Ионизация атомов, термическая

К процессам объёмной ионизации относятся ионизация при соударениях электронов и ионов с нейтральными атомами и молекулами (ударная ионизация, прямая и ступенчатая), ионизация при передаче атому или молекуле энергии возбуждения другого атома или молекулы (неупругие соударения II рода), ионизация газа при облучении его ультрафиолетовым, рентгеновским или у-излучением (фотоионизация газа в объёме), ионизация при повышении температуры газа, вызываемая столкновением наиболее быстрых атомов или молекул между собой (термическая ионизация). [c.22]

Так же как водородный атом, центры, изображенные на рис. 11 (I и И), могут быть ионизированы, если они поглощают достаточную энергию. Электроны, освобожденные в этом процессе, являются квазисвободными в кристалле и могут принимать участие в электронной проводимости. Если энергия для ионизации центров получается в основном вследствие поглощения света, явление называется фотопроводимостью. Если, с другой стороны, ловушка, образованная дефектом решетки, имеет малую глубину, так что достаточно одной тепловой энергии для освобождения электрона, то кристалл с нестехиометрией типа I или II обнаруживает электронную проводимость, которая возрастает с температурой, согласно закону Больцмана, описывающему вероятность термической ионизации. В таком случае кристалл является полупроводником. [c.69]

Если далее междуузельный атом цинка путем термической ионизации потеряет один электрон [c.63]

Ионизация. Электроны в атомах в нормальном состоянии находятся на наинизшем разрешенном энергетическом уровне, т. е. занимают близкие к ядру орбиты. Если сообщить электрону избыток энергии, то он может выйти из орбиты действия сил притяжения ядра и, покинув атом, превратить его в положительный ион. Такой процесс называется ионизацией. Практически единственным механизмом ионизации газа в столбе дуги является термическая ионизация. Наравне с ней в нагретом газе происходит интенсивная деионизация — рекомбинация положительных и отрицательных частиц. [c.93]

Очень широкое распространение получило объяснение этого явления, предложенное Штерном [Л. 90], по которому образующиеся при сгорании углеводородов частички углерода легко ионизируются вследствие малой величины работы выхода для твердого углерода (3,95 эв). В [Л. 91, 92] высказано предположение, что основным процессом, приводящим к ионизации в пламени, является окисление углерода с образованием промежуточных реакционных комплексов , каждый из которых содержит один атом углерода и находится в возбужденном состоянии, что облегчает его последующую термическую ионизацию. [c.83]

Гетеролитический разрыв отличается от разрушения связи при распаде молекулы на атом и радикал. В последнем случае разрушается связывающая электронная пара и процесс называется гомолити-ческим. В соответствии со сказанным, следует различать процесс дис- oxiuaiiuu и процесс ионизации] в случе НС1 первый наблюдается при термическом распаде на атомы, второй — при распаде на ионы в растворе. [c.95]

Кривая электропроводности для давления 1 ат построена, начиная с температуры 8 000° К, при которой электрическая проводимость гелия уже достаточно велика с точки зрения получения дуги. Нетрудно видеть, что электропроводность быстро растет с температурой, что объясняется увеличением концентрации электронов за счет термической ионизации гелия. Благодаря относительно малой массе электроны обладают высокой по сравнению с ионами подвижностью, что делает их наиболее подходяшими частицами для переноса электрического заряда, если имеется градиент потенциала. При температуре около "25 000° К однократно ионизированы почти все атомы гелия, и электропро-.водность и концентрация электронов уже мало меняются с ростом температуры. Если и далее увеличивать температуру, то электропроводность вновь начнет расти за счет двукратной ионизации атомов. [c.75]

Развивая идею Слоата и Мензиса о ионизации металлических атомов на поверхности ионного кристалла, Энгел [42] предложил возможный механизм процесса и определил эмпирическую зависимость температуры эпитаксии для разных металлов. Для ионизации металлического атома необходима опреде-ленная энергия. За счет термического нагрева подложки эту энергию атом получить не может, так как исчезающе мала величина фактора Больцмана. Однако на поверхности ионного кристалла могут протекать процессы, приводящие к значительному умеиьщению энергии ионизации. К числу таких процессов относятся, в частности, кулоновское взаимодействие электронных оболочек атомов металла и ионов соли и образование / -центров на поверхности подложки. С учетом этих процессов оценка величины тепловой энергии необходимой для ионизации (в случае эпитаксии А /КаС1), показывает, что процесс ионизации металлических атомов на поверхности ионных кристаллов возможен при достаточно низких температурах [24, 42]. [c.276]

ОДИН из верхних уровней. Желательно, чтобы энергия этог( возбужденного состояния была достаточно большой. Из воз бужденного состояния, путем подвода дополнительной энер гии, атом ионизуется. Дополнительная энергия подводится либо в результате поглощения еще одного или двух фотоноЕ с той же или другой энергией, что и у фотона, поглощенного в первом акте возбуждения, либо путем столкновения с другой, достаточно быстрой частицей в пламени (термическая ионизация). В обоих случаях атомы определяемого элемента переводятся в ионы, которые могут быть детектированы любым методом, например, вытягиванием их специально наложенным электрическим полем [52]. [c.56]