Фотопроводимость таллия

О фотопроводимости таллий (1)-сульфидных фотоэлементов. [c.155]

Фотолиз частично ковалентных проводящих азидов не исследовался так подробно, как, например, фотолиз азида бария. Одна из причин этого, несомненно, состоит в отсутствии влияния предварительного облучения на кинетику последующего термического разложения. Все же оптические свойства и фотопроводимость азидов свинца и таллия исследованы (в том числе параллельно с исследованием цианамидов [70]) в достаточной мере [1, 2, 29, 60, 63, 66, 67], чтобы иметь уверенность в том, что азид таллия принадлежит к тому же классу соединений, что и азид серебра, а азид свинца, вероятно, относится к классу соединений, который занимает промежуточное положение между классами соединений типа азидов серебра и бария. В связи с этим мы приведем краткий обзор свойств этих азидов, после чего в общем виде рассмотрим результаты исследования фотолиза. При этом предполагается, что разложение азида серебра качественно аналогично фотолизу азида таллия. [c.184]

Начало крутого подъема кривой поглощения света решеткой азида таллия находится в интервале 3500—3600 А. Идентифицированы только две экситонные полосы при 3415 и 3348 А, к которым отнесены квантовые числа 2 и 3. Исходя из этого возрастание фотопроводимости, без сомнения, правильно приписывается диссоциации экситонов или непрямым переходам. Однако не совсем ясно, может ли пик при 4250 А быть отождествлен с процессом термической диссоциации экситона с и = 1. Энергия возбуждения, характеризующая фотопроводимость при 4250 А, равна 0,33 эв. [c.185]

Островский я. в. и Сосновский Л. Кинетика фотопроводимости в сульфиде таллия.— Бюлл. Польск. АН, 1954, отд. 3, т. 2, № 8, с. 391—394. Библ. 4 назв. [c.143]

Кинетика фотопроводимости сульфида таллия (1). [c.146]

Фотопроводимость кристаллов КС1, содер-жап(их центры металлического таллия. [c.155]

В кристалле, подвергнутом фотохимическому разложению, фотопроводимость ограничивается полосой, центр которой соответствует 4200 А. В этом отношении азид таллия сходен с азидом серебра, для которого Макларен и Роджерс не смогли обнаружить собственной фотопроводимости. В то же время это подтверждает точку зрения, что даже в азиде таллия пик при 4200 А обусловлен переходами, связанными с металлическим таллием. Ввиду отсутствия других данных остается предположить, что в азиде таллия фотопроводимость, возбуждаемая под действием света, соответствующего полосе 3900 А, является, вероятно, собственной(междузон- [c.185]

Влияние вводимых добавок на характер спектрального распределения фотопроводимости в селенидах мышьяка зависит от химической природы вводимого элемента. Германий и иод смещают максимум фотопроводимости и красную границу з коротковолновую область спектра [130, 172, 215]. Добавки меди, серебра, галлия, индия, таллия, олова смещают максимум фотопроводимости в длинноволновую область спектра [172, 206, 226]. Так, для стеклообразных сплавов AsSei,s и AsSe4 максимумы фотопроводимости на кривых спектрального распределения при введении таллия смещаются в область =1,12 и 1,15 мк соответственно. Наиболее заметное влияние оказывают первые, небольшие добавки таллия. [c.198]

В табл. 78 проведено сопоставление значений энергии ионизации Бф, энергии ех, определенной по границе пропускания света, и энергии активации электропроводности е для стеклообразных AsSei.sTlj, и AsSe4TI . С увеличением содержания таллия наблюдается понижение значений еф и ех, как и энергии активации электропроводности. Введение первых, небольших добавок таллия (4—6 ат. %) сопровождается заметным снижением величины еф. При последующем увеличении содержания таллия энергия активации фотопроводимости изменяется [c.198]

Особый интерес представляет адсорбция нейтральных газовых молекул, вызванная освещением поверхности полупроводника и появлением па новерхности избыточного заряда — электрона или электронного дефекта (дырки) . Известно, что освещение как полупроводников (AgJ), так и диэлектриков (стекло) видимым или ультрафиолетовым светом может вызвать конденсацию паров воды, иода и др. на освещенном месте Недавно была опубликована заметка подобного же рода о конденсации ряда сублимирующихся органических веществ на освещаемой снаружи внутренней стенке стеклянного сосуда . Все эти оныты не проводились в достаточно чистых, вакуумных условиях, а потому их интерпретация не()Днозначна. В 1934 г. мною была описана конденсация паров иода в вакууме при освещении оттренированного дисперсного слоя подпетого таллия определенным участком видимого спектра— явление, затем подробно исследованное Л. И. Курбатовым в нашей лаборатории . Одним из ряда выдвинутых тогда объяснений было предположение, что кондон-сация молекул иода происходит в результате начальной адсорбции атомов иода, появляющихся в результате фотодиссоциации молекул иода. Однако было отмечено также, что конденсация паров происходит в том спектральном участке, который вызывает фотопроводимость полуп )овод-нпка. [c.24]

Следующее замечание относится к одновременному существованию фотосорбции и фотодесорбции при действии ра.эличных длин волн. В нашей старой работе было показано, что при проектировании видимого спектра на слой иодистого таллия в атмосфере паров иода при очень малом давлении вначале получается позитивное изображение спектра, т. е. сорбция на неосвещенных местах идет быстрее, чем на освещенных. Б дальнейшем после длительного освещения на фоне позитивного изображения начинает появляться негативное и, как только оно появится, рост его интенсивности идет быстро. Позитивное изображение захватывает почти весь врщимый спектр, а негативное локализуется в зеленой части, т. е. в области фотопроводимости подпетого таллия. Эти факты имеют неносред-ственное отношение к взглядам, развиваемым Ф. Ф. Волькенштейном. Однако следует иметь в виду, что, как отмечал А. Н. Теренин, для ряда других адсорбционных систем такое двойственное влияние света не наблюдалось. Мне кажется, что следует учитывать склонность иодистого таллия к образованию полииодидов, в частности трииодида, который и получается при действии паров иода на слой иодистого таллия. Другие исследованные системы Н0 обладали этим свойством. [c.70]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология