Механизм роста (качественное обсуждение)

МЕХАНИЗМ РОСТА (КАЧЕСТВЕННОЕ ОБСУЖДЕНИЕ) [c.171]

Качественное обсуждение теории роста из газовой фазы. Механизм распространения эшелонов параллельных слоев. В следующих разделах теории роста кристаллов из газовой фазы будут обсуждаться качественно с целью найти механизм роста, способный удовлетворить трем требованиям, сформулированным в разделе 1.19, а именно а) рост плоскими гранями б) закон роста высшего порядка при низких Ар и в) а 1 при высоких Ар. [c.173]

Предварительное и приближенное обсуждение вопроса о суммарных скоростях полимеризации было основано на качественных предположениях о механизме инициирования, роста и передачи цепи. Эти предположения могут быть проверены независимыми методами, особенно путем измерения степени полимеризации продуктов, полученных в заданных условиях, а также аналитическим определением концевых групп. [c.215]

Обсуждение результатов. Поскольку при проведении процесса на окиси алюминия скорость реакции зависит не от состава смеси, а только от корня квадратного из парциального давления этилена а также в связи с ранее полученными в нашей лаборатории результатами по радиационно-каталитическим реакциям и радиационной хемосорбции на А12О3, можно предположить, что рост полиэтиленовой цепи на у-АГаОу происходит по радикальному механизму с образованием в промежуточной стадии слабо связанных с поверхностью атомов и радикалов [3]. Это допуш,ение также качественно согласуется с имеюш,ейся температурной зависимостью. Радикальн[ые процессы нолимеризации обычно имеют положительный температурный коэффициент, причем изменение знака этого коэффициента при 75 [c.51]

Суммируя, можно сказать, что проведен детальный анализ полевой зависимости для простейшей РП с одним магнитным ядром со спином 1/2. Для более сложных снстем проделаны приближенные расчеты. Установлены некоторые общие качественные закономерности проявления СТВ-механизма S—Г-переходов в рекомбинации радикалов аддитивность различных каналов S—Г для короткоживущих в клетке РП, эффект интерференции этих каналов в долгоживущих napax, роль пересечений термов РП в ускорении интеркомбинационных переходов. Однако в общем случае для количественного обсуждения эффектов магнитного поля в рекомбинации РП в слабых полях, по-видимому, необходимо проводить расчеты для каждой конкретной пары радикалов, так как эффективность синглет-триплетного смешивания термов РП может существенно зависеть от числа магнитных ядер, от величин и знаков констант сверхтонкого взаимодействия. Проведенные расчеты полевого эффекта в рекомбинации РП в слабых полях показывают, что СТВ может заметно изменить вероятность реакции. Согласно данным табл. 1.9 и 1.10, для синглетного предшественника РП с ростом магнитного поля вероятность рекомбинации может измениться примерно на 10% для типичных значений молекулярно-ки-нетических параметров. Особенно большие эффекты поля могут иметь место в случае триплетного предшественника пары радикалов. Одновременно эти результаты показывают, что в рекомбинации радикалов может проявляться магнитный изотопный эффект порядка 10% для геминальной рекомбинации РП из начального синглетного состояния. Еще больших изотопных эффектов следует ожидать для рекомбинацин РП из начального триплетного состояния. [c.86]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология