Способы образования ионов

Способ образования ионных решеток показывает, что пустое пространство между ионами ограничено они обладают компактной структурой. Кристаллическая решетка хлористого натрия состроена как бы взаимопроникновением гранецентрированных кубических систем, одна из которых содержит только катионы N3 , а другая — анионы С1 (рис. 66). [c.108]

Масс-спектрометр может быть использован для получения трех типов информации о любых положительных ионах. Отношение массы к заряду иона определяется по отношению к ионам с известной величиной т/е количество ионов может быть измерено по отношению к другим ионам в спектре, и, наконец, могут быть получены детальные сведения о способе образования ионов. [c.298]

Новый этап в развитии учения о валентности наступил с установлением сложности строения атома и возникновением теории химической связи. Понятие валентности расширилось она стала указывать и природу химических связей между атомами в соединениях. Идея Косселя о стремлении атомов к достижению 8-электронного-наружного уровня была положена в основу объяснения способа образования ионной связи. В соответствии с этим возникло представление о положительной и отрицательной валентности. [c.63]

ГИЙ ионов, в зависимости от поставленной аналитической задачи исследователь может варьировать способы образования ионов, способы первичной обработки информации, кинетические параметры ионизационных процессов. [c.6]

СПОСОБЫ ОБРАЗОВАНИЯ ИОНОВ [c.12]

Способ образования ионных решеток показывает что пространство между ионами ограничено они обладают компактной [c.72]

Работа детектора электронного захвата так же, как и работа детектора ионизации в пламени, основана на зависимости электропроводности промежутка между электродами и числом ионов, находящихся в этом промежутке, которое в конечном счете связано с количеством молекул, поступающих в детектор. Механизм и способ образования ионов, определяющих выходной сигнал детектора, [c.72]

Присоединением к олефину протона от кислотного агента, что имеет для нашего обзора более важное значение как способ образования иона карбония, чем процессы отщепления, описанные в трех предыдущих примерах. [c.13]

Открытие галогенов. Реакция образования нерастворимых галогенидов серебра при действии нитрата серебра не может быть непосредственно использована для открытия галогена в органических соединениях, ибо последние, как правило, не дают иона галогена. Поэтому даже в таком насыщенном хлором соединении, как четыреххлористый углерод ССЦ, не обнаруживается хлор при добавлении раствора AgNOj. В таких случаях необходимо сначала перевести галоген, например хлор, в неорганическое соединение — натриевую соль хлористоводородной кислоты. Иногда это удается просто при кипячении вещества с раствором едкого натра. Более универсальным являегся способ образования иона галогена под действием водорода в момент выделения. [c.19]

Рассмотрим ионный тройник, состоящий из двух отрицательных и одного положительного ионов, и допустим, что ионы представляют собой заряженные частицы сферической формы. Из ряда возможных способов образования ионных тройников рассмотрим тот случай, когда отрицательный ион приближается к ионной паре. Пусть расстояние между ионами, соединенными в ионную пару, равно а. Обозначим через 9 угол между осью ионной пары и прямой, проведенной к центру ближайшего отрипательного иона из центра поло кительного иона пары, а через г — расстояние между приб.чижающимся отрицательным ионом и положительным ионом пары. Тогда расстояние между приближающимся отрицательным ионом и отрицательным ионом пары будет равно (г -]- 2аг соз 6) / а потенциальная энергия и отрицательного иона будет [c.58]

Основной проблемой масс-спектрометрического анализа твердых тел является необходимость создания ионного пучка, состав которого правильно отражал бы состав образца. Для анализа изотопного состава твердых тел успешно применяются различные способы образования ионов. Одним из них является, например, поверхностная ионизация [5]. Но этот способ непригоден для химического анализа, так как эффективность образования иопов в нем для различных элементов может различаться на несколько порядков. Более приемлем искровой источник ионов он обладает тем преимуществом, что эффективности образования ионов разных элементов в нем сравнимы по величине одна с другой. Однако ионы, выходящие из искрового источника, обладают большим разбросом по энергиям, и, следовательно, для их разделения и регистрации необходим масс-спектрометр с двойной фокусировкой. Это требование, возможно, объясняет отсутствие большого числа работ с исиользовапием искрового источника. [c.140]

Наконец, существует еще один способ образования ионов органического вещества в масс-спектрометре — облучение его потоком фотонов — фотоионизация, или фотонный г/5ар. Существенным ограничением этого метода являются малая энергетичность фотонного пучка (не более [c.18]

Как было отмечено в гл. 2 и показано на рис. 2.8, высокочастотная искра состоит из импульсов продолжительностью 200 мкс, представляющих собой ряд отдельных пробоев. Время между двумя последовательными пробоями определяется скоростью нарастания напряжения до значения, при котором происходит пробой. Обычно это составляет несколько высокочастотных циклов (- 10 мкс) и зависит от параметров искры и щирины разрядного промежутка, который постоянно меняется за счет эрозии и переноса распыленного материала электрода. Следующий за этим низковольтный разряд длится, вероятно, менее 0,1 мкс (Вулстон, 1971). Изучены другие схемы (Хениг, 1966а), в которых вслед за возрастанием каждого импульса происходит кажущийся непрерывным пробой, завершая несколько циклов перед окончанием импульса. В другом случае ионы генерируются как в течение стадии начального пробоя, так и в последующей низковольтной фазе, хотя способы образования ионов в них, конечно, различны. Это означает, что различен и состав плазмы, окружающей электроды, в каждый момент импульса. [c.251]

Эффект Вина. Представление об ионных атмосферах, лежащее в основе теории Дебая и Гюккеля, может быть проверено на электропроводностях следующим убедительным способом. Образование ионной атмосферы требует некоторого конечного, хотя и небольшого времениi, называемого временем релаксации. В условиях обычных измерений электропроводностей ионы движутся настолько медленно, что ионная атмосфера всегда успевает вокруг них образовываться при их перемещении, и они из нее никогда не выходят (некоторое запаздывание ионной атмосферы за движением иона все же наблюдается и является причиной упомянутой выше релаксационной силы торможения). Однако в полях очень большой силы ионы должны двигаться настолько быстро, что ионная атмосфера или совсем не будет успевать образовываться вокруг них, или будет образовываться лишь частично. В этих условиях слагаемые Xj и Х выражения (263) будут убывать и при очень сильных полях обратятся в пределе в нуль. Тогда эквивалентная электропроводность даже при конечных концентрациях должна стремиться к своему предельному значению Хсо, достигаемому в слабых полях при бесконечном разбавлении. Такое уменьшение тормозящих сил, вызванное устранением ионных атмосфер и проявляющееся в росте электропроводности с силой поля, действительно было найдено Вином и названо по его имени эффектом Вина. [c.338]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология