Кристаллы относительная, коэффициент

Рис. 57. Локальные угловые коэффициенты элемента кристалла относительно окружающих его поверхностей

Мы не можем закончить обсуждение этого вопроса однозначным выводом. С одной стороны, ИК-спектры ориентированных образцов в поляризованном свете, несомненно, полезны при отождествлении колебательных полос и при грубом определении ориентации групп в молекулах. С другой стороны, имеется достаточно оснований, чтобы соблюдать осторожность при детальной количественной интерпретации результатов. Даже в случае нафталина, когда взаимодействие между молекулами в кристалле относительно мало, наблюдаются отклонения от модели ориентированного газа [1636]. В кристаллах с Н-связью межмолекулярные взаимодействия гораздо сильнее, а коэффициент поглощения ИК-полос испытывает анизотропные возмущения за счет Н-связи, поэтому такие отклонения должны быть еще больше. Как отметили Хаггинс и Пиментел [979], дихроизм полос валентных колебаний определяет ориентацию связи только в случае линейной Н-связи, когда интенсивность полосы валентного колебания усилена за счет индуцированного дипольного момента, направленного вдоль связи А — Н. В тех же случаях, когда линейность Н-связи не доказана, необходимо иметь в виду, что приращение дипольного момента может быть параллельно связи [c.106]

Для безграничного кристалла зависимость коэффициентов М. (т, п т, п ) от своих аргументов должна обеспечивать инвариантность относительно одновременного сдвига начала отсчета всех номеров-векторов. Следовательно, коэффициенты М. фактически зависят от трех разностей типа п — п, т — п, т — п. Среди этих разностей всегда можно выбрать в качестве независимых, например, такие т — п, т — п, р = п — п (действительно т — [c.115]

Направление в кристалле относительно базовой плоскости Модуль упругости, кг ми Коэффициент Пуассона [c.188]

Коэффициент упаковки низкомолекулярных органических кристаллов колеблется в пределах от 0,68 до 0,80. Следовательно, даже в кристаллах относительный свободный объем составляет 20—32%. В жидкостях он может достигать 50%. При этом свободный объем жидкости и кристаллов имеет различную природу. Свободный объем, или объем пустот кристалла, обусловлен имеющимися неплотностями в упаковке ионов, атомов или молекул, а также ангармоничностью колебаний атомов относительно положений равновесия, т. е. флуктуационным объемом, В жидкостях смещаются и сами положения равновесия, что приводит к образованию микрополостей, или дырок , распределенных по объему неравномерно. Эти дырки имеют флуктуационную природу, они очень малы, но по мере повыщения температуры и приближения к температуре кипения их объем возрастает [15] V/ жидкости больще Vf кристалла того же вещества примерно на 10%, и это возрастание свободного объема достаточно, чтобы создать требуемый для текучести простор [15]. [c.122]

Уравнение (12.64а), очевидно, является уравнением дисперсионной поверхности в случае поглощающего кристалла. Что касается уравнения (12.646), то оно непосредственно позволяет получить общее выражение для относительного коэффициента поглощения [c.338]

На практике выделение -парафинов может проводиться как в результате сорбции измельченным твердым карбамидом, обычно применяемым в виде суспензии в растворителе, так и путем смешения нефтепродукта с гомогенны. раствором карбамида, в результате чего из смеси выделяется белый сметанообразный осадок, после фильтрования и сушки превращающийся в кристаллическое вещество. Кристаллы комплекса обладают гексагональной структурой, в которой молекулы карбамида располагаются спиралеобразно и связываются за счет водородных связей между атомами кислорода и азота смежных молекул, повернутых друг относительно друга на 120° и образующих круглый в сечении канал. Важнейшая особенность структуры комплексов — строго фиксированный диаметр этого канала, лежащий в пределах (5-=-6)-10" мкм. Внутри канала легко могут располагаться линейные молекулы парафина (эффективный диаметр молекулы (3,8- -4,2)-10 мкм] и практически не размещаются молекулы разветвленных парафинов, ароматических углеводородов (эффективный диаметр молекулы около 6- 10 мкм) и т. д. Этим свойством карбамидный комплекс напоминает цеолит. По другим признакам аддукт близок к химическим соединениям. Так, карбамид реагирует с углеводородами в постоянном для каждого вещества мольном соотношении, медленно возрастающем с увеличением длины цепочки, причем для различных гомологических рядов эти соотношения также несколько отличаются. Величины мольных соотношений, хотя и представляющие собой дробные числа (табл, 5.23), напоминают стехио-метрические коэффициенты в уравнении закона действующих масс. С возрастанием длины цепочки увеличивается и теплота образования аддукта. Эго, в частности, проявляется в том, что высшие гомологи вытесняют более низкие 1.3 -аддукта. [c.315]

Таким образом, при использовании слабого влагопоглотителя необходима высокая скорость адсорбции на его поверхности. Поскольку в настоящее время такой влагопоглотитель не известен, то на практике пошли по другому пути, — по пути замедления процессов адсорбции на поверхности кристалла полупроводника. Последнее достигается покрытием р—п перехода различными лаками. При этом скорость адсорбции значительно уменьшается, что позволяет поддерживать на поверхности кристалла примерно постоянную концентрацию молекул воды. Изложенный способ стабилизации параметров позволяет использовать в корпусе прибора атмосферу с оптимальной относительной влажностью и обеспечивает высокие значения коэффициента усиления р и низкий уровень обратных токов. Однако метод покрытия р—п перехода лаком не может обеспечить высокую надежность полупроводниковых приборов, так как при частых изменениях температуры такое покрытие растрескивается и в этих местах возможна быстрая адсорбция влаги. [c.216]

Структурные особенности жидкости и вид радиальной функции для нее хорошо передаются представлением о так называемой случайной плотной упаковке (напомним, что для моле-, кулярных кристаллов характерна регулярная плотная упаковка). Случайную упаковку шаров получают, например, прн встряхивании их в баллонах с нерегулярной шероховатой пс-верхностью. При этом объем сфер составляет 0,64 от общего объема, тогда как коэффициент заполнения для регулярной плотной упаковки 0,74. Относительное увеличение объема при плавлении аргона приблизительно и соответствует различию плотностей регулярной и случайной плотной упаковок шаров. Функция g r) аргона близка к радиальной функции распределения для случайной плотной упаковки твердых сфер [c.199]

Изучение пористости пленок ЗЮ на кремнии. Пленки ЗЮ , используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образую-ш,иеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов (если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации) микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии (захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов (вакансий) в кластеры. Наличие пор в значительной мере осложняет использование оксидной пленки в качестве маскирующего покрытия (поскольку поры являются каналами диффузии) и для изоляции (вследствие возможных замыканий алюминиевой разводки на тело прибора). Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [c.122]

Таким образом, в гетерогенной системе, состоящей из осадка и насыщенного относительно него раствора, непрерывно протекают два процесса с одинаковой скоростью переход ионов в раствор и их осаждение на поверхности кристаллов. Скорость перехода ионов в раствор v пропорциональна величине поверхности S осадка, т. е. V = k S, где k — коэффициент пропорциональности. [c.131]

Ионные кристаллы о бычно имеют очень низкую электропроводность. Чем объясняется относительно высокая электропроводность кристаллов иодида серебра и положительный температурный коэффициент его электропроводности [c.329]

Используя формулу (V.147), можно получить расчетные выражения для определения угловых коэффициентов элементарных кольцевых поверхностей расплава, потолочного экрана и зазора между кристаллом и потолочным экраном относительно тигля и бокового экрана. [c.172]

Эти коэффициенты показывают, во сколько раз меньше относительная концентрация примеси в кристаллах, в твердой фазе и больше в маточном растворе, по сравнению с исходным раствором, перед кристаллизацией- Естественно, коэффициенты К всегда больше единицы или в пределе равны единице. [c.66]

Для данного температурного интервала численные значения коэффициентов Л и а равны соответственно Л 0,13-10 , —0,018. Из рис. 33 ясно, что увеличение температуры кристаллизации способствует очистке от примеси натрия и других пирамид роста. Материал пирамиды <с>, синтезированный в температурном интервале 520—630 К со скоростью 1 мм/сут, не должен мутнеть после прокаливания. Однако для высокотемпературной области (>350 °С) не найдены условия стабильного роста плоскости базиса при относительно низких степенях заполнения (<0,80). Поэтому выращивание беспримесных кристаллов кварца на про- [c.119]

Получим формулы для аналитического определения угловых коэффициентов применительно к системе, представленной на рис. 54. Для данной системы аналитическим способом будут определены угловые коэффициенты элемента кристалла относительно кольцевых поверхностей, расположенных в плоскостях, перпендикулярных к его оси, а также угловые коэффициенты этих элементарных кольцевых поверхностей относительно окружающих их наружных цилиндрических оболочек. Кольцевые поверхности и цилиндрические оболочки коаксналь-ны с кристаллом. [c.168]

Если в формуле (V.143) принять n=, то кольцевой сегмент заменяется эквивалентным по площади полукольцом с радиусами Rep и Гср. Используя выражение (V.143), можно получить формулы для определения угловых коэффициентов элементарной кольцевой поверхности кристалла относительно поверхностей расплава, потолочного экрана, зазора между кристаллом и потолочным экраном, а также замыкающих кольцевых поверхностей, перпендикулярных оси кристалла. Определим угловой коэффициент элементарной кольцевой поверхности 2nrdr, расположенной в плоскости, перпендикулярной оси кристалла, с цилиндрической поверхностью III высотой h, расположенной коаксиально с кристаллом (рис. 56), На основании симметрии системы можно утверждать, что указанный угловой коэффициент будет равен угловому коэффициенту элементарной площадки rdrd- относительно той же цилиндрической поверхности. Найдем выражение для определения этого коэффициента. Интеграл (V,139) для рассматриваемого случая запишется так [c.170]

Результаты исследований фотолюминесценции термообработанных синтетических алмазов свидетельствуют о том, что увеличение температуры (7 2220 К) и продолжительности отжига способствует усилению интенсивностей полос фотолюминесценции, т. е. увеличению концентрации соответствующих ОАЦ. Однако даже при максимальных условиях обработки кристаллов относительная интенсивность полос S2 в сравнении с интенсивностью этой же полосы фотолюминесценции природного алмаза чистого типа III с высокой концентрацией 61-центра (коэффициент поглощения а 175 30 см ) на 1,5—2 порядка слабее. [c.432]

В следующем разделе будут представлены данные по коэффициентам распыления для очень низких энергий ионов (пороговых энергий распыления). Для энергий распыления выше пороговой с увеличением энергии нонов коэффициент распыления растет сначала экспоненциально, потом линейно, затем сублинейно и имеет пологий максимум при дальнейшем увеличении энергии ионов коэффициент распыления уменьшается. Типичные кривые для поликристаллической меди, облучаемой ионами аргона, приведены на рис. 2. Большие расхождения данных у различных исследователей обусловлены различием в преимущественной ориентации кристаллитов в поликристаллических образцах. Исследования ионного распыления монокристаллов показали, что коэффициенты распыления, особенно при высоких энергиях ионов, сильно зависят от ориентации кристалла относительно пучка ионов [19]. Ионы проникают в решетку мишени наиболее глубоко тогда, когда направление пучка соответствует меньшей плотности проекций узлов кристаллической решетки на плоскость, перпендикулярну19 данному направлению. В результате увеличения глубины проникновения ионов эффективность их захвата решеткой возрастает, а коэффициент распыления — уменьшается [20, 21]. [c.372]

Из дапных -экснериментальных зависимостей АЯ от ориентации кристалла относительно внешнего магнитного ноля для различных гидратов (см. гл. III) видно, что имеется по крайней мере два типа угловой зависимости. Модель прецессии допускает лишь один тип этой зависимости АЯ = a(3 os 0 — 1), где а — коэффициент, определяемый углом прецессии и меж-нротонным расстоянием в молекуле Н2О 0 — угол между осью прецессии и внешним полем Нд. Следовательно, появление гидратов с другими типами угловой зависимости вообще необъяснимо в рамках теории Яно. [c.19]

В качестве первой исследуемой системы выбирались раствор и кристаллы алюмоаммонийных квасцов. Система уравнений, описывающая движение, рост кристалла совместно с явлениями тепло-и массообмена (следствие из системы (1.58)), решалась для двух значений температур (вариант I—7 i=--293K варпант II—7 j= = 295 К при Сц=126 кг/м в обоих вариантах) при различных начальных значениях масс кристаллов (0,5—1,2 мг). Неизвестными являлись кинетический коэффициент е и параметр Ua в (1.251). Неизвестные параметры определялись из сопоставления экспериментальных и расчетных данных по скорости осаждения, методом сканирования в достаточно широком диапазоне значений. Для всех вариантов величины параметров (е = 43,8 см/с f7<.= 13 250 Дж/ /моль) совпали (относительная ошибка менее 8%). Одинаковые величины объясняются независимостью параметров е и от массы кристаллов. Коэффициент B vd, где < - 10 см, v s[10 — [c.80]

Скорость относительного движения частиц в турбулентном потоке можно представить в виде [ИЗ] иа—u l (ea) где в — удельная мощность на перемешивание. Коэффициент массоотдачи для кристалла, взвешенного в турбулентном потоке, представим в виде [114] (eDVva ) / . Удельную мощность на перемешивание представим в виде [115] е = к,р, п ё Тогда скорость роста [c.311]

Некоторые из этих соединений обеспечивают лучшую растворимость воды, другие имеют требуемый коэффициент распределения, третьи образуют с водой смеси, имеющие наименьшую температуру кристаллизации. Ряд исследованных соединений обладает удовлетворительными значениями всех требуемых показателей. Соединения с наилучшим сочетанием этих свойств характеризуются меньшей концентрацией в топливе, необходимой для предотвращения образования кристаллов льда при низких температурах. В табл. 53 и 54 показаны для ряда соединений значения этих концентраций в топливе ТС-1 различной влажности при температурах до —40 °С. Эти данные показывают, что наименьшая концентрация требуется для соединений с относительно большим коэффициентом распределения между водой и топливом и наименьшей температурой замерзания водных растворов. В табл. 53 приведены минимальные концентрации присадок, требующиеся при условии, что часть воды, хотя и не образует кристаллов льда, но остается в эмульгиро- [c.211]

Наиболее легко воспроизводим и устойчив каломелевый электрод с насыщенным раствором КС1. Однако он несколько неудобен в обращении, так как поверхность электродного сосуда обычно покрывается слоем кристаллов КС1. Кроме того, он обладает относительно большим температурным коэффициентом. Электрод с 1,0 М раствором КС1 называют нормальным каломвлевым электродом (н. к. э.). [c.143]

Максимальное сходство жидкости с твердым веществом наблюдается вблизи температуры кристаллизации. Изменение физикохимических свойств вещества при его отвердевании (плавлении), как правило, невелико. Это видно из данных табл. 1.16, в которой приводятся относительные изменения объема V, теплоемкости С и коэффициентов сжимаемости х при плавлении, а также теплоты плавления ЛЯ л для некоторых металлов. Аналогичная закономерность наблюдается для самых различных веществ (а не только для металлов) и для многих других свойств. Так, для большинства веществ изменение объема при кристаллизации составляет 10%. Это означает, что меж-частичное расстояние меняется всего лишь на 3%, т. е. расположение частиц в жидкости близко к их расположению в кристалле. Близость же значений теплоемкости жидкого расплавленного и отвердевЩего вещества свидетельствует о сходстве теплового движения частиц в жидких и твердых телах. Их энергетическое сходство при температуре плавления подтверждается и тем, что в отличие от теплот парообразования йЯп>р теплоты пла1 ения ДЯлл невелики. Так, для иодоводорода йЯ .р-21 кДж/моль, а ДЯял-2,9 кДж/моль (см. также табл. 1.16), Это свидетельствует, что в жидкости, по крайней мере вблизи температуры кристаллизации, упорядоченное расположение частиц, свойственное кристаллам, утрачивается лишь частично. Представления, основанные на близости жидкости к кристаллу, впервые выдвинул Я. И. Френкель (1934 г.). [c.166]

Для определения углового коэффициента элементарной кольцевой площадки кристалла 2кГк(12 относительно перпендикулярной к оси кристалла кольцевой поверхности 11 (рис. 55) с радиусами и выделим площадку кристалла йр1 = с12-йз, где з — дифференциал дуги окружности радиуса Гк. В связи с незначительностью величины йз указанную площадку можно считать плос-168 [c.168]

Теплообмен боковой поверхности монокристалла, вытягиваемого из расплава в вакууме, будет осуществляться с окружающими его элементами установки излучением. Если процесс вытягивания происходит в атмосфере инертного газа, то и в этом случае теплообмен излучением будет преобладающим. Температура кристалла существенно изменяется по его высоте, а температура окружающих кристалл экранов и тигля переменна по поверхности последних. В этом случае задача лучистого теплообмена в замкнутом пространстве сведется к системе нелинейных интегральных уравнений, решить которую практически не представляется возможным. Поэтому для приближенного решения задачи введем ряд допущений. Примем, что температура каждого из окружающих кристалл элементов постоянна по его площади. Боковую поверхность кристалла разобьем на цилиндрические элементы высотой Аг. В пределах каждого элемента поверхности кристалла температуру усредним и будем считать постоянной. Значения всех температур и радиационных характеристик поверхностей и угловых коэффициентов в системе будем считать известными. При принятых предпосылках задачу лучистого теплообмена в замкнутом объеме с диатермичной средой можно свести к системе алгебраических уравнений. Система для п поверхностей будет содержать п искомых величин и состоять из п уравнений. Данная система может быть составлена относительно результирующих тепловых потоков или эффективных значений излучения поверхностей. Решение системы уравнений позволит определить [c.177]

Атомные координаты (х, у, z), локализованные прямыми методами и (или) разностными синтезами Фурье, можно улучшить при помощи уточнения методом наименьших квадратов, который находит наилучшую модель ( F ), аппроксимирующую набор экспериментальных данных ( Fq )- Традиционно большинство кристаллических структур уточняют относительно Fq(, при этом на блюдаемые структурные амплитуды, меньшие, чем тп lFol, считаются ненаблюдаемыми. Величина ет представляет собой экспериментально найденное стандартное отклонение, а m — произвольно взятое значение между 2 и 4. Отбрасывание таких слабых отражений широко используется на практике, так как оно приводит к улучшению окончательных значений параметров добротности (ур. 11.2-14-11.2-16). Метод уточнений включает минимизацию функции w( Fo — F ) с индивидуальными весовыми коэффициентами w для каждой структурной амплитуды. Эта методика обычно приемлема для хороших наборов данных, но оказывается менее надежной для слабо дифрагирующих кристаллов, так как 60-70% экспериментальных данных можно признать ненаблюдаемыми. В таких случаях очевидно, что необходимо включать все значения Fo . В настоящее время наблюдается существенный рост числа структур, уточненных с использованием метода для полного набора данных об интенсивностях относительно Fl в котором минимизируют сумму X w(Fq — Подобная стратегия также позволяет избежать проблем, связанных с расчетом [c.410]

К несколько отличающимся результатам относительно характера функциональной связи скоростей роста кристаллов и температуры кристаллизации пришли А. А. Чернов и В. А. Кузнецов [29], установившие, что для роста кварца в растворах NaOH и КОН имеет место отклонение от линейного характера зависимости 1ди от, 1/7, тогда как для кристаллизации кварца в растворах, карбоната и бикарбоната натрия и калия наблюдается линейная зависимость. Полученные А. А. Черновым и В. А. Кузнецовым энергии активации для разных сред и разных кристаллографических направлений приведены в табл. 4. Концентрация растворов во всех опытах составляла 0,5 М. Коэффициент заполнения во всех опытах также одинаков и был равен 0,75. [c.39]

Интересно отметить, что расчеты равновесия без учета упругих полей дают достаточно хорошие совпадения р-Г-параметров синтеза при использовании расплавов некоторых металлов переходных групп (на необходимость их применения указывалось еще в работе [16]). Хотя в данном случае речь должна идти не о фазовом превращении графита в алмаз, а о перекристаллизации графита в алмаз. Такое совпадение неудивительно, ведь в расплавах металлов, называемых обычно катализаторами-растворителями, ДСдеф мало. В этом случае при росте кристаллов путем встраивания атомов (молекул) в изломы (за счет атомарной и кинетической шероховатости) химический потенциал частицы в кристалле равен ее химическому потенциалу в растворе. Поэтому при использовании графита в качестве шихты р-Г-параметры области равновесия (индивидуальные для каждого типа расплава) должны быть близки к расчетным значениям в классическом приближении. Однако также хорошо известно, что при понижении температуры (и давления) ниже определенной величины (<1400— 1300 К) никакого совпадения в экспериментальных и расчетных данных не наблюдается, так как число зародышей резко уменьшается и рост алмаза фактически прекращается. Несомненно, в этом случае начннают сказываться такие факторы, как химические и структурные характеристики расплава. О том, насколько важную роль играет структура расплава, свидетельствуют эксперименты по введению в систему роста металлов, слабо взаимодействующих с углеродом, Sb, Sn, Ge, Си. На основании экспериментов можно сказать, что ни изменением относительных растворимостей графита и алмаза, ни изменением поверхностной межфазной энергией (A s) нельзя объяснить экспоненциальный рост порогового давления, начиная с определенных концентраций этих добавок. Ясно, что при расчете области равновесия графит — раствор углерода необходимо учитывать такие факторы, как относительные растворимости и межфазные энергии границ этих фаз, степень отклонения раствора в расплаве от идеального, степень его упорядочения, коэффициенты активности и конфигурации активационных комплексов и др. [c.309]

Обобщая приведенные выше результаты, можно заключить, что этап зарождения алмазной фазы завершается образованием микрокристалла, октаэдрическую форму которого определяет и стабилизирует кристаллографический фактор в течение всего периода его роста до размера, при котором нарушается когерентность поверхности раздела фаз. Причем на данном этапе скорость роста алмаза лимитируется кинетикой поверхностных процессов, что продолжает обеспечивать образовавшуюся гранную форму кристалла вплоть до его размера порядка м, когда происходит смена механизма, лимитирующего скорость роста алмаза. В условиях диффузионного механизма переноса вещества в растворе и относительно низкой скорости роста кристаллов дестабилизирующими их исходную гранную форму роста факторами могут быть анизотропия адсорбции примесей и других структурных дефектов различными гранями, а также химизм и симметрия питающей среды. Наблюдаемое экспериментально резкое падение величины коэффициента а при увеличении размера кристаллов от минимального до 10 м и является следст- [c.373]

При протекании процесса во внешнедиффузионной области его скорость линейно зависит от концентрации реагента, скорости потока и мало зависит от температуры, так как коэффициенты диффузии при повышении температуры раствора увеличиваются медленно. Поэтому энергия активации процесса невелика (8— 17 кДж/моль). Кроме того, диффузионное сопротивление не зависит от времени. При высокой скорости потока жидкости относительно поверхности растворяемого кристалла, когда внешнедиффузионное сопротивление становится небольшим, скорость процесса может обусловливаться виутреиней диффузией. [c.28]