Эксимерный лазер

По своим спектральным характеристикам полученные продукты могут быть использованы в качестве материалов высокого разрешения для дальнего УФ, в частности, для источников когерентного излучения эксимерных лазеров КгР (248 нм), АгР (193 нм), РР (157 нм). [c.54]

Другой путь образования частиц с заданным вектором скорости - это процессы фотодиссоциации. Так, известно, что горячие атомы водорода можно получать при лазерном фотолизе молекул HI и НВг с помощью эксимерных лазеров. При этом энергия поступательного движения атома Н зависит от длины волны облучающего излучения лазера. [c.136]

Наряду с обычными свойствами резист для глубокого УФ-света должен не только хорошо поглощать свет в области коротковолнового УФ-света (210—270 нм), но и не иметь поглощения в более длинноволновой области. Последнее избавляет от необходимости решать сложную задачу фильтрации актиничного длинноволнового света в спектре источника экспонирования. Одновременно для экспонирования в этой области разрабатываются специальные методы и источники света [4], применяются эксимерные лазеры [5]. Поскольку кванты света в коротковолновом УФ-свете несут примерно в 2 раза больше энергии, чем на грани видимой области спектра, то для сокращения энергозатрат и уменьшения нагревания слоев при экспонировании важно сильно повысить светочувствительность композиций по сравнению с обычными резистами. [c.177]

Примечания а) лазеры Л — на красителях с ламповой накачкой N<1 ИАГ — на красителях, накачиваемые твердотельным неодимовым лазером А — на красителях, накачиваемые азотным лазером Э — на красителях, накачиваемые эксимерным лазером [c.857]

Чтобы выполнить эти требования, необходимо иметь лазер с энергией в импульсе Дж при длительности импульса менее 5 не с перестройкой длины волны в ближнем УФ и всем видимом диапазонах спектра. Наиболее близким по совокупности параметров является эксимерный лазер в комбинации с лазером на растворах органических красителей. [c.166]

ПОСЛЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ КРИПТОН РЕАГИРУЕТ КАК РУБИДИЙ. ЭТО ДЕЛАЕТ возможным РАБОТУ ЭКСИМЕРНОГО ЛАЗЕРА. [c.209]

Полученные простые выражения для длины торможения РЭП можно использовать в расчетах оптимальных режимов химических и эксимерных лазеров, инициируемых электронными пучками [19, 26, 65]. [c.133]

Рассмотрение эксимеров и эксиплексов в разд. 5.4 указывает и другой путь получения инверсии заселенности. Поскольку время жизни основного состояния образующей комплекс пары не превышает одного периода колебания, его заселенность пренебрежимо. мала. Образование возбужденного комплекса неизбежно обеспечит большую заселенность, чем гипотетического основного состояния, и действие лазера становится возможным. Эксимерные лазеры работают по тому же принципу, хотя для некоторых напболее важных примеров, основанных на системах благородный газ — галоген, точнее подходило бы название экснплексные . Аргон, криптон и ксенон образуют эксиплексы с атомами Р и С1 (так же как Хе с Вг). Можно получить лазерное излучение в вакуумной УФ-области, с наиболее короткой длиной волны А=175 нм для АгС1. Первоначальное возбуждение происходит в форме электрического разряда, и последовательность реакций можно записать как [c.146]

Для создания активных частиц с помошью света используют однофотонное, двухфотонное и многофотонное поглощение. Технически наиболее просто однофотонное поглощение. Если для создания активных частиц применяют фотодиссоциацию, то обычно облучают УФ-светом с помощью эксимерных лазеров, особенно лазеров на КгР (X = 248 нм), АгР (X = 193 нм). Часто используют и четвертую гармонику лазера Nd ИAГ (Л.=265 нм). Достоинствами этих лазеров для фотолиза является короткая длительность импульса (< 10 с), удобный спектральный диапазон для фотодиссоциации, высокая спектральная яркость и частота повторения (позволяет накапливать сигнал). [c.135]

В ряде систем проекционной литографии принято Оопт = 0,7, что, с одной стороны, повышает крутизну пограничной кривой, дает при некоторых заданных пространственных частотах большие значения ОПФ (ЧКХ), а с другой стороны, еще не приводит к значительным осцилляциям интенсивности (что может, например, дать оконтуривание изображения — двойной край ), резонансным эффектам, характерным для когерентного освещения. Учет подобных эффектов, ограничивающих возможности фотолитографии, становится особенно важным при использовании лазеров в качестве источников излучения для формирования микроизображений [33]. При использовании лазеров в качестве мощных источников монохроматического излучения основной проблемой является именно уменьшение когерентности, существенно ухудшающей ( когерентный шум ) качество изображения и приводящей к резонансным эффектам в изображении, что особенно опасно при передаче сложной конфигурации. Снижение пространственной когерентности излучения может быть осуществлено различными способами—от временного усреднения путем вращения рассеивающих компонентов или сканирования по зрачку [33] объектива до создания специальных, например эксимерных, лазеров, дающих некогерентное излучение [21, 34]. [c.30]

На ЗЮг/З с помощью этого позитивного резиста, сенсибилизированного бензофеноном, проведена фотолитография и травление подложки размеры полученных элементов составляют 10 мкм. Механизм фотораспада полимера наряду с тривиальным радикальным распадом связи С—ЗОг может включать как первые стадии фотоокисление по связи — С—Н, фотоотрыв у-водорода карбонилом цепи или карбонилом бензофеноиа и другие реакции, которые, несомненно, требуют изучения [20]. Система НС + нафто-хинондиазид не подходит для глубокого УФ-света, так НС и замещенная инденкарбоновая кислота поглощают интенсивно до 300 нм и поэтому для разложения о-нафтохпнондиазпда в слое нужна слишком большая экспозиция, что приводит к переэкспонированию наружных частей и размыванию рельефа нри проявлении. Рельеф, полученный из НС, очувствленной хинондиазидом, может непосредственно служить маской при экспонировании ПММА [пат. США 4211834]. Однако при экспонировании эксимерным лазером (ХеС1, А, = 308 нм КгР, А-= 248 нм) снимаются жесткие требования к фоторезисту по светочувствительности и становится возможным использование обычных резистов типа НС + нафто-хинондиазид эта техника представляет практический интерес [21], Кислота Мельдрума имеет полосу поглош,ения (максимум при [c.183]

Для накачки лазера на красителе используются твердотельный лазер на основе алюмоиттриевого граната, активированного неодимом (YAG Nd ), азотный и эксимерный лазеры, а также лазер на парах меди. [c.852]

Основой оптического узла установки является эксимерный лазер 1 на молекулах ХеС1 с параметрами [c.857]

В описанных методах лазерного разделения изотопов используют три различных типа лазеров с высокой частотой повторения импульсов, которые можно назвать базовыми для соответствующих методов разделения лазеры на красителях видимого диапазона, УФ эксимерные лазеры и ИК СОг-лазеры в сочетании с различными методами преобразования частоты. По мере того, как эти типы лазеров превращаются в высоконадёжные системы с уровнями средней мощности > 10 кВт и появляются новые лазеры, например, твердотельные лазеры с накачкой решётками лазерных диодов, растут возможности промышленного использования описанных методов лазерного разделения изотопов. [c.374]

На оксиморах атомов инертных газов в пастояп.] ев время созданы мопцгые лазеры, работающие в видимом и ультрафиолетовом диапазонах (X — 5600 -г- 1700 А). Эксимерные лазеры обладают очень высокими выходными параметрами в связи с благоприятными условиями для создания инверсной заселенности и высокой эффективностью преобразования вводимой энергии электронного пучка в эпер1 ию эксимеров [121]. [c.63]

НИЛОМ цепи или карбонилом бензофенона и другие реакции, которые, несомненно, требуют изучения [20]. Система НС + нафто-хинондиазид не подходит для глубокого УФ-света, так НС и замещенная инденкарбоновая кислота поглощают интенсивно до 300 нм и поэтому для разложения о-нафтохинондиазида в слое нужна слишком большая экспозиция, что приводит к переэкспонированию наружных частей и размыванию рельефа при проявлении. Рельеф, полученный из НС, очувствленной хинондиазидом, может непосредственно служить маской при экспонировании ПММА [пат. США 4211834]. Однако при экспонировании эксимерным лазером (ХеС1, Х==308 нм КгР, 7. = 248 нм) снимаются жесткие требования к фоторезисту по светочувствительности и становится возможным использование обычных резистов типа НС -Ь нафто-хинондиазид эта техника представляет практический интерес [21], Кислота Мельдрума имеет полосу поглощения (максимум при [c.183]

Перестройку источников монохрол1атического когерентного излучения по частоте можно осуществить различными методами. Один из методов, например, состоит в применении активной среды, обладающей достаточно большим усилением в широком спектральном диапазоне. Установка диспергирующих элементов внутри лазерного резонатора сужает спектр выходного излучения н позволяет перестраивать длину волны лазера в пределах спектральной полосы генерации. К таким перестраиваемым устройствам относятся лазеры на красителях и эксимерные лазеры. Другой путь перестройки длины волны — сдвиг энергетических уровней активной среды с помощью внешних нолей или взаимодействий другого типа примерами этого типа лазеров являются лазеры с переворотом спина и полупроводниковые лазеры. [c.256]

Открытие эксимерных лазеров выявило новый большой класс активных сред для перестраиваемых лазеров, работающих в диапазоне от видимой области до вакуумного ультрафиолета [91]. Эксимеры — это квазимолекулы, имеющие связанные возбужденные электронные состояния, но несвязанное основное состояние, описываемое отталкивательной потенциальной кривой с мелким вандерваальсовским минимумом. Глубина этого минимума мала по сравнению с тепловой энергией кТ прн комнатной температуре (рис. 5.4). В качестве атомов, образующих гомоядерные эксимеры, можно назвать благородные газы от Не до Хе. Гетероядернымн эксимерамн являются, на- [c.266]

Для селективного возбуждения молекул используют предварительное резонансное возбуждение достаточно узких колебательных уровней ИК"Лазером с последующим возбуждением УФ-излучением в возбужденные электронные состояния (рис. 4.11,6). На первом этапе обеспечивается нужная избирательность, а на втором электронное возбуждение, необходимое для существенного изменения реакционной способности молекул и осуществления их превращений. Под действием интенсивного ИК-излучения заселяются более высокие колебательные подуровни основного электронного состояния, и электронные спектры поглощения смещаются в длинноволновую область, где и осуществляется возбуждение УФ-светом. В качестве примеров приведем селективную фотодиссоциацию аммиака ЫНз и три-фториодметана, содержащего изотопы и [332], наблюдаемые при одновременном воздействии ИК-излучения лазера на диоксиде углерода и УФ-излучения электрической искры, азотного или эксимерного лазера (тильда — колебательное возбуждение) [c.227]

Развитая теория применима к реальным потенциалам взаимодействия, позволяет оценивать скорости процессов диссоциации и рекомбинации в молекулу. В рамках данной теории впервые найдена скорость трехчастичной ион-ионной рекомбинации, совпадающая в предельных случаях больших и малых давлений газа с классическими результатами Ланжевена /26/ и Томсона /27/ соответственно. Теория ионн-ионной рекомбинации, являющаяся основным процессом для эксимерных лазеров /28/, имеет много общего с теорией /3/ процесса электрон-ионной рекомбинации и содержит основные черты поуров-невой кинетики /29/. Формулы для скоростей реакций содержат аррениусовский множитель, включают параметры потенциала взаимодействия реагирующих частиц и окружающей среды. Степень воздействия частиц внешней среды на реагирующую систему опреде- [c.74]

Трехчастичная ион-ионная рекомбинация является одним из наиболее важных процессов при разрядах в электроотрицательных газах, а также в анализе кинетики активных сред эксимерных лазеров. Прямые измерения скорости данного процесса сопряжены с большим числом побочных реакций, протекающих в разрядах. Поэтому в литературе мало данных о прямых измерениях скоростей трехчастичной ион-ионной рекомбинации, и имеется ряд работ, в которых скорость данного процесса оценивается лишь по порядку величины (см., например, /35, 360- Первые работы по вычислению скорости ион-ионной рекомбинации выполнены Томсоном /27/ и Ланжевеном /26/ соответственно для малых и больших давлений газа. Обобщение этих теорий на случай произвольных плотностей (или давлений) газа было проведено Натансоном /37/ и Флэнери /38/. Несмотря на качественный характер этих моделей, они уловлетворительно объясняют имеющиеся экспериментальные данные. В данном разделе будет показано, что последовательная теория трехчастичной ион-ионной рекомбинации, содержащая предельные случаи Томсона и Ланжевена, базируется на применении стохастической теории химических реакций /24/. [c.101]

Для получения сверхзвуковых пучков радикалов все более широкое применение находит лазерный фотолиз сверхзвуковой струи. В работе [109] был получен импульсный пучок радикалов СНг фотолизом примесного импульсного пучка СН СО в смеси с Не (1 99) излучением лазера с Я=337 нм с длительностью импульсов 4—5 НС и мощностью 2 мДж. Лазерный луч пересекал сверхзвуковой поток в 1 см от среза сопла диаметром 1 мм, т. е. по достижении полного расширения. Пучки радикалов SH и N получаемых лазерным фотолизом примесных пучков HzS и Br N были исследованы в работе [ПО]. Для фотолиза использовался эксимерный лазер ArF с энергией импульса 100 мДж, а область пересечения молекулярного и лазерного пучков могла перемещаться относительно сопла на расстояние от О до 15 мм. Показано, что образующиеся радикалы могут иметь значительный запас внутренней энергии, ooTo i ствующей распределению с температурой 3000 К. Подбор экспериментальных условий, в частности степени расширения струи в зоне пересечения с лазерным пучком, позволяет полу- [c.160]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология