Халькогениды алюминия, галлия и индия

Книга знакомит с химическими и полупроводниковыми свойствами соединений элементов III Б подгруппы периодической системы Д.И.Менделеева с халькогенами серой, селеном и теллуром.Рассмотрены методы синтеза, выращивания монокристаллов, основные полупроводниковые свойства двойных халькогенидов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, закономерности образования халькогенидов этих элементов и изменение свойств в рядах соединений-аналогов. [c.4]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Халькогениды алюминия, галлия и индия. При химическом взаимодействии алюминия и металлов подгруппы галлия с халькогенами на соответствующих диаграммах состояния наибольший интерес представляют соединения Aa Bj. Ho указанные соединения A2 B в которых элементы П1 группы находятся в степени окисления -f 3, не получают такого развития в системах с участием таллия. Здесь опять же сказывается эффект инертной пары Сиджвика, в результате чего для таллия характерной степенью окисления является -f 1, а не 4- 3. . [c.198]

Как видно из табл. 31, халькогениды алюминия и галлия кристаллизуются в тетраэдрических структурах. Из соединений индия только теллурид кристаллизуется в структуре сфалерита. Однако р-модификация селенида индия по структуре очень [c.147]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

Образование соединений состава А Вз наиболее характерно для халькогенидов элементов И1 Б подгруппы. В отличие от халькогенидов этих же элементов состава iiigvi соединения алюминия, галлия и индия состава [c.197]

Образование соединений состава Ag Bj наиболее характерно для халькогенидов элементов III Б подгруппы. В отличие от халькогенидов этих же элементов состава AIIIBVI соединения алюминия, галлия и индия состава A BJ имеют наибольшие теплоты образования и в большинстве случаев более высокие температуры плавления, что иллюстрируют данные табл. 26. [c.197]

Селенид алюминия получается осаждением из раствора соли, но чаще, как и теллурид алюминия, сплавлением компонентов в графитовых тиглях, помещенных в кварцевые ампулы [369]. Халькогениды галлия и индия получаются сплавле- [c.148]