Прочность реальных кристаллов

Наличие дислокаций и плоских дефектов в реальных кристаллах сильно сказывается на механических свойствах твердых тел. Однако это отнюдь не означает, что монокристаллы вещества по прочности всегда будут превосходить его поликристалличе-ские конгломераты. Все будет зависеть от степени взаимодействия дислокаций и плоских дефектов с другими дефектами твердого тела. Так, монокристаллы чистого железа очень пластичны, в то время как стали, имеющие блочную структуру, проявляют прочность в сотни раз большую за счет взаимодействия дислокаций с примесными дефектами. Междоузельные примесные дефекты, как правило, затрудняют движение дислокаций, осложняя механическую обработку металлов. В связи с этим при механической обработке высокопрочных металлов, таких, как титан, молибден, бериллий, вольфрам, обычно проводят их тщательную очистку от примесей азота и кислорода. [c.82]

В гл. 3 обсуждался механизм ползучести кристалла в терминах теории движения дислокаций, там же говорилось, почему прочность реальных кристаллов на много порядков ниже предполагаемой прочности идеального кристалла. Учитывая огромную энергию межатомных связей, можно считать, что идеальный кристалл должен быть необыкновенно прочным как по отношению к пластической деформации, так и по отношению к излому. Механическое напряжение, не превышающее предела текучести, приводит к упругой деформации твердого тела величина этой деформации зависит от расстояния, на которое можно сместить атомы без разрыва межатомных связей. В определенных условиях удается получить кристаллы без дислокаций (в обычных кристаллах концентрация дислокаций составляет 10 слг ). Например, прочность бездислокационных усов олова оказалась близкой к прочности идеального кристалла, рассчитанной из сил притяжения между атомами. Деформация таких усов была упругой вплоть до 2%, в то время как в обычном слое предел упругости достигается уже при деформации порядка 0,01%. Подобные же результаты получены на других металлах. Усы из меди, например, имеют очень большую величину предела текучести, но как только на них начинают образовываться дислокации, прочность резко падает. [c.86]

Таким образом, прочность реальных кристаллов много меньше, чем идеальных. В то же время реальные кристаллы гораздо прочнее, чем можно ожидать, если допустить свободное движение дислокаций в кристалле (см. рис. 31). Действительно, очень чистые кристаллы ломаются уже при очень малых напряжениях, так как в них имеется пэ крайней мере несколько дислокаций, которые ничем не закреплены. Обычные кристаллы гораздо прочнее, так как в них действуют особые механизмы упрочнения. Прочность кристаллов зависит от особенностей их тепловой обработки и их чистоты. Так, механическим препятствием на пути движения дислокаций, которое сопровождает пластическое течение и необратимую деформацию, могут служить частицы [c.86]

При пластических деформациях изменяется форма кристалла без изменения его объема. С движением дислокации тесно связаны механические свойства кристалла. Можно показать, что прочность кристаллов, не имеющих дислокаций, в несколько раз больше прочности реальных кристаллов с дефектами структуры. [c.268]

Прочность характеризуется критическим (предельным) напряжением Рт, при котором наступает разрыв сплошности тела. В отличие от упругих свойств реальных тел, характеристики которых можно вычислить из теории простейших идеальных кристаллических решеток, прочность реальных твердых тел, как на это указывали Гриффитс, А. Ф. Иоффе, Смекал и другие, в тысячи и десятки тысяч раз меньше прочности, рассчитанной для идеального кристалла. [c.182]

В идеальных телах, особенно монокристаллах, как было указано, существует правильный порядок расположения атомов или ионов, которые образуют правильные ряды в виде пространственной сетки. Однако в различных реальных телах существуют дефекты — слабые места с пониженной прочностью. Они и являются причиной того, что прочность реальных твердых тел в несколько сотен раз ниже, чем прочность идеальных кристаллов и стеклообразных веществ. [c.234]

Дефекты кристаллов и их возникновение. Ранее были рассмотрены физико-химические характеристики идеальных кристаллических структур. Закономерности формирования таких структур позволяют объяснить многие свойства и реальных кристаллов, такие, например, как плотность, диэлектрическая проницаемость, удельная теплоемкость, упругость. В то же время целый ряд очень важных свойств твердых систем (прочность, электрическая проводимость, теплопроводность, оптические и магнитные свойства, каталитическая активность) существенно зависит от того, насколько кристаллические структуры таких веществ отклоняются от идеальных. В реальных кристаллах всегда существуют структурные нарушения, обычно называемые несовершенствами или дефектами. Дефекты кристаллов иногда сообщают твердым телам весьма ценные свойства, в связи с чем их реализуют искусственным путем. [c.78]

Чтобы в идеальном кристалле без дислокаций под влиянием внешней силы произошла пластическая деформация, т. е. сдвиг вдоль какой-то плоскости скольжения, необходим одновременно разрыв всех атомных плоскостей по всей плоскости скольжения. Для этого требуются большие усилия, что равносильно высокой прочности идеальных кристаллов. Иной механизм разрушения имеет место в реальных кристаллах, содержащих дислокации. Сущность его сводится к тому, что при наличии краевой дислокации сдвиг одной части кристалла по отношению к другой происходит не за счет одновременного разрыва всех атомных связей в плоскости скольжения, а путем постепенного (эстафетного) разрыва отдельных связей в ходе движения краевой дислокации скольжением, на что не требуется больших усилий. После того как начальные дислокации под влиянием небольших усилий начнут перемещаться, их движение ускоряется, число возрастает (размножение дислокаций), что приводит в конечном итоге к пластической деформа- [c.97]

Прочность тел характеризуется критическим напряжением Р, при котором наступает разрыв сплошности тела. Прочность реальных твердых тел в тысячи раз меньше прочности, рассчитанной для идеального кристалла. Это связано, как будет показано далее, с дефектностью их структуры. Дефекты различных размеров, развиваясь в процессе деформации, становятся местами концентрации напряжений. Критическое напряжение на наиболее опасных дефектах возникает при значительно меньших величинах напряжений. [c.12]

Несомненно, каждый реальный кристалл обладает всеми перечисленными дефектами и его свойства в связи с этим должны существенно отличаться от свойств идеализированных кристаллов, модели которых были рассмотрены выше. Дефекты структуры действительно оказывают сильное влияние на многие свойства твердых тел. К ним относятся прочность, электропроводность, механические и электромагнитные потери, каталитические свойства и др. Эти свойства получили название структурно чувствительных. Для описания таких свойств рассмотренные выше модели являются малоподходящими. Однако часто оказывается, что ответственным за какое-либо определенное свойство реального кристалла является один тип дефектов. Это может быть обусловлено тем, что какой-либо дефект присутствует в гораздо большей концентрации, чем прочие, либо же тем, что на данное свойство прочие дефекты влияют в значительно меньшей степени. В таких случаях конкретное структурно чувствительное свойство можно достаточно удовлетворительно объяснить усовершенствованной моделью, включающей модель рассматриваемого дефекта (точечного или протяженного). [c.69]

Мозаичное строение кристаллов нашло подтверждение в опытах по определению прочности кристаллов в зависимости от их величины. Эти опыты показали, что прочность кристаллов значительно возрастает с уменьшением их размеров. При размерах порядка 10 см (что соответствует размеру отдельных блоков) прочность кристаллов достигает значений, в сотни раз превышающих прочность макроскопических кристаллов, и хорошо согласуется с теоретически рассчитанной прочностью. Очевидно, что реальные большие кристаллы разрушаются прежде всего по границам блоков, связанных друг с другом более слабыми сила- [c.255]

Дислокации и прочность материалов. Предыдущая глава была посвящена рассмотрению вопроса о зависимости физико-химических свойств кристаллов от их идеальной структуры. Однако многие свойства кристалла зависят не столько от его идеальной структуры, сколько от тех дефектов, которые всегда присутствуют в реальных кристаллах. Рассмотрим кратко зту зависимость. [c.262]

Поляни [96] принимает й равным около 10 А, следовательно, для хлористого натрия X должно приближаться к 2-Ю -190 = 4-10 дн/см , или около 40 кГ/мм . В зависимости от условий реальный предел прочности на растяжение для поверхности каменной соли может составлять всего сотую или тысячную часть теоретического значения. Странский нашел, что при растяжении измеряемый предел прочности напряжения кристаллов каменной соли заметно возрастает с уменьшением их размеров. Максимальные значения, близкие к теоретическим, получены для кристаллов с размерами ребер порядка 0,02 мм. Если поверхность кристалла покрыта насыщенным раствором, из которого могут осаждаться микрокристаллы, то его предел прочности на растяжение значительно снижается. Однако при добавлении некоторого количества мочевины такого снижения не наблюдается. [c.223]

Большинство реальных кристаллов являются несовершенными, и исследование механических свойств твердых веществ показывает, что макроскопические образцы никогда не обладают теоретической прочностью совершенных кристаллов. На этом основании был сделан вывод, что часть кристаллических дефектов представляет собой дислокации [63], а низкий предел текучести кристаллов обусловлен скольжением, вызванным смещением этих дислокаций. Предполагают, что границы зерен (см. гл. 1) состоят из соответствующего набора краевых дислокаций. [c.239]

Основная теория структурных условий, необходимых для протекания реакции в твердых веществах, была разработана Смекалом его теория структурных дефектов вызвала решающий прогресс в изучении реакций в твердом состоянии. К тому же, она имела огромное значение для понимания физических свойств стекла, особенно таких, как механическая прочность стекловидного волокна на разрыв, и электролитическая проводимость в хрупком состоянии (см. Е. I, 117 и Нй) . Принцип, положенный в основу теории структурных дефектов, заключается в том, что реальные кристаллы никогда не бывают идеально гомогенными они представляют собой мозаику , составленную из более мелких идеальных групп, между которыми рассеяны де-фекты . Для экспериментирования доступны лишь реальные кристаллы, хотя они и не обладают гомогенной структурой, как предполагается согласно геомет- [c.698]

В последние годы А. Смекал попытался объяснить указанным несовершенством кристаллов некоторые их физические свойства. Ясно, что само существование дефектов структуры еще ничего не говорит о степени их влияния на те или иные свойства кристалла. Смекал выбрал из имеющегося весьма обширного экспериментального материала ряд наблюдений, которые, казалось, подтверждали предположение о том, что такие чувствительные (сильно изменчивые) характеристики кристала, как электропроводность, электрическая прочность, механические пределы упругости и прочности определяются главным образом отклонениями реального кристалла от идеальной решетки. Логически такое предположение вполне допустимо. Мы здесь постараемся выяснить, насколько оно может помочь в объяснении реальных процессов в кристалле, в частности электропроводности. Многочисленные опубликованные работы, посвященные этой теме, во многих пунктах не согласуются друг с другом и не всегда содержат достаточно четкие формулировки. Однако я, вероятно, не войду в противоречие с общим духом всех этих работ, если следующим образом представлю картину, из которой исходит теория кристаллических дефектов. [c.264]

Однако я все же настаиваю на том, что именно профессор Смекал выдвинул гипотезу блоковой структуры в непосредственной связи с проблемами механической прочности, особенно в связи с сильным расхождением величин теоретической и технической прочности. В своей статье, на которую я ссылался раньше [1], он писал Если же представить себе, напротив, что решетка реального кристалла состоит из огромного числа субмикроскопических, идеально правильных в смысле борновской теории и почти одинаково ориентированных кристаллических блоков , которые делают возможным возникновение зон нарушенной структуры и пор в кристалле, то удается преодолеть все перечисленные трудности (в том числе расхождение между теоретической и технической прочностью, — Э. О.), не испытывая необходимости отказываться от всех прежних успехов борновской теории решетки. Что касается механической прочности кристаллов, то здесь пригодно в первую очередь приведенное выше объяснение низкой технической прочности . . . . [c.314]

Казалось бы, механическая прочность должна определяться величиной энергии связи между элементами тела. Однако, как показывает опыт, прочность реальных кристаллических тел иногда в сотни раз. меньше теоретического значения, рассчитанного по энергиям связей между атома.ми или ионами. Это объясняется дефектны.м строением реальных кристаллов, наличием в каждо.м материале большого числа дефектных мест и трещин. Разрыв происходит в са.мом опасно.м (дефектном) месте. [c.218]

Неоднородность строения полимеров не может не отразиться на их механических свойствах, подобно тому, как неоднородности низкомолекулярных кристаллов (в данном случае нарушения в кристаллической решетке — дислокации) сильно влияют на их механические свойства. Это влияние проявляется в том, что вследствие существования дислокаций реальные кристаллы способны пластически деформироваться и разрушаться под действием напряжений, значения которых на несколько порядков меньше, чем предел прочности идеальных кристаллов. Более того, оказывается, что в случае полимеров структурная неоднородность является одним из необходимых условий, обеспечивающих их способность к пластической деформации [23, 24]. [c.7]

Дислокации играют чрезвычайно важную роль в механических свойствах твердых тел, прежде всего таких, как ползучесть и прочность. Так, согласно теории упругости кристаллы с идеальной структурой должны бы выдерживать относительную упругую деформацию сдвига, достигающую примерно 50%. Между тем реальные кристаллы подвергаются пластическому течению уже при деформациях ж10 —10 . Это объясняется [c.45]

Дислокации, впервые введенные в науку как гипотетические несовершенства в структуре реальных кристаллов, в настоящее время изучаются как реально существующие объекты, оказывающие значительное влияние на свойства материалов. Многие свойства твердых тел, такие, как прочность, пластичность, ползучесть, в первую очередь обусловлены дефектами кристаллической решетки. В теоретических исследованиях дислокаций можно выделить два подхода микроскопический и макроскопический (континуальный). В первом из них исследуются отдельные дефекты или ансамбли дефектов и их взаимодействия со средой и изучается природа этих объектов в основном на феноменологическом (реже статистическом) уровне описания твердых тел во втором описываются дислокации как нарушение однородности сплошной среды. [c.5]

Работа диспергирования, непосредственно измеренная для хрупких кристаллических тел, действительно оказывается приблизительно пропорциональной величине удельной поверхностной энергии, рассчитанной теоретически, исходя из простейших представлений об энергии связи в идеальной кристаллической решетке по теории Борна и его последователей. В связи с этим важно отметить, что и прочность реальных твердых тел (т. е. кристаллов с дефектной структурой), как известно, в тысячи раз меньшая, чем прочность того же кристалла с идеальной решеткой, приблизительно пропорциональна этой теоретической прочности, т. е. поверхностной энергии. Конечно, речь идет здесь о твердых телах, близких по своим деформационным особенностям — степени хрупкости и пластичности. [c.7]

Сказанное выше нуждается в примечании. Если экспериментальное измерение энергии диспергирования на реальных кристаллах должно давать более высокие значения затраченной энергии ввиду расхода ее на остаточные деформации, на нагрев твердого тела при обработке и т. п., то существует и фактор, снижающий расход энергии в этом процессе иногда в несколько раз.Это наличие дефектов в реальном кристалле. Некоторые виды дефектов, особенно протяженные, такие, как трещины (и дислокации), могут вызвать даже разрушение тела при затратах энергии много более низких, чем рассчитанные. Ярким примером является, например, прочность стекла. [c.389]

Если учесть такое поведение реальных кристаллов, то задача расчета удельной поверхностной энергии становится еще более важной, ибо необходимо все же иметь теоретический критерий значения прочности и твердости кристаллических веществ. Дело в том, что требования новой техники ставят в повестку дня получение новых веществ, прочность которых в несколько раз превышала бы прочность известных. Однако прежде чем пускаться в поиски новых веществ, необходимо взвесить, нельзя ли, устранив дефекты, использовать и уже известные вещества. [c.390]

В кристаллических и аморфных телах всегда имеются внутренние и внешние дефекты, которые существенно снижают их прочность. В местах, где имеются дефекты структуры или микротрещины, происходит концентрация напряжений и такие места становятся очагами разрушения тела. Этим объясняется и тот факт, что прочность реальных тел в сотни раз меньше теоретически рассчитанной прочности. Академик А. Ф. Иоффе поставил очень изящный опыт, демонстрирующий роль поверхностных дефектов в процессе разрушения кристалла. Он погружал на короткое время кристалл поваренной соли в горячую воду. При этом происходило быстрое растворение поверхностного слоя кристалла, в результате чего исчезали микротрещины и выравнивалась поверхность. Прочность кристалла после такой обработки достигала 80% теоретической. Позднее аналогичный эффект наблюдали на стеклянных волокнах, предварительно обработанных плавиковой кислотой, которая хорошо растворяет стекло. [c.41]

Дефекты реальных кристаллов определяют, как известно, их структурную разупорядоченность, которая является важнейшим фактором, определяющим реакционную способность твердых тел, так или иначе связанную с переносом вещества. Из современных представлений физики спекания кристаллических порошков [174] следует, что высокая слеживаемость минеральных удобрений и других неорганических солей связана с подвижностью структурных элементов солевой системы и, соответственно, с малой прочностью структуры дефектных кристаллических блоков. [c.204]

В реальных кристаллах, в отличие от идеальных, всегда имеются различные нарушения (дефекты) правильного расположения частиц. Эти нарушения влияют на свойства кристаллов. Их присутствие отражается на механической прочности, электропроводности, химической активности кристаллических веществ. [c.152]

Сопоставляя условие Гриффитса с теоретическим значением прочности ртеор — ( (т/ ) мы видим, ЧТО отличпе их сводится к замене параметра решетки Ъ в идеальном кристалле на характерную величину ослабленного места — дефекта (трещины) с в реальном теле. Условие Гриффитса позволяет объяснить, почему прочность реальных кристаллов резко понижена сравнительно с Ртеор, коль скоро эти кристаллы уже содержат такие дефекты, однако еще ничего не говорит о причинах появления подобных дефектов, так как трещины меньшей величины [c.171]

Важная особенность прочности реальных твердых тел состоит в том, что она зависит от времени действия нагрузки, в ряде случаев резко падая с убеличением времени. Эта кинетическая особенность не связана с релаксацией напряжений. Независимо от величины периода релаксации, например в упругохрупких стеклах или кристаллах, падение прочности во время пребывания тела под напряжением связано с вероятностью развития опасных дефектов в трещине разрыва. [c.182]

Сознательный, т. е. научно обоснованный синтез прочности или, вернее, носителя прочности реального твердого тела — проблема новых рациональных строительных и конструкционных материалов в современной технике. Она прежде всего и определяет актуальность физико-химической механики, ее выдающееся прикладное значение. Ученые физнко-химнки до последнего времени обычно относились к этой важной проблеме пренебрежительно, считая, что ее разработка — дело технологов и может проводиться эмпирически, без участия физико-химической науки. Со своей стороны, технологи, оторванные от исследователей — механиков и физико-химиков, успешно решали лишь отдельные узкие вопросы, обращаясь к физико-химии только для того, чтобы использовать новые методы измерения. Таким образом, основные задачи не были даже правильно поставлены, не было физико-химических представлений о существе процессов деформирования и разрушения, с одной стороны, и структурообразования — с другой. Даже не выдвигалась проблема установления общих закономерностей в этой важнейшей области науки и практики. Отсутствие современных физико-химических представлений о существе и механизме процессов приводило к техническому формализму в его худшем виде творческое научное исследование подменялось эмпирическими рецептурными сведениями на основе давно устаревших взглядов. Если в области металлов и новых сплавов, а также полимеров и пластиков здесь уже довольно много сделано, то основные проблемы неметалличргких мятрриялов на основе ионных кристаллов (цементы и бетоны, керамика) до последнего времени оставались нерешенными. [c.209]

Одним из свойств, решающим образом зависящим от наличия дислокаций, является прочность кристаллических тел. Зная структуру и энергию химической связи между атомами в кристалле, можно рассчитать силу, необхо димую для деформации и разру шения идеального (т. е. не содер жащего дефектов) кристалла т. е. его теоретическую прочность Опыт показывает, что те напря жения, при которых происходят деформации и разрушение реальных монокристаллов, т. е. их реальная прочность, оказываются в 10 ... 10 раз меньше рассчитанных теоретически. В настоящее время доказано, что причина высокой пластичности и пониженной прочности заключается в существовании в реальных кристаллах легко подвижных дефектов — дислокаций. [c.97]

А. А. Берлин при изучении трехмерных полимеров олигоэфира,крилатов отметил [135], что механическая прочность реальных густосшитых олигомерных сеток на несколько порядков ниже расчетных значений, определенных на основе представлений об однородных непрерывных сетках. Анализируя этот факт, он указал, что трехмерная полимеризация олигоэфиров (ОЭА) уже на ранних стадиях не является гомогенным процессом и характеризуется различными скоростями в локальных структурных областях и усредненном объеме. К числу фактов, которые не укладываются в рамки традиционных представлений о гомогенной радикальной полимеризации виниловых мономеров, относятся аномально высокие константы скорости роста цепи для тетрафункциональных ОЗА и зависимость константы скорости роста от молекулярной массы олигомера, возрастание начальной скорости полимеризации ОЭА при введении в состав молекул олигомера ароматических ядер или полярных групп и т. д. 135]. Эти наблюдения находят объяснение при учете ассоциативных образований, существующих в олигомерных жидкостях и подобных надмолекулярным образованиям типа жидких кристаллов. Если время жизни (продолжительность структурной релаксации) ассоциата Ха больше, чем продолжительность существования активного центра при полимеризации т, то ближний порядок жидкости при этом фиксируется в твердом полимере. Экспериментально показано, что Ха —10- с , а х л 10 , с [135], т. е. что Та Т. [c.69]

Акад. А. А. Байков установил, что полуводный гипс (Са504Х х / НгО) при затворении с водой обнаруживает полную гидратацию через 20 мин после момента затворения, а максимальная прочность достигается через несколько часов и даже несколько дней. Взаимодействие полуводного гипса с водой проявляется не только в гидратации. В результате гидратации образуются реальные кристаллы двуводного гипса определенной формы и размеров. Кристаллики новой формы значительно мельче исходных кристаллов полуводного гипса. Их растворимость намного больше растворимости крупных кристаллов. Насыщение достигается быстро в первые моменты взаимодействия, и дальнейшая гидратация гипса и образование мелких кристалликов Са804-2Н20 протекает в растворе, насыщенном по отношению к ним. [c.34]

Прочность и твердость тела зависит не только от энергии связи между атомами кристаллической рещетки, но и от макроструктуры, v777г кристалла. Реальные кристаллы содержат большое количество дефектов трещины, раковины, инородные включения и др. Эти дефекты в значительной [c.59]

Сильное понижение прочности твердого металла под влиянием малых количеств легкоплавкового поверхностно-активного расплава, в пределе приводит к самопроизвольному разрушению металлического кристалла, т. е. к проявлению всех его наиболее опасных дефектов. Это позволяет осуществлять весьма тонкое диспергирование (например, в вибромельницах) таких металлов, которые не измельчаются в обычных условиях вследствие высокой пластичности. Образовавшиеся частицы, в пределе — блоки мозаики реального кристалла, почти лишенные дефектов структуры, при понижении температуры ниже точки плавления легкоплавкой примеси объединяются тончайшими, а потому также высокопрочными прослойками припоя в плотный и сильно упрочненный мелкозернистый материал. Возникают и другие комбинированные пути повышения прочности реальных твердых тел, приближающие ее к пределу — идеальной прочности бездефектного твердого тела — посредством объединенных физико-химических, термических и механических (вибрационных) воздействий. [c.18]

Изучение кристаллических структур методами рентгеноструктурного (основан на дифракции рентгеновских лучей кристаллической решеткой вещества) и электронографического анализа (основан на дифракции электронов или нейтронов) показало, что реальные кристаллы отличаются от идеальных. В реальных кристаллах строгая пространственная периодичность нарушается из-за наличия дефектов кристаллической структуры. Многие свойства кристаллических тел объясняются наличием таких дефектов. Последние могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, или примесными, если в кристалле появляются посторонние примеси, введенные случайно или преднамеренно. Дефекту. могут затрагивать одну или несколько элементарных ячеек или весь кристалл в целом. В технологии пигментов большой интерес представляют, например, такие дефекты, как ультрамикротрещины, определяющие прочность кристалла, что в свою очередь играет важную роль в процессах измельчения и диспергирования пигментов. Если в момент кристаллизации возникают механические помехи росту кристалла, в нем может возникнуть дефект, называемый дислокацией. При деформациях кристалла дислокации и их скопления могут перерастать в ультрамикротрещины. Во многих случаях в узлах кристаллической решетки могут отсутствовать структурные единицы, т. е. атомы, ионы или молекулы. Такие дефекты носят название вакансий. В пространстве между узлами (в междоузлии ) могут присутствовать атомы, ионы или молекулы, причем как свои собственные (принадлежащие веществу кристалла), так и примесные (принадлежащие другому веществу). Вакансии и наличие атомов, ионов или молекул в междоузлиях оказывают существенное влияние на оптические свойства пигментов (цвет, показатель преломления), их электропроводность, а также на скорость роста кристаллов, особенно при реакциях в твердой фазе. [c.182]