Кристаллы напряжения

В таком случае приложение нагрузки т (меньшей предела текучести) к металлу, имеющему несовершенства кристаллического строения, вызовет неоднородное распределение внутренних напряжений в очагах локального плавления приложенное напряжение преобразуется в гидростатическое давление (фазовое состояние близко к жидкому, дальний порядок отсутствует) а в остальной части кристалла напряжение в элементарных объемах подчиняется законам упругости твердого тела. Таким образом, в местах дефектов структуры типа дислокаций возможно равенство т = Р. Например, в работе [16] при вычислении свободной энергии вакансий постулируется справедливость этого соотношения для некоторых областей материалов . [c.28]

Усилению напряжений способствуют различия в коэффициентах термического расширения молибденового контейнера и кристалла, а также неравномерность его охлаждения за счет теплоотвода через контейнер и сквозь массу прозрачного для инфракрасных лучей кристалла. Неравномерность распределения температур по кристаллу вызывает неодинаковое тепловое расширение различных его участков, их упругое взаимодействие и, как следствие, возникновение в кристалле напряжений. Неравномерность температурного поля при выращивании кристаллов методом ГНК исследовалась при синтезе рубина и лейкосапфира [5]. Оказалось, что вблизи фронта кристаллизации температурный градиент в кристалле составляет 6—7 К/см, В пяти сантиметрах от фронта кристаллизации температурный градиент возрастает до 19—21 К/см и остается постоянным на протяжении 10 см. Общий перепад температур достигает 250 К. Вероятно, эта цифра действительна и для монокристаллов граната, выращиваемых методом ГНК. [c.184]

Другой довольно обычной причиной появления напряжений бывает захват кристаллом твердых включений и обрастание кристаллом твердого кристаллоносца, особенно в условиях, когда коэффициент теплового расширения кристалла существенно отличается от коэффициента расширения включаемого тела. При этом кристалл, захвативший при высокой температуре такое тело, что уже привело к возникновению кристаллизационного давления, во время снижения температуры вследствие указанной разницы коэффициентов расширения становится напряженным в районе включения в еще большей степени. Эта причина, естественно, тем чаще вступает в действие, чем выше температура, при которой происходил захват, и чем ниже температура, при которой используется кристалл. Напряжения такого типа должны довольно часто встречаться в природных кристаллах. Кроме того, напряжения могут возникать около твердого кристаллоносца при вибрациях последнего ( 4.6). [c.127]

С повышением нагрузки все большее число сегментов получает возможность освобождаться от центров закрепления. При некотором напряжении о , процесс отрыва разных сегментов от примесей приобретает лавинообразный характер, и начинается развитая пластическая деформация кристалла. Напряжение естественно связать с макроскопическим пределом упругости кристалла. [c.292]

Однако в реальном кристалле может развиваться процесс пластического деформирования совсем иной природы и с иными характерными проявлениями. Это так называемое течение кристалла, заключающееся в медленном (при не очень высоких температурах) изменении формы образца под действием фиксированных внешних нагрузок. Для начала течения не требуется, чтобы напряжение превышало какую-либо критическую величину, и в принципе течение кристалла совершается при сколь угодно малых нагрузках. Если в кристалле устанавливается некоторый стационарный режим с постоянной скоростью деформирования, то говорят об установившемся течении, и скорость такого течения однозначно определяется величиной действующего на кристалл напряжения. [c.308]

Выпрямительные свойства кремниевого кристалла описываются эквивалентной схемой (фиг. 6.6). Падающая микроволновая мощность создает на кристалле напряжение F, которое обу- [c.247]

Если р достаточно велико, чтобы привести к трехмерному упорядочению, фаза В в действительности будет кристаллом. Это, в частности, означает, что модуль сдвига для относительного сдвига двух последовательных слоев является конечным. Это также предполагает, что интенсивность рассеяния рентгеновских лучей для волнового вектора д, близкого к брэгговскому значению т, меняется как ] д — т 1 . Конечно, в этой модели нужно ожидать, что у кристалла напряжение сдвига будет очень мало из-за того, что цепи находятся в жидком состоянии. Такой кристалл можно назвать пластическим. [c.338]

Зададим действующее на кристалл напряжение и найдем полученную [c.282]

При одинаковом направлении векторов спонтанной поляризации Рв) кристаллов напряжение было отрицательным на образцах с золотыми электродами, а также с никелевыми (на медной подложке) (рис. 1, кривые 5 я 6), а на образцах с серебряными, медными и палладиевыми электродами — положительным (рис. 1, кривые 3 п 4). [c.82]

В первом способе используется обычный рге-переход (см. гл. 27, где обсуждаются свойства полупроводников). И верхнюю, и нижнюю поверхности кристалла делают проводниками, напыляя тонкую металлическую пленку. Обратное включение (м-зона положительна, р-зона отрицательна) такого диода приводит к тому, что электроны и дырки уходят от перехода, собираясь в п- и р-зонах соответственно. В результате образуется разреженная (лишенная носителей тока) зона толщиной до 1 мм. Толщину зоны можно варьировать, меняя приложенное к кристаллу напряжение. [c.509]

Недавно были получены данные, показавшие, что напряжения решетки могут вызывать изменения ее энергии, которые эквивалентны изменениям энергии при полиморфизме и обусловливают явления, аналогичные наблюдаемым при истинном полиморфизме. Напряжения решетки могут вызывать-ся тепловым ударом (механически) или возникать в процессе самой кристаллизации. По сравнению с соответствующими ненапряженными кристаллами напряженные кристаллы (рис. 22) имеют более низкие точки плавления. [c.453]

Влияние кристаллич. структуры на структуру продукта м. б. проиллюстрировано на примере термич. димеризации изоцианатных гругш, единств, продукт р-ции в кристалле-напряженные 4-членные азетидиновые циклы. В р-ре такие циклы не образуются, а возникают более стабильные 6-членные кольца [c.210]

В спектрометрах с энергетической дисперсией дисперсия (выделение специфичной энергии) и счет числа рентгеновских фотонов (обладающих этой специфичной энергией) выполняется в один этап. Спектрометры с энергетической дисперсией построены на основе полупроводникового кристалла, охлаждаемого жидким азотом. Используют монокристаллы легированного литием кремния 81(Ы) или высокочистого германия, ВЧСе. В этих кристаллах разность энергии между валентной зоной и зоной проводимости составляет величину порядка 4эВ. При комнатной температуре некоторое число электронов находится в зоне проводимости, так что кристалл является (полу)проводником. При охлаждении кристалла до температуры жидкого азота (—196° С) почти все электроны остаются в валентной зоне и при наложении на кристалл напряжения ток протекать не может. Литий вводят в кристалл кремния, чтобы скомпенсировать примесные носители заряда. [c.78]

Полагая, что реакция термического распада протекает по механизму предложенному Робертсоном (1949 г.), авторы рассчитали, что 10 % разложения достаточно для того, чтобы создать в кристалле напряжения, необходимые для образования и дв.ижения дислокаций. При этом напряжения возникают в результате деформации кристаллической решетки, вызванной несоответствием объемов молекул исходной матрицы и молекул продуктов реакции. Объем молекулы циклотриметилентринитроамияа составляет (14,8 нмЗ) объем молекул продуктов реакции— (180 нм ) [32]. [c.167]

Рассмотрим Кристалл с винтовой дислокацией, которая возникла перпендикулярно сингулярной поверхности. Наличие дислокации обусловливает в веществе кристалла напряжение сдвига, которое в объеме кристалла уменьшается с увеличением расстояния г от дислокации Ы2лг. Вели- [c.389]

Рассмотрим, измшение Txz по мере удаления от поверхности в глубь среды. Для определенности рассмотрим случай 17 = 1. Поскольку в задаче Герца не учитывается прение между контактирующими поверхностями, расчетная величина Тхг на поверхности образца обращается в нуль. По мере углубления в кристалл напряжение Гхг растет по закону [c.134]

Имеются различные способы исследования для того, чтобы решить вопрос, действительно ли ямки травления образуются в точках выхода дислокаций. Например, можно протравить обе плоскости, полученные прп расщеплении кристалла по спайности и рассмотреть расположение ямок травления на обеих плоскостях. Если их расположение соответствует зеркалыюму отображению, то тогда можно считать, что это — дислокационные ямки травления. Другая возможность состоит в следующем, В кристалле, в котором мало дислокаций, наблюдают после травления пару ямок, которую прежде всего можно привязать к точкам выхода дислокационной петли, проходящей внутри кристалла (внутренний дислокационный диполь на рис. 15.5). Если на кристалл действует растягивающее напряжение, то дислокационная петля расщиряется и принимает после снятия с кристалла напряжения конечное положение (внешний дислокацион- [c.399]

Кроме возрастания Фа и в то же время благодаря большим значениям Ф ,, в области и ниже Т определенную роль могут играть упругие напряжения, возникающие 1) из-за разницы в молярных объемах стекла и кристалла (напряжения первого рода) и 2) из-за невозможности структурным элементам стекла ориентироваться наиболее энергетически выгодным образом относительно упорядоченно, расположенных структурных элементов в кристалле в области границы раздела стекло—кристалл напряжения втарогч) рода). Швряжения лервого рода -уменьшают в выражении [c.228]

Движение дислокации обусловлено пластической деформацией кристалла. В свою очередь, причиной деформации являются внешние силы, создаюш,ие в кристалле напряжения и вызывающие движение дислокаций. [c.326]

Механизм разрушения вследствие местных концентраций напряжений можно представить следующим образом. Коррозионный процесс начинает развиваться по границам между кристаллами напряженного металла в связи с ослаблением границ агрессивная среда проникает в глубину металла, оказывая расклинивающее действие, и металл разрушается вследствие появления трецщн. [c.57]

Каллмен и Поуп [72] показали, что фото-э. д. с. в тонких кристаллах антрацена с электролитными электродами, как и следовало ожидать, мало зависит от интенсивности света. Величина потенциала была около 100 мв при внешней нагрузке 10 ом. При увеличении толщины кристалла напряжение увеличивается, но и сопротивление внутренней цепи возрастает, а отдаваемая мощность, во всяком случае минимальная, не повышается. Когда скорость поверхностной рекомбинации 5 = 0 или когда контакты отсутствуют, потенциал Дембера не возникает. Это имеет место в равновесном состоянии, но все же перенос и при таких условиях должен еще наблюдаться. Знак этого переноса указывает на знак основных носителей заряда. Помещая кристалл между обкладками конденсатора, одна из которых бралась прозрачной, Пуцейко [136] использовала эффект Дембера для определения знака заряда носителей. Такой прием обычно считают емкостным методом . Пуцейко нашла, что в антрацене основные носители имеют положительный заряд. Картина становится более сложной, когда в дополнение к негомоген- [c.27]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология