучают структурные дефекты и микровключения в массивных образцах, тонких пленках и порошках. Наиб, перспективно применение комплексных электрон нозондовых приборов на базе электронных микроскопов с приставками для регистрации рентгеновских, электронных и др. спектров, определения параметров кристаллич. решетки и т. д. (см. Электроннозондовые методы). Такие приборы снабжают также устройствами для нагревания или охлаждения объектов, испытания их мех. свойств и др. [c.700]

Предварительно охлажденный (77 К1 теплоотвод ввертывается в держатель для nepeno j с пазом II оба втягиваются в камеру образца, которая затем закрывается. Это позволяет осуществлять перенос образцов в шлюз камеры объектов растрового электронного микроскопа. [c.307]

Интересной областью применения высоковйльтной электронной микроскопии является наблюдение превращений и структурных изменений в ходе их протекания при нагреве, охлаждении, деформации и т. д образца непосредственно в камере объекта микроскопа (иссле-вание in-situ ). Подобные исследования проводились и в 100-кВ микроскопах, однако ход фазовых превращений и процессы движения дислокаций при пластической деформации могут существенно различаться в массивном материале и в тонких образцах, в основном, из-за влияния поверхности. Возможность исследования сравнительно толстых образцов в высоковольтном микроскопе существенно повысило ценность экспериментов in-situ. [c.544]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология