Фотопроводимость

Было установлено изменение выхода продуктов и скорости химических реакций, достигнута интенсификация излучения света органическими люминофорами, обнаружено влияние магнитного поля на проводимость органических полупроводников и фотопроводимость полимеров. Особый интерес представляет открытие воздействия магнитного поля на окислительно-восстановительные реакции, происходящие при помощи хлорофилла, и, в частности, на фотосинтез в зеленых листьях. [c.164]

Металлическая проводимость возникает при наличии частично занятых электронами энергетических зон, в пределах которых электроны обладают высокой подвижностью. В непроводящих веществах (изоляторах) имеются полностью заполненные энергетические зоны, отделенные от свободных энергетических зон широкой запрещенной зоной (рис. А.26). У полупроводников ширина запрещенной зоны мала, так что уже при подводе тепловой энергии электроны могут переходить в более высоколежащие зоны. Поэтому в противоположность веществам с металлической проводимостью у полупроводников повышение температуры вызывает увеличение электропроводности. Тот же эффект может наблюдаться при воздействии световой энергии. Это объясняет фотопроводимость у селена. [c.360]

И по-видимому между этими атомами происходит обобществление электронных пар, что на рис. 21.19 схематически показано пунктирными линиями. Электропроводность селена в темноте очень мала, но сильно повышается на свету. На этом свойстве селена основано устройство фотоэлементов и приборов для измерения интенсивности света наподобие фотоэкспонометров. Ксерокопирование также основано на использовании фотопроводимости селена. [c.309]

Такие типичные полупроводники, как кремний и германий, уже при комнатной температуре обладают некоторой проводимостью, хотя она приблизительно в 10 раз меньше, чем у металлов. Хотя при нагревании увеличиваются тепловые колебания ядер атомов, но этот эффект с избытком компенсируется увеличением количества электронов в зоне проводимости. Таким образом, в противоположность металлам проводимость полупроводников растет с повышением температуры. Электроны преодолевают запрещенную зону не только при тепловом воздействии, но и при облучении светом определенной длины волны. Такое явление называется фотопроводимостью. [c.203]

Электропроводимость кристалла зависит от разности энергетических уровней валентной зоны и зоны проводимости, или, как говорят, от ширины запрещенной зоны. У полупроводников с неширокой запрещенной зоной перевод электронов в зону проводимости может происходить при освещении (явление фотопроводимости). Запрещенная зона у кремния составляет А =1,1 эВ. Кремний освещается светом с у = 5-10 с (желтый свет). Возникнет ли проводимость [c.69]

В наши дни одним из самых распространенных способов размножения печатных текстов, рукописей, чертежей стала ксерография. Обычно в ксерографических аппаратах используется фотопроводимость неорганических полупроводников — чаще всего селена. А что если заменить его органическим полупроводником [c.128]

Многочисленные усовершенствования ксерографии до сих пор не затрагивали главного ее элемента — селенового полупроводникового слоя. А у него хватает недостатков. Во-первых, селен токсичен. Во-вторых, фотопроводимостью обладает только аморфный селен, а ему свойственно с течением времени кристаллизоваться. В-третьих, слой довольно быстро истирается, поскольку в каждом цикле копирования по нему обязательно проходят особые щетки, счищая остатки проявляющего вещества. В итоге продолжительность службы селеновых цилиндров — не более десятков тысяч копий. [c.129]

Электроны в дефектах кристаллических структур с этими типами нестехиометрии могут быть возбуждены действием энергии света, что является причиной окраски кристаллов. Так, хлорид калия с избытком калия окрашен в фиолетовый цвет, а оксид цинка с избытком цинка имеет красный цвет. При более сильных энергетических воздействиях дефекты этих типов нестехиометрии могут быть ионизированы, т. е. они теряют электроны и кристалл приобретает способность проводить электрический ток. Электропроводимость кристалла под действием света называется фотопроводимостью. Если ионизация обусловлена поглощением теплоты, то кристалл обнаруживает электронную проводимость, возрастающую с повышением температуры. Такого типа кристаллы являются полупроводниками (см. ниже). [c.176]

Приборы с фотопроводимостью как компонент сложных полупроводников [c.312]

Орторомбическая (слоистая) 0,33 1,5 Приборы с фотопроводимостью как компоиеит сложных полупроводников [c.343]

Фотопроводимость полупроводников. Под фотопроводимостью подразумевается та избыточная проводимость Да, которая определяется неравновесными носителями заряда, образовавшимися за счет освещения полупроводника [c.151]

Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект — это процесс ионизации атомов полупроводника под действием света, приводящий к образованию добавочных неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. [c.425]

Обычно электропроводность, вызванную указанными переходами, называют собственной проводимостью в тех случаях, когда перенос электрона вызван действием света, говорят о фотопроводимости . [c.283]

Элементарный серый селен — один из наиболее важных полупроводниковых материалов. Первое в мире фотосопротивление было изготовлено из селена, селеновый выпрямитель был сделан в 1933 г. Выше уже рассматривались многие халькогениды, являющиеся важными полупроводниками. Теллур как полупроводник пока применения не находит, а серу относят к изоляторам, хотя она и обладает фотопроводимостью. Чистейшую серу можно получить многократной перекристаллизацией из раствора в Sg или по общему для всех трех халькогенов методу фракционной возгонкой в вакууме. [c.308]

НЫХ элементов (штифт Нернста) или карборунда, накаленный добела (или докрасна) электрическим током. Пучок света направляется и фокусируется в точке размещения образца зеркалами. Схема (рис. 32.3) ИК-спектрометра во многом сходна со схемой спектрофотометра видимой и ультрафиолетовой области. Здесь также с помощью системы зеркал (М1 и Мг) световой поток разделяется на два строго одинаковых луча, один из них пропускается через кювету с исследуемым веществом, другой — через кювету сравнения. Прошедшее через кюветы излучение поступает в монохроматор, состоящий из вращающейся призмы, зеркала и щели и позволяющий выделять излучение со строго определенной частотой, а также плавно изменять эту частоту. Оба луча встречаются на зеркальном секторе М3. При вращении зеркала в монохроматор попеременно попадают либо отраженный опорный луч, либо прошедший через прорезь луч от образца. Кюветы и окна для защиты детектора, как и призма монохроматора, выполняются из отполированных кристаллов минеральных солей (табл. 32.1), пропускающих инфракрасный свет. В современных приборах призма заменяется дифракционной решеткой, позволяющей значительно увеличить разрешающую способность спектрометров. Для фиксации количества поглощаемой веществом энергии используют два типа детекторов, действие которых основано на чувствительности к тепловому действию света или на явлении фотопроводимости. [c.760]

Лишним доказательством того, что крутые подъемы на кривой Лг ((а), может служить и то обстоятельство, что при низких температурах они не сопровождаются параллельным ростом фотопроводимости (см. ниже). При комнатных же температурах ход фотопроводимости во всех деталях копирует ход кривой поглощения. [c.423]

Схема опыта для измерения фотопроводимости показана на рис. 176. Вольтамперная характеристика образца изменяется в зависимости от длины волны и интенсивности света. Если в результате освещения электронная и дырочная концентрации увеличились на Ап и Ар, причем Ап = Ар, соответствующее изменение проводимости окажется равным [c.425]

При рассмотрении фотопроводимости мы полностью пренебрегли влиянием ловушек и учитывали только центры рекомбинации. Ловушки (уровни прилипания [4]) захватывают носители только одного сорта и затем отдают захваченный электрон или дырку вследствие теплового возбуждения. Присутствие таких ловушек приводит к увеличению фототока, так как способствует увеличению эффективного времени жизни. Хотя на первый взгляд наличие ловушек можно считать желательным, на самом деле они [c.427]

Фотодиоды. Рассмотрим равномерно освещенный диод с р — п-переходом. В удаленной от перехода области влияние освещения сводится просто к уменьшению сопротивления материала вследствие фотопроводимости. Однако носители, генерируемые светом 428 [c.428]

Указанные пигменты примен. в полиграфии, лакокрасочной пром-сти, для крашения резины и пластмасс. Ф. к. обладают высокой химстойкостью, полупроводниковыми и др. ценными св-вами (напр., фотопроводимостью), благо- [c.637]

Еще один важный результат был получен Франкевичем Е. Л. с соавторами. Они открыли влияние внешнего магнитного поля на фотопроводимость молекулярных кристаллов (см. [3]). Суть эффекта состоит в следующем. При поглощении кванта света создается экситон - в данном случае связанное состояние электрона и дырки. В дальнейшем происходит термическая диссоциация экситона, появляются носители тока, электрон и дырка. С этим процессом диссоциации конкурирует процесс рекомбинации электрон-дырочной пары. Пара может рекомбинировать только в [c.5]

В настоящее время в СССР искусственно получены две новые линейные модификации углерода карбин (—С=С—С=С—), в котором чередуются простые и двойные связи, и поликумулен (=С=С=С=С=) — с двойными связями между всеми атомами углерода. Карбин, в отличие от алмаза и графита, обладает особым свойством — фотопроводимостью. [c.192]

Из сказанного выше следует, что при обычных температурах фотопроводимость появляется в основном за счет собственного поглощетгя света и поэтому становится заметной, начиная с частоты При выполнении этого условия величина фото- [c.152]

Подставляя полученную величину в формулу (12ба), получаем выражение, связывающее между собой еличину фотопроводимости а, интенсивность света J и коэффициент рекомбинации К [c.153]

Галогениды серебра обладают эффектом фотопроводимости. Считается, что освещение галогенида серебра перебрасывает фотоэлектроны из валентной зоны в зону проводимости галогенида (см. разд. 8.9.2). Механизм образования свободного серебра в этом случае включает миграцию фотоэлектронов и внедренных ионов серебра в избранные точки на зерне, а затем появление свободных атомов серебра в результате соединения ионов и электронов. Образовавшиеся таким образом свободные атомы серебра действуют как эффективные ловушки возникающих впоследствии фотоэлектронов, и новые ионы серебра превращаются в нейтральные атомы вблизи того места, где появился первый атом. Поэтому крупицы серебра растут в отдельных исходных точках. Остающиеся после отрыва электронов положительно заряженные дырки могут обладать некоторой подвижностью и диффундировать к поверхности галогенидосеребряных зерен, выделяя свободный галоген. На рис. 8.14 показан механизм образования изображения, базирующийся на представлениях Гёрни и Мотта. Альтернативная схема, предложенная Митчеллом, предполагает первоначальный захват электрона ионом Дg+ с последующей адсорбцией Ag+ на растущей крупице серебра для захвата возникающих позже электронов. В обоих случаях основные процессы аналогичны. Стадии до образования крупицы из двух атомов обратимы, что согласуется с экспериментальным фактом стабильности скрытого изображения лишь при формировании агрегатов из более чем двух атомов (см. выше). [c.247]

Гипотетический механизм Гёрни — Мотта (или Митчелла) экспериментально хорошо подтвержден. Фотопроводимость галогенидов серебра, которые предварительно освещались до почернения, оказывается меньше, чем у неэкспонированных Это указывает на эффективный захват электронов частицами коллоидного серебра (или физическими дефектами, вносимыми в решетку при образовании частиц). Участие заряженных частиц в формировании изображения показано в эксперименте, в котором кристалл хлорида серебра помещался между двумя электродами и освещался через полупрозрачное токопроводящее окно в одном электроде. Образец облучался в области максимума спектра поглощения. В отсутствие приложенного электрического поля место формирования изображения ограничивалось областью вблизи поверхности кристалла. Однако в случае приложения сильного электрического поля и при освещении через отрицательный электрод фотоэлектроны смеща- [c.247]

Использование таких материалов значительно увеличивает коэффициент полезного действия термоэлектрических преобразователей. Они нужны для разработки полупроводниковых оптических квантовых генераторов и фотоэлектрических приемников, использующих эффект собственной фотопроводимости, для диапазона длин волн не выше 5—7 мкм. В полупроводниках с малой шириной запрешеннсй зоны и с высокой подвижностью носителей тока (типа InSb) обнаружены различные физические явления, представляющие особый практический интерес. [c.298]

При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является поглощение фотона с энергией, достаточной для возбуждения электрона в зону проводимости или на локальнью уровни, расположенные в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собст-венная фотопроводимость, которую 11111 [c.425]

Центры захвата, т. е. примеси с пренебрежимо малым сечением захвата носителей какого-нибудь одного типа, используются практически в каждом устройстве на основе явления фотопроводимости с целью увеличения сигнала в ущерб быстродействию этого прибора. Как правило, применяются ловушки, захватывающие дырки, причем их тип и концентрация зависят от требуемой предельной частоты фотоответа. [c.428]

Так как в отличие от фотопроводимости фотовольтаический эффект не требует внешнего источника напряжения, фотоэлементы, основанные на этом явлении, широко используют в качестве активного элемента фотоприемников и измерителей световых потоков. Для светочувствительных выключающих устройств ( электроглаз для открывания дверей и пр.) в большинстве случаев применяют фотодиоды, работающие на фото-э. д. с., возникающей в р — п-переходе. [c.428]

Анализ обнаруженных аномалий показывает, что в исследуемых системах идет неизвестный ранее процесс размножения электронных возбуждений, характерная длительность которого 10с. Размножение электронных возбуждений в AgBr и Ag l, обнаруженное в работе, носит, по-видимому, цепной характер и может быть причиной аномального квантового выхода фотопроводимости (//> I) и одной из причин рекордной фо-тофафической чувствительности этих материалов. Это положение на данном этапе исследований является гипотезой. [c.77]

Физикохимия полимеров (1968) -- [ c.298 ]

Химическая связь (0) -- [ c.235 ]

Общая химия (1979) -- [ c.391 ]

Химия твердого тела Теория и приложения Ч.2 (1988) -- [ c.2 , c.85 , c.101 ]

Физикохимия полимеров (1968) -- [ c.298 ]

Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.297 ]

Общая химия (1964) -- [ c.457 ]

Кинетика разложения твердых веществ (1969) -- [ c.0 ]

Физико-химия полимеров 1963 (1963) -- [ c.276 ]

Неорганическая химия (1987) -- [ c.143 ]

Электроника (1954) -- [ c.207 , c.208 ]

Физическая химия Том 1 Издание 5 (1944) -- [ c.38 ]

Физическая химия Том 1 Издание 4 (1935) -- [ c.57 ]

Применение длинноволновой ИК спектроскопии в химии (1970) -- [ c.45 ]

Введение в физическую химию кристаллофосфоров (1971) -- [ c.12 , c.15 , c.42 , c.62 , c.65 , c.131 , c.141 ]

Химическая связь (1980) -- [ c.235 ]

Катодолюминесценция (1948) -- [ c.278 , c.284 , c.290 , c.291 ]

Проблемы физики и химии твердого состояния органических соединений (1968) -- [ c.20 ]

Флеш-фотолиз и импульсный радиолиз Применение в биохимии и медицинской химии (1987) -- [ c.116 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология