Полупроводимость собственная

Рассмотрим явление полупроводимости для простейшего случая элементарных собственных полупроводников, которыми являются первые четыре р-элемента IVA-группы углерод (алмаз), кремний, германий и серое олово, кристаллизующееся по типу алмаза (табл. 13.12). [c.427]

Теперь можно сравнить значения Ес — Ае с величиной Е в выражении для собственной полупроводимости [c.663]

Механизм явления полупроводимости для случая собственного полупроводника (например, кристалла германия) можно представить при помощи такой энергетической схемы. Каждый атом германия [c.430]

Химическая природа П. и критерии полупроводимости. В основе собственных свойств П. лежат химич, свойства составляющих их веществ положение элементов, входящих в состав П., в периодич. системе Менделеева и, следовательно, характер электронного взаимодействия между ними и кристаллич. строение П. Примесные свойства П. также связаны с химич. природой как самой примеси, так и основного вещества, но более сложно. Химич. состав и тип кристаллич. структуры дают первое представление о ближнем порядке, играющем определяющую роль для электрич. свойств твердого тела. В понятие ближнего порядка включаются характер химич. связи между атомами, геометрия их расположения и абсолютное расстояние между ними. В пределах одного и того же типа кристаллич, структуры изменение типа химич. связи зависит от природы атомов, прежде всего от атомного веса, с изменением к-рого меняются периоды решетки — важная характеристика кристалла. [c.122]

Связь между собственной полупроводимостью твердого тела и ковалентной природой связей его атомов основана на том, что разность электроотрицательности Ад между составляющими в общем меньше единицы. По мнению Полинга, это соответствует самое большее 25%-ной ионности. [c.81]

Ширина запрещенной зоны при собственной полупроводимости (Д ), примесной р-проводимости (АЕ ) и примесной п-проводимости (А а) [c.45]

Очень чистые полупроводники, у которых концентрация носителей тока, т. е. электронов и дырок, преобладает над концентрацией носителей тока в примеси, называются собственными полупроводниками. Подобно изоляторам, они почти не содержат ионизующихся примесей. В практике они не используются, так же как и многие ультрачистые металлы, полимеры и т. д. Но это отнюдь не умаляет их важности как объектов производства и исследования. В приборах используются примесные полупроводники, т. е. материалы, проводимость которых почти полностью обусловлена заведомо внесенными примесями. Собственная полупроводимость материала обычно определяет лишь допустимую температуру эксплуатации прибора. [c.169]

Итак, многие элементы играют роль более или менее сильных полупроводниковых ядов, и максимальная очистка от них до состояния собственной полупроводимости — главная задача техники полупроводников. Применяемые здесь методы очистки многообразны. Их можно подразделить на химические и физические. Обычно химическими методами получают вещество спектральной чистоты, а затем вступают в действие физические методы. Химические и физические методы дополняют один другой с примесями, трудно удаляемыми химическими методами, успешно справляется зонная плавка, и наоборот. [c.176]

Теории, по которым проводимость рассматривается как собственное свойство органических соединений в твердом состоянии, сталкиваются с проблемой, заключающейся в том, что энергия активации полупроводимости в большинстве случаев не равна половине ширины запрещенной зоны, найденной по порогу фотопроводимости. По-видимому, есть лишь один способ разрешить эту проблему предположить, что за проводимость ответственно состояние, которое обычно запрещено для оптического перехода. Очевидно, более всего для этого подходит основное триплетное состояние. Нортроп и Симпсон [128] нашли, что существует почти точное согласие между энергией активации проводимости углеводородов с добавками и энергией триплетного состояния добавок опыты этих авторов свидетельствуют [c.54]

Истинные полупроводники (собственная полупроводимость) СиО, С03О4, rgOg. Концентрация электронных дырок равна концентрации междоузель-ных электронов Ла + к 0 Электропроводимость не зависит от окислительной способности атмосферы. [c.39]

Механизм явления полупроводимости для случая собственного полупроводника (например, кристалла германия) можно представить при помощи такой энергетической схемы. Каждый атом германия содержит 4 валентных электрона 4зЧр (табл. ХХ-1). В невозбужденном (нормальном) состоянии атома элемента все эти электроны связаны со своими атомными остовами. Наложение на кристалл обычного электрического поля не может порвать указанную связь (для этого требуются поля, соразмерные с внутриатомными), и валентные электроны не являются носителями тока. [c.454]

Полупроводниковыми свойствами обладают кремний, германий, селен и ряд других простых веществ, а также химические соединения и интерметаллиды PbS, GaAs, InSb и т. д. Такие вещества называются собственными полупроводниками в отличие от веществ, в которых явление полупроводимости зависит от введенных примесей, — примесные полупроводники. [c.427]

InSb и T. Д. [18]. Наиболее систематические измерения проводились с дегидрированием ИЗ0-С3Н7ОН. Попытки некоторых авторов установить количественное соответствие между величинами электропроводности и каталитической активности не дали положительного результата, что естественно, учитывая, что большинство катализаторов изучалось в виде порошков и пористых масс, для которых физический смысл измеряемых а и Еа не ясен, и эти величины очень чувствительны к примесям и к составу газовой атмосферы. Несколько более определенны результаты сравнения полупроводников с р- и п-полупроводимостью. По-видимому, для определенных реакций можно говорить о некотором преимуществе р-полупро-водников. В частности, Шваб с сотрудниками в нескольких случаях нашли что на -полупроводниках энергия активации выше, чем на р-полупровод-никах, на величину энергии активации их собственно полупроводимости Eg, реже на 2Еа [17]. Сходное различие в значениях Е наблюдалось в опытах В. М. Фролова с п- и р-германием при определенном методе тренировки катализатора [19]. Однако эти зависимости требуют детальной проверки в более строгих условиях, тем более, что из-за компенсационных эффектов сильные изменения Е ат могут не сопровождаться сколько-нибудь эквивалентным изменением констант скоростей. [c.34]

Распределение кинетической энергии для электронов, эмит-тированных с поверхности, также было определено в сферическом тормозящем поле. Было обнаружено, что в дополнение к обычному нормальному распределению кинетической энергии электронов, известному, например, для металлов, здесь присутствует специфический высокий максимум в распределении, расположенный в узком районе малых кинетических энергий, который не зависит от энергии светового кванта. Такой селективный максимум в распределении кинетической энергии электронов был обнаружен для некоторых неорганических полупроводников и приписывался вторичному процессу электронного выброса. Для некоторых красителей (родамин 6Ж, фталоцианин без металла) положение уровня Ферми, определенное из этих измерений, получилось посередине между свободной и валентной зонами твердого тела, что подтверждает мнение о том, что полупроводимость в этих красителях собственная. [c.339]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология