Трехчастичная ион-ионная рекомбинация

Трехчастичная рекомбинация при столкно- Р.9,Р.10 вении ионов с тяжелой частицей [c.19]

Трехчастичная ион-ионная рекомбинация [c.101]

При малых температурах узкое место лежит в области водородоподобных уровней и, как было отмечено, скорость трехчастичной электрон-ионной рекомбинации находится по формуле (3.14). Населенности уровней, расположенные ниже узкого места, имеют существенно неравновесные значения, так как [c.127]

В предположении, что к наиболее вероятным процессам относятся ионизация электронным ударом, трехчастичная и радиационная рекомбинации, в которых кратность п иона изменяется на единицу, уравнения баланса концентраций ионов Nn имеют вид [c.239]

Здесь Р ,п+ — скорость ионизации электронным ударом иона кратности п в ион кратности п+1, Рп+1,п — константа трехчастичной рекомбинации иона кратности п+1 в п-кратный ион, Ат.п — вероятности радиационных переходов. [c.239]

ТРЕХЧАСТИЧНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ ИОН-ЭЛЕКТРОН- [c.8]

Процесс трехчастичной рекомбинации атомарных ионов как примеси в молекулярном газе сопровождается передачей энергии возбуждения вращательным и колебательным степеням свободы молекул [5]. [c.299]

Представленные здесь модели могут быть применены и для описания трехчастичной рекомбинации многозарядных атомарных ионов в процес- [c.299]

Вычисление константы скорости трехчастичной рекомбинации ионов при невысоких давлениях. [c.305]

ТРЕХЧАСТИЧНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ ИОН-ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОН [c.321]

Развитая теория применима к реальным потенциалам взаимодействия, позволяет оценивать скорости процессов диссоциации и рекомбинации в молекулу. В рамках данной теории впервые найдена скорость трехчастичной ион-ионной рекомбинации, совпадающая в предельных случаях больших и малых давлений газа с классическими результатами Ланжевена /26/ и Томсона /27/ соответственно. Теория ионн-ионной рекомбинации, являющаяся основным процессом для эксимерных лазеров /28/, имеет много общего с теорией /3/ процесса электрон-ионной рекомбинации и содержит основные черты поуров-невой кинетики /29/. Формулы для скоростей реакций содержат аррениусовский множитель, включают параметры потенциала взаимодействия реагирующих частиц и окружающей среды. Степень воздействия частиц внешней среды на реагирующую систему опреде- [c.74]

Трехчастичная ион-ионная рекомбинация является одним из наиболее важных процессов при разрядах в электроотрицательных газах, а также в анализе кинетики активных сред эксимерных лазеров. Прямые измерения скорости данного процесса сопряжены с большим числом побочных реакций, протекающих в разрядах. Поэтому в литературе мало данных о прямых измерениях скоростей трехчастичной ион-ионной рекомбинации, и имеется ряд работ, в которых скорость данного процесса оценивается лишь по порядку величины (см., например, /35, 360- Первые работы по вычислению скорости ион-ионной рекомбинации выполнены Томсоном /27/ и Ланжевеном /26/ соответственно для малых и больших давлений газа. Обобщение этих теорий на случай произвольных плотностей (или давлений) газа было проведено Натансоном /37/ и Флэнери /38/. Несмотря на качественный характер этих моделей, они уловлетворительно объясняют имеющиеся экспериментальные данные. В данном разделе будет показано, что последовательная теория трехчастичной ион-ионной рекомбинации, содержащая предельные случаи Томсона и Ланжевена, базируется на применении стохастической теории химических реакций /24/. [c.101]

Заселение в результате экзотермических процессов и химических реакций, часть энергии которых может переходить в энергию электронного возбуждения продуктов [26—28] ион-электронная рекомбинация (диссоциативная или трехчастичная) [72, 74, 75, 78, 127, 137], рекомбинация незаряженных частиц (трехтельная [125] и бинарная — в результате процесса, обратного предиссоциации [126, 137]) обменные реакции реакции присоединения [26—28, 321, 322]. [c.115]

Результирующее выражение для Г может быгь записано через стандартный коэффициент трехчастичной рекомбинации (14), связанный со столкновениями электрон-ион-электрон и некоторой величиной [c.284]

Процесс трехчастичиого прилипания с участием двух электронов Х+е+е Х +е аналогичен трехчастичной рекомбинации А%е+е А+е. Константу скорости процесса трехчастичного прилипания можно определить, используя принцип детального равновесия (см. описание модели Р. 16) по отношению к обратному процессу — разрушению отрицательного иона электронным ударом (модели Р. 11, Р. 12). [c.313]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология