Кристаллиты толщина

Эффективное время жизни носителей заряда. Скорость процессов генерации-рекомбинации на поверхности полупроводника всегда много больше, чем в его объеме. Рассмотрим процесс рекомбинации в тонком кристалле, толщина которого (1 меньше диффузионной длины I. В этом случае можно пренебречь скоростью объемной рекомбинации и считать, что гибель неравновесных пар происходит практически только на поверхности. Если кристалл [c.147]

Твердые вещества. Исследования твердых образцов можно проводить при освещении по схеме как 90° , так и 180° (рис. 17.6). Хорошие спектры КР с твердых образцов получить трудно. Наряду с комбинационным рассеянием твердое вещество рассеивает возбуждающий свет. Внесено много усовершенствований для того, чтобы справиться с этими трудностями. Нужно очень тщательно подходить к выбору типа кюветы для образца, размера кристалла, толщины образца, его положения и условий приготовления. Монокристалл рассеивает лучше, чем мелкий порошок. В случае полимеров целесообразно использовать твердые стержни. При применении порошков оказывается пригодной методика прессования таблеток с КВг. Исследованию могут быть подвергнуты образцы волокон, пластиков и пленок. Можно изучать анизотропное [c.291]

В полимерах ситуация совершенно аналогична. Основную ячейку образует одно звено, или часть звена, или небольшое число звеньев смежных цепей, а большую — сам кристаллит толщины I. Поскольку в парафинах температура плавления растет с /, в реальных кристалло-аморфных полимерах, имеющих строение типа рис. III. 3, Т пл тоже должна возрастать, достигая максимума для монокристаллов КВЦ или непрерывного каркаса из КВЦ, получающегося при ориентационной кристаллизации. [c.97]

Затем стакан с Ь осторожно нагревают досуха на асбестовой сетке, причем через круглодонную колбу пропускают проточную воду. При этом на ее поверхности образуется корка кристаллов толщиной 0,5—1 см, которую соскребывают в бюкс, а стакан опять пригоден для последующей возгонки. [c.330]

Экспериментальные исследования показали, что по мере увеличения размера кристалла толщина металлической пленки, как правило, возрастает. Естественно предположить, что причиной этого может быть разница в удельных плотностях исходного углерода в форме графита и конечного — в форме алмаза (ра>рг). [c.355]

Температура синтеза — одно из определяющих условий, влияющих на кристаллизацию амфибола в волокнистой форме. Волокнистые кристаллы образуются при температурах 350—600 °С преимущественно вблизи нижнего температурного предела устойчивости амфиболов. Выше этих температур кристаллизуются игольчатые и призматические формы. Для получения волокнистого амфибола при более высоких температурах, по-видимому, необходимо значительно повышать давление. При этих условиях за короткое время образуются крупные волокнистые кристаллы толщиной до 1 мкм. [c.110]

Размеры кристаллитов у большинства кристаллических полимеров обычно заключены в интервале 50—500 А. У ряда кристаллических полиолефинов (полиэтилен, полипропилен), образующих пластинчатые кристаллы, толщина пластин (один из параметров, характеризующих размеры кристаллита) составляет 100—150 А. Если учесть, что длина полимерной цепи равна примерно 10 А, то оказывается, что размеры кристаллитов иа несколько порядков меньше длины цепи. В связи с этим совершенно естественным кажется вывод о том, что кристаллиты в гибкоцепных полимерах образованы складками полимерных цепей (рис. 19). [c.48]

При наличии в аппаратах или в зоне кристаллизации значительных градиентов температуры обычно происходит направленный рост кристаллов. При этом процесс начинается с гетерогенного образования центров кристаллизации на охлаждаемой поверхности аппарата. Далее образуется слой кристаллов, толщина которого по мере охлаждения монотонно увеличивается. Структура образующегося слоя кристаллов в значительной мере определяется скоростью перемещения фронта кристаллизации, интенсивностью перемешивания жидкой фазы, исходным составом смеси и другими факторами. [c.47]

Рис. 15.12. Области пропускания кристаллов толщиной 2 мм (границы указаны для пропускания 10% от максимального)

Как было показано в разделе III.2, при кристаллизации линейного полиэтилена из разбавленных растворов образуются пластинчатые ромбовидные кристаллы толщиной порядка 100 А, показанные на рис. III.7. На этом рисунке представлена электронная микрофотография кристалла, высушенного после извлечения из маточного раствора, в то время как в маточном растворе, как показано на рис. III.8, кристаллы имеют вид четырехгранных полых пирамид. Макромолекулы приобретают складчатую конформацию и осаждаются на кромки различных секторов пирамиды, ориентируясь перпендикулярно поверхности грани. Поскольку й-оси элементарных ячеек кристалла ориентируются вдоль длинных, а 6-оси — соответственно вдоль коротких осей ромба, поверхность роста кри- [c.252]

Процесс, изображенный на рис. 9, можно математически описать таким же способом, как был описан выше процесс поверхностного плавления. Конечный результат такого описания отличается тем, что в уравнениях (38) — (41) вместо разности температур (Тт — Т) следует ввести величину Тх— Т), где представляет собой температуру плавления ламелярного кристалла толщиной к, определенную из уравнения (31). Уравнение (38) для гауссовой цепи тогда записывается следующи.м образом (при минимальном значении G) [c.42]

Существенное изменение величины этого колебания при изменении толщины кристалла можно видеть из рис. 5. 19, где приведен спектр кристалла толщиной меньше одного микрона при температуре 20° К- Из анализа этого спектра следует, что величина колебания равна 519 см т. е. на 69 см больше относительно соответствующего колебания, определенного по спектрам более толстых кристаллов, величины других колебаний при этом практически не изменялись. [c.251]

До сих пор речь шла о взаимодействии пластинок. Подобные случаи реализуются в коллоидных системах, частицы которых имеют плоскую форму, а также в некоторых глинистых минералах при их внутрикристаллическом набухании. Так, было обнаружено, что в кристалле монтмориллонита, насыщенного ионами лития или натрия, помещенном в слабый раствор хлорида натрия, в несколько раз меняется расстояние между слоями, составляющими его слоистую решетку, и соответственно увеличиваются размеры кристалла. Толщины прослоек раствора Na l, внедряющихся между сетчатыми плоскостями кристалла, могут доходить до 300 А. Таким образом, совершенно очевидна роль расклинивающего давления прослоек в процессе набухания кристалликов монтмориллонита. [c.276]

Волокнистый кремнезем W. Ромбическая сингония а = 4,72, = 5,16, с = 8,36 А. Плотность 1,96—1,98 г/см . 7пл=1420°С. Кристаллизуется в виде волокнистых очень прочных кристаллов толщиной 2—25 мкм и длиной 5—9 мм. При длительном нагревании при 1390°С переходит в кристобалит, а при 200—800°С — в тридимит. Малостоек по отношению к парам воды, переходя при их действии в метакремниевую кислоту. Получен нагреванием при 1200—1400°С смеси дисперсных SiOj и Si в присутствии чистого Ог под давлением 0,133 Па с последующей конденсацией в холодильнике (или окислением газообразной SiO при указанных температурах). [c.223]

При малом тд формула (IV.32) переходит в формулу интенсивности для мозаичного кристалла 5 (Н)иитегр = QV. В случае, когда можно пренебречь первичной экстинкцией, размеры блока кристдлла определяются из равенства тд л 0,4—0,5. Поскольку д зависит от А, и структурной амплитуды, то в разных случаях и для разных отражений он будет различным. Для сильных отражений величина поправки на экстинкцию больше. Предельный размер блоков в идеально мозаичном кристалле не должен превышать 1000 атомных слоев, что соответствует 10 — 10 см. Формула интенсивности динамической теории применима к когерентно рассеивающим кристаллам, толщина которых составляет 10 атомных слоев, т. е. к кристаллам толщиной не менее 10 — 10" см. В промежуточной области 10 — 10 см следует пользоваться формулой (IV.32). Отметим, что указанные выше размеры блоков приведены для случая рентгеновского излучения. [c.98]

Интенсивность поглощения света повышается с увеличением толщины кристаллической пластинки, поэтому в толстых препаратах плеохроизм проявляется более отчетливо. В тонких пластинках из окрашенных разновидностей кварца плеохроизм никогда не заметен, а в кристаллах толщиной 1—2 см и более по оси 2 это явление хорошо наблюдается через дихроскоп. В темноокрашенных породообразующих минералах плеохроизм хорошо виден в микроскопических препаратах и служит надежным признаком при их диагностике. [c.94]

Оказалось, что во всех случаях образуются кристаллы f на, которые в поле электронного микроскопа выглядят ка стпнчатые многослойные овальные кристаллы толщиной 100 Л. При кристаллизации из растворов в условиях новый температуры, а также при использовании более очищенных ций маннана получают кристаллы более выраженной фо[ четкими гранями группы Р 2 2 2 (рис. 3.4). Кристаллы форму ламеллярных бипирамид. Часто кристаллы маннана зуют объединения, где как бы слились вместе два криста плоскостям ПО . [c.157]

Удельное сопротивление осадка производственных суспензий колебалось в следующих пределах 1 10 —6-10 Под микроскопом твердая фаза суснензин представляла собой довольно крупные игольчатые кристаллы толщиной от 2 до 8 мк, длиной от 25 до 100 мк. Результаты фильтрования четырех полузаводских суспензий па лабораторно.м натронном фильтре представлены в табл. 6 (он, 5 -8), В некоторых опытах (5, 6, 8) осадок не держался на патроне прн сливе суспензни. В связи с этим рекомендации к полузаводской проверке были ]1срссм0трснь . Были вновь повторены опыты иа установке с погружной воронкой при использовании суспензии полузаводских операции (табл, 7). [c.288]

На рис. 12, а изображена зонная схема для достаточно толстой пластинки полупроводника, обе поверхности которой содержат на себе хемосорбированные частицы, и толщина Ь которой значительно больше длины экранирования I. (Обычно длина экранирования имеет порядок величины /= 10 — 10 сж.) Рис. 12,6 соответствует кристаллу, толщина которого того же порядка, что и длина экранирования, а рис. 12, в — кристаллу, толщина которого значительно меньше. алины экранирова- [c.76]

Широкое применение нашло другое дихроичное органическое вещество герапатит (сернокислый иод-хинин). Поляризующее действие герапатита весьма велико. Для получения света видимой части спектра, поляризованного на 98%, достаточно кристалла толщиной в десятые доли миллиметра. При изготовлении поляризаторов из герапатита мелкие кристаллы этого вещества одинаково оптически ориентированные укрепляются на целлулоидной пленке. Такая пленка получила название поляроида. Возможность изготовления ее в виде листа достаточно больших размеров и дешевизна представляют значительные преимущества, обеспечившие поляроидам широкое применение в разнообразных оптических приборах и устройствах, в которых используются свойства поляризованного света. [c.129]

Для исследования в электронном микроскопе кристаллы толщиной от 200 до 600 А (толщина кристаллов оценивалась по методу оттенения) наносились из спиртовой суспензии на подложку с дырками и фотографировались те участки, которые Приходились над отверстиями. Увеличение микроскопа определялось при помощи частиц латекса точность определения увеличения была около2%. [c.189]

На рис. 4, а изображена зонная схема для достаточно толстой пластинки полупроводника, обе поверхности которой содержат на себе хемосорбированные частицы и толщина L которой значительно больше длины экранирования / (обычно длина экранирования имеет порядок величины /=10 —10 см). Рис. 4,6 соответствует кристаллу, юлщина которого того же порядка, что и длина экранирования, а рис. 4, в — кристаллу, толщина которого значительно меньше длины эраиирования. В этом, последнем случае зоны можно считать полностью спрямленными и весь объем полупроводника равномерно заряженным. Положение уровня Ферми е в этом случае может быть легко найдено из условия равенства нулю суммы поверхностного и объемного зарядов. Мы получаем [c.31]

Рис. 5. 6. Спектры поглощения ж-ксилола а — кристаллы толщиной 2 мкм, поляри опанный свет разность хода около 350 нм для кристалла, которому соответствуют компоненты спектра I и III разность хода для кристалла с компонентами И и III около 200 нм (компонента III спектра общая для двух кристаллов). Т = 20° К, спектрограф ИСП-22 б —пары, длина поглощающего слоя 20 см, температура отростка труб-К1[ 280° К, спектро1 раф ИСП-22.

Особенно четко сложная структура рентгеновских рефлексов вне фокуса спектрографа проявляется в случае изгиба очень тонких кристаллов, толщина которых не превосходит 60 мк (рис. 17, стр. 56—-57). В отличие от рентгенограмм, получающихся после изгиба более толстых кристаллов, эти рефлексограммы характеризуются большей степенью совершенства каждой из расположенных почти параллельно друг другу линий, обильно заполняющих поле рефлекса. Эта правильность во взаимном расположении отдельных линий сложного рефлекса не нарушается и на расстояниях, непосредственно прилегающих к фокусному. В отличие от рентгенограмм от более толстых кристаллов, получающиеся в этом случае рефлексограммы, как правило, сопровождаются значительным фоном, интенсивность которого подчас оказывается сравнимой с интенсивностью линий. [c.54]

Кристаллы для спектроскопических измерений обычно приготовляются либо сублимацией, либо выращиваются из расплава между кварцевыми окнами и гораздо реже — из раствора. Иногда более толстые образцы откалываются или отрезаются от более крупных кристаллов. Для получения особенно тонких кристаллов методы сублимации являются основными. При сублимации антрацена в атмосфере инертного газа могут быть получены пленки толщиной до 0,1 мк или даже немного меньше, а кристаллы толщиной до нескольких микронов образуются обычно очень легко. Сублимированные пленки всегда имеют одну и ту же ориентацию с хорошо развитой моноклинной плоскостью аЬ (001). Попытки вырастить тонкие пластинки с другой ориентацией оказались неудачными. яара-Нитроанилин подобным же образом образует пленки только (101), а пйра-бензохинон — только (201). Другие кристаллы, такие, как кристаллы бензола, при сублимации могут давать пленки с двумя или большим числом ориентаций. Они могут быть определены с помощью микроскопа или рентгенографически. [c.546]

Каллмен и Поуп [57] наблюдали эффект Дембера у антрацена. При освещении одной стороны кристалла толщиной приблизительно 10 мк светом с длиной волны 3650 А было получено фотонапряжение до 0,2 в в направлении падающего света. Опять-таки можно было наблюдать, что у кристаллов антрацена обычной чистоты положительные дырки имеют большую подвижность, чем электроны. Появление разности потенциалов объясняется относительно легкой диффузией положительных дырок от областей, лежащих вблизи поверхности, на которую-падает свет. [c.709]

Хендрикс и Росс возражают против теории низкой упорядоченности в структуре монтмориллонита на основании главным образом исследований при помощи дифракции электронов. Если бы структурная неупорядоченность была так велика, как предполагал Гофман, т. е. отдельные пакеты слоев лишь параллельны друг другу, но расположены хаотично, то электронограммы не зависели бы от толщины кристалла. При помощи дифракции можно было бы обнаружить только хорошо развитую двумерную скрещенную решетку. Хендрикс и Росс показали, однако, что при дифракции в кристаллах толщиной в 100— ЮОО А развиваются отчетливо выраженные линии Кикучи (Kik u hi-lines) что с несомненностью указывает на существование трехмерного порядка. Если слоевые пакеты ориентированы определенным образом, то, очевидно, и молекулы воды прослоены правильно, С другой стороны, Гофман и Хауздорф указали на факт первостепенной важности интерференционная картина на рентгенограммах отве- [c.78]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология