Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Дембера

    Свет, падающий на антрацен, резко увеличивает число новых носителей, примерно ОТ 10 ДО 10 см . Оно всего на несколько порядков отличается от найденного для германия. Эти носители при отсутствии захватывающих примесей могут влиять на поверхностный потенциал только косвенно, например через эффект Дембера. [c.673]

    Теперь уместно перейти к рассмотрению следующего вопроса. Молекулярный кристалл, у которого заряд расположен на поверхностной молекуле, энергетически менее устойчив, чем кристалл, у которого заряд находится на одной из внутренних молекул, так как энергия поляризации кристалла больше, когда заряд со всех сторон окружен поляризующимися центрами (см. раздел II, 4). У антрацена это больше относится к граням (010) и (100), чем к грани (001), так как в плоскостях (001) поляризация происходит сильнее. Как положительные, так и отрицательные заряды будут, следовательно, диффундировать с поверхности. Если на поверхности образуются пары зарядов (например, под действием света), то наиболее подвижные носители зарядов будут диффундировать в объем быстрее. Тогда между областью, близкой к поверхности, хотя и не лежащей на ней, и внутренней областью кристалла возникнет разность потенциалов (обусловленная эффектом Дембера). Однако это распределение зарядов не приводит к равновесной поверхностной разности потенциалов, так как сама система не находится в равновесии когда процесс образования зарядов заканчивается, напряжение, обусловленное эф ктом Дембера, исчезает (см. раздел IV, 6). [c.672]


    Различают три типа фотовольтаических эффектов а) свет приводит к возникновению разности потенциалов по обе стороны барьера — явление, которое представляет собственно фотовольтаический эс фект, б) в твердом веществе свет приводит к возникновению разности потенциалов в направлении распространения света (эффект Дембера) и в) свет, распространяющийся в одном направлении, приводит к возникновению разности потенциалов в направлении, перпендикулярном направлению света, когда перпендикулярно обоим этим направлениям приложено магнитное поле (фотомаг-нитоэлектрический эффект). [c.705]

    При других фотовольтаических эффектах не происходит переноса электронов через границу фаз, а возникает разность потенциалов внутри самого твердого вещества. Например, фото-э. д. с. возникает вследствие разных подвижностей двух носителей зарядов (эффект Дембера). Диффузионные фото-э.д.с. описаны Бергманом и Генслером [14], а предложенный ими конденсаторный метод применил Пуцейко [120, 121] ко многим органическим твердым веществам, таким, как различные фталоцианины. [c.708]

    Каллмен и Поуп [57] наблюдали эффект Дембера у антрацена. При освещении одной стороны кристалла толщиной приблизительно 10 мк светом с длиной волны 3650 А было получено фотонапряжение до 0,2 в в направлении падающего света. Опять-таки можно было наблюдать, что у кристаллов антрацена обычной чистоты положительные дырки имеют большую подвижность, чем электроны. Появление разности потенциалов объясняется относительно легкой диффузией положительных дырок от областей, лежащих вблизи поверхности, на которую-падает свет. [c.709]

    Как при фотоэффекте, так и при вторичной электронной эмиссии мы имеем дело не только с выходом части электронов нз эмиттора, но и с возбуждением, то-есть с увеличением энергии других электронов внутри эмиттора путём частичной передачи им энергии первичных электронов. Поэтому при освещении катода светом и одновременной бомбардировке катода первичными электронами как фотоэффект, так и вторичная эмиссия протекают иначе, чем при наличии только одного из этих процессов. Для чистых металлов это явление было описано Дембером в 1925 году [534]. Дембер нашёл, что электронный ток /з, выходящий с катода вследствие одновременного освещения и бомбардировки, больше, чем сумма фототока Л и тока вторичной эмис--сии /г, vT. е. [c.187]

    При измерениях в слоистой ячейке антрацен дает эффект Дембера. Если свет сильно поглощается, то при освещении через один из электродов носители возникают вблизи него. Если два носителя отличаются подвижностями, то один из них (в случае антрацена — положительный) будет обгонять и вызывать дополнительную разность потенциалов в кристалле. Это было названо фотовольтаическим эффектом, но в литературе он больше известен под названием эффекта Дембера. Детальный математический анализ эффекта дали Мосс, Пинчерл и Вудворд [118]. Для случая, когда число фотовозбужденных носителей сравнимо с числом носителей, присутствующих в темноте (что, вероятно, имеет место для антрацена), они вывели следующее выражение для потенциала Дембера  [c.27]


    Каллмен и Поуп [72] показали, что фото-э. д. с. в тонких кристаллах антрацена с электролитными электродами, как и следовало ожидать, мало зависит от интенсивности света. Величина потенциала была около 100 мв при внешней нагрузке 10 ом. При увеличении толщины кристалла напряжение увеличивается, но и сопротивление внутренней цепи возрастает, а отдаваемая мощность, во всяком случае минимальная, не повышается. Когда скорость поверхностной рекомбинации 5 = 0 или когда контакты отсутствуют, потенциал Дембера не возникает. Это имеет место в равновесном состоянии, но все же перенос и при таких условиях должен еще наблюдаться. Знак этого переноса указывает на знак основных носителей заряда. Помещая кристалл между обкладками конденсатора, одна из которых бралась прозрачной, Пуцейко [136] использовала эффект Дембера для определения знака заряда носителей. Такой прием обычно считают емкостным методом . Пуцейко нашла, что в антрацене основные носители имеют положительный заряд. Картина становится более сложной, когда в дополнение к негомоген- [c.27]

    Первоначально конденсаторная фотоэдс объяснялась как результат диффузии носителей фототока в полупроводнике из-за градиента их концентрации, созданного поглощенным светом (эдс Дембера) [1—5]. Однако позже было высказано предположение [6, 7], что конденсаторная фотоэдс имеет природу вентильной эдс, а именно целиком связана с наличием граничного искривления зон и с биполярной фотопроводимостью. Отсюда был сделан вывод, что конденсаторный метод не может применяться для определения знака заряда носителей фототока в полупроводниках. Однако нам представляется, что оснований для таких заключений, по существу, не было. Анализ условий формирования спектра фотоэдс и в особенности подробное рассмотрение свойств конденсаторного фотоответа в области слабого поглощения, по нашему мнению, позволяют объяснить значительную часть результатов теорией, основанной лишь на явлении монополярной фотопроводимости. В связи с этим следует особенно тщательно рассмотреть явление переполюсовки конденсаторной фотоэдс, заклю- [c.309]

    Характер фотопроводимости монополярный. Фотоэдс определяется как диффузией (Дембер-эффект), так и дрейфом носителей в поле приповерхностного заряда, создающего у освещаемой поверхности полупроводника антизапорный изгиб зон [8—121. Для коротковолновой области, где коэффициент поглощения большой, возникает большой градиент концентрации свободных носителей и диффузия носителей в глубь слоя преобладает над дрейфом их в поле приповерхностного заряда. В случае слабо поглощаемого света, когда распределение генерированных носителей тока почти равномерно по глубине слоя, диффузией свободных носителей можно пренебречь, а направление движения носителей тока будет определяться полем приповерхностного заряда, и если изгиб зон антизапорный, то носители будут двигаться не в глубь слоя, а в сторону освещаемой поверхности. [c.310]


Смотреть страницы где упоминается термин Дембера: [c.706]    [c.143]    [c.187]    [c.27]    [c.38]   
Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.669 , c.672 , c.673 , c.705 , c.706 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте