Представление о дислокациях

Впервые представления о дислокациях возникли в связи с необходимостью объяснить механизм пластического течения в твердых телах. В монокристалле такое течение может осуществляться в результате скольжения частей кристалла вдоль определенных атомных плоскостей. При этом нарушаются некоторые связи и должна быть затрачена известная энергия. На рис. Х1У.2 показан схематически сдвиг атомной плоскости на половину атомного расстояния. [c.357]

Понятие о дислокациях было введено Тейлором в тридцатых годах для объяснения низкой механической прочности металлов. В настоящее время теория дислокаций превратилась в теорию, позволяющую с единой точки зрения объяснить широкий круг явлений в кристаллах, в том числе процессы их роста и пластической деформации. Еще несколько" лет назад теория дислокаций состояла из гипотетических построений и встречала сдержанное отношение со стороны ряда специалистов. Однако за последние годы были получены экспериментальные доказательства того, что дислокации в кристаллах реально существуют и обладают предсказанными теорией свойствами элементарных дефектов решетки [3]. Ниже будут кратко изложены основные представления о дислокациях, необходимые для интерпретации электронно-микроскопических данных. [c.167]

Цель настоящей главы — служить основой для статей монографии, в которых использованы представления о дислокациях и дефектах решетки графита. Более подробно общая теория дислокаций освещена в специальной литературе [1—3]. [c.10]

Представление о дислокациях объясняет особенности пластической деформации кристаллов, описанные в 55. Плоскости и нанравления скольжения-это плоскости и направления движения дислокаций. Критическое скалывающее напряжение — это напряжение, которое должна преодолеть дислокация, чтобы прийти в движение. Идеальный кристалл мог 61,1 начать деформироваться только при одновременном разрушении всех связей в какой-либо кристаллографической плоскости. Деформация реального кристалла начинается, когда внешнее напряжение достигает значения, необходимого для начала [c.326]

Представление о дислокациях. Понятие о линейных дефектах — дислокациях — впервые возникло в связи с необходимостью объяснить тот факт, что реальная прочность кристаллов, как правило,, значительно меньше рассчитанной. На основе представления о та- [c.123]

Представление о дислокациях возникло первоначально как теоретическая концепция, однако развитие методов [c.81]

Среди различных дефектов кристаллической решетки твердых химических материалов наибольшее значение имеют дислокации. Они играют определяющую роль Б механизмах деформации и упрочнения твердых тел и, по всей вероятности — их гигроскопичности и слеживаемости. Представления о дислокациях и механизме их образования могут быть сформулированы из следующей схемы [54, с. 15—30]. Выделим внутри упругого кристаллического тела участок цилиндрической формы и разрежем его вдоль произвольной плоскости 5д ограниченной линией дислокации (рис. 2-9, а), а затем края разреза сместим в определенном направлении и вновь склеим разрезанные части тела по поверхности раздела (рис. 2-9, б, в). Возникающие при смещении упругие напряжения в центре разреза (вдоль Ьц) в выбранной модели, исключаем удалением небольшой напряженной области в непосредственной близости к д. В общем случае объем вокруг линии д, называемый центром дислокации, либо представляет собой полость, либо может быть заполнен очень сильно деформированным материалом. Второй случай встречается чаще [54, с. 36]. [c.56]

Вначале представление о дислокациях сформулировали, чтобы объяснить пластическую деформацию твердых тел. Позднее было показано, что дислокации нужны при описании процессов роста кристаллов, а также для объяснения других свойств твердых тел, таких, например, как электропроводность. [c.295]

В частности, большой интерес представляет изучение возникновения и развития первичных коррозионно-механических трещин на поверхности напряженного металла с привлечением одновременно и микроэлектрохимических исследований. Должно быть уточнено влияние физико-химических процессов сорбции и образования окисных пленок на процессы механического разрушения и износа металлического материала. Большой интерес представляет также исследование, посвященное установлению связи между широко развиваемыми сейчас представлениями о дислокациях в металлических решетках и электрохимическим механизмом коррозии напряженного металла. [c.583]

Рост кристаллов из паров также не может быть объяснен без привлечения представлений о дислокациях. Этот процесс в растворах происходит путем образования двумерных зародышей (см. гл.XVIII). [c.281]

На рис. IX.10 иоказано, как кристаллы (зерна), имеющие различные ориентации, могут быть сопряжены за счет удаления части плоскости. Представления о дислокациях привлекаются и для объяснения кинетики раз- [c.199]

Прогресс материаловедения полупроводников, разработка детальных представлений о дислокациях, о роли нестехио-метричности твердых тел ставят новые задачи перед Ф. а. материалов, к-рый должен давать сведения об образованиях, не являющихся фазами в классич. понимании. Эти задачи решают с помощью разл. микрозондов, оже-спектрометров (см. Оже-спектроскопия) и т.д. В этих условиях целесообразно к методам Ф. а. относить все методы, связанные с выделением и микроанализом нативных и виртуальных фаз, а к вещественному, или локально-распределигельному, анализу - аналит. методы, характеризующие т. наз. хим. гетерогенность (т. е. неоднородность по хим. составу) твердых тел. [c.57]

Хотя природа дислокаций в акриловой и метакриловой кислотах еще полностью не известна, Бемфорд и др. [119] привели убедительные доводы в пользу интерпретации зависимости полимеризации от давления с использованием представлений о дислокациях, которые, вероятно, присутствуют в этих твердых телах. Они полагают, что полимеризация происходит преимущественно вдоль линий дислокаций, т. е. точно так же, как при термическом разложении кальцита [120], где выделение СОг наблюдается главным образом вдоль линий дислокаций, и что при повышении давления дислокации удаляются от растущих радикалов, и реакция прекращается. Пока еще ие известно, является ли центром полимеризации чистая дислокация или дислокация, имеющая облако Котрела [12[ (скажем, воды). Почему реакция не должна инициироваться дислокацией, занявшей новое ноложение, объяснить трудно. Очевидно, необходимо провести систематическое изучение роли дислокаций в виниловых мономерах и выяснить их природу и движение, аннигиляцию и определить плоскости скольжения. [c.244]

Дислокации. Представления о дислокациях были развиты Тейлором, Орованом и другими авторами в 1930 г. В литературе определения понятия дислокации разноречивы [1, 4, 7, 8]. [c.106]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология