Переходы непрямые

Прямой переход. Непрямой переход. [c.110]

Всякий живой организм, существующий на Земле (а до сих пор нам известны только земные организмы), представляет собой сложное сочетание молекул на углеродной основе, которые приспособлены эволюцией к выживанию и прямому или непрямому использованию солнечной энергии для осуществления самопроизвольно не протекающих реакций и поддержания низкой энтропии внутри организма. Организм живет до тех пор, пока могут поддерживаться такие условия. Когда биологический механизм поддержания этих условий разрушается, индивидуальный организм переходит в состояние с низкой энергией и высокой энтропией, которое принято называть смертью. [c.339]

Проблема состоит в том, чтобы найти число незапрещенных переходов. Определим их сначала для непрямого взаимодействия типа (2.85), (2.86). Для этого нужно сосчитать сумму состояний лишь по трем квантовым числам (/д, А, Еа А ) при следующих огра- [c.87]

Физический смысл фактора вырождения Р (см. (4.24)) состоит в том, что он, устанавливая связь между скоростями процессов в прямой, непрямой цепях и оборотном цикле, является количественной мерой величины этой релаксации. Для областей В и IV (см. рис. 31), напротив, механизм начальных фаз процесса имеет цепной характер, переходя затем в смешанный цепно-тепловой. [c.337]

Непрямые методы основаны на переходе от решения системы алгебраических уравнений к объединяющей их функции многих переменных. Так, если ввести следующие функции [c.108]

Непрямые переходы могут появиться принципиально только во втором порядке теории возмущения [8,14]. [c.419]

Экситоны могут образовываться также в результате непрямых переходов с поглощением или испусканием фононов. В этом случае [c.422]

Непрямое поглощение. Форма края непрямого поглощения также чувствительна к магнитному полю, хотя его изменения и не столь эффектны, как для прямых переходов. Причина этого в том, что благодаря дополнительному взаимодействию с фононами нет правил отбора, ограничивающих величину Ап, и возможны все значения Ап, совместимые с энергией фонона. Следовательно, спектр поглощения теперь не представляет собой ряд достаточно резких линий, имеющих хвост с высокочастотной стороны (соответствующий постепенному уменьшению плотности состояний с ростом энергии), а состоит из последовательности ступенек, причем каждая новая ступенька отвечает переходу либо на новый, либо с нового уровня Ландау. Конечное время релаксации опять размывает эту зависимость, и ступеньки (рис. 178) имеют конечный наклон [8, 9]. [c.430]

Окисление идет по одному из двух механизмов. В области кинетической стабильности воды происходит прямой электронный переход, а при высоких анодных потенциалах, когда на аноде одновременно вьще-ляется кислород, происходит непрямое окисление в реакции в качестве переносчика участвуют радикалы гидроксила ОН (возможно, адсорбированные на поверхности алмазного электрода). Следует отметить, что в первом случае электрод обычно отравляется побочными продуктами реакции, которые в виде полимерной пленки покрывают его поверхность, а во втором — нет. [c.72]

На рис. 48 приведен типичный спектр катодного фототока алмазного электрода при освещении его светом с энергией квантов ки меньше ширины запрещенной зоны (ки < д) [99]. Обработка спектров (см. врезку на рисунке) в принятых для этой цели координатах — ки (подробнее см. монографию [6]) позволила получить значения пороговых энергий непрямых электронных переходов, лежащих в основе фотогенерации носителей заряда. Иногда спектры состоят не из одного, а из двух прямолинейных участков, как на рис. 48, и дают две пороговых энергии. Проблема определения физической природы уровней энергии в запрещенной зоне алмаза, которые участвуют в таких переходах, еще далека от разрешения. Некоторые переходы с пороговой энергией близкой к 4 эВ удалось идентифицировать с фотовозбуждением электронов валентной зоны на уровни азота расположенные приблизительно на 1,7 эВ ниже дна зоны проводимости [282] (напомним, что энергия ионизации атомов азота в алмазе равна 1,7 эВ). [c.81]

Получение о-нитробензальдегида из о-нитротолуола ввиду легкости перехода от него к индиго (по методу Бейера и Древ-сена) было издавна интересной задачей, и, хотя из приведенных прямых методов окисления не оказалось ни одного, который безусловно был бы технически удобен для получения этого производного, выяснилась возможность выгодных способов его фабрикации методами непрямого окисления. [c.346]

Такое же соотношение получается при рассмотрении скоростей частиц, покидающих кристалл. Непрямая скорость такого процесса Шц представляет собой число частиц, ежесекундно покидающих место роста с выходом на грань. Энергия, требуемая для такого перехода, равна суммарной работе отрыва бо — е за вычетом работы отрыва от блока Со — Вн с добавлением к ней энергии активации ёо — ёд, требуемой для преодоления барьера перехода. Таким образом, энергия перехода равна ео —ё —(Eo — —Еи) + е — Ен = ёв — Ей,. Отсюда искомое соотношение получается в виде [c.58]

С 5 Значение Е =1,1 эй соответствует непрямым переходам. Для прямых переходов Я = 2,4 зв [150]. [c.399]

Монокристалл, непрямой переход [1542— 1544] [c.333]

Ое 0,625 2 и 0,8и 1 293 — — Монокристалл, непрямой переход [1547] [c.334]

Монокристалл, непрямой переход [1358, 1548] [c.334]

Очень чувствительный непрямой спектрофотометрический метод определения разработан Льюком и Болцем [20]. Метод включает а) экстракцию фосфорномолибденовой кислоты несмешивающимся растворителем и б) реэкстракцию буферным раствором с высоким значением pH при этом в водную фазу переходит молибдат. Измеряют оптическую плотность полученного водного раствора молибдата при 230 ммк. Конечная концентрация хлорной кислоты должна быть в пределах 0,9—1,6 н. Наилучшие результаты получаются при концентрации 0,1—0,5 мкг мл фосфора. Растворы молибдата подчиняются закону Бера. [c.21]

Такой переход (к) е/ (к ) называют прямым (рис. 2.7, а). Если уровни е и 8у соответствуют разным значениям к, говорят о непрямом переходе е°(к) (к ) с энергией [c.66]

А2А3 на границе. Для любого набора квантовых чисел (Е, /, Еа Аз а Аз) можно найти все значения Jудовлетворяющие (2.89), (2.91). Если обозначить это множество через (Оа , то, учитывая (2.90) и суммируя по всем Еа Ад. А2А31 окончательно получим полное число незапрещенных переходов -> М для непрямых соударений типа (2.85), (2.86) при фиксированных Е, J, т [c.88]

Интеграл непрямого соударения (2.92) включает все состояния А2А3 — как метастабильные (внутри центробежного барьера — подсистему 2па ), так и стабильные (состояния свободного движения — подсистему 2ша )-Разница этих состояний проявляется лишь в классическом приближении, и в общем случае 4-+ ША С учетом этого разделения число незапрещенных переходов из области взаимодействия в область свободного движения 2п1 (Е,/, те) = 4-гщА . 4- 1ПА2 + 4- 2ц1д. Окончательно полное число переходов между областью 2пд связанной пары и областью свободного движения трех молекул А1, А , Ад имеет вид [c.89]

Рис. 172. Собственное поглощение при прямых (а) и непрямых (б) межэонных переходах

Квантовомеханический расчет поглощения характеризуется тем, что непрямые переходы рассматриваются как бы происходящими через ряд промежуточных, виртуальных состояний, которым можно приписать очень малое время жизни. Энергия при переходе в виртуальное состояние не сохраняется, но импульс сохраняется. Соз ранениеэнергии имеет место для всего перехода в целом. Для каждого акта испускания или поглощения фонона имеются два возможных пути двойного перехода (см. рис. 172, б). Во-первых, под действием света электрон без заметного изменения своего [c.420]

Рис. 178. Спектр магнетопоглощения для непрямых переходов в германии при 1,5 К (D — пропускание)

В разд. Непрямое спин-спиновое взаимодействие (разд. 9.3.2) было показано, что взаимодействие между соседними ядерными диполями по механизму непрямого спин-спинового взаимодействия вызывает расщепление сигналов и приводит к появлению характеристических мультиплетов. Эти сигналы содержат информацию о структуре молекул. Например, присутствие квадруплета и триплета в спектре свидетельствует о наличии этильной группы в молекуле. В разд. 4Метод ЯМР и ЯМР-спектрометр (разд. 9.3.2) мы узнали о том, что спектры ЯМР на ядрах С записывают обычно с использованием широкополосной протонной развязки, с помощью которой устраняются спин-спиновые взаимодействия. Это достигается путем облучения мощным полем с частотой, соответствующей переходу протонов. При этом ориентация спинов протонов меняется очень быстро, время жизни каждого состояния спина уменьшается и результирующее взаимодействие становится равным нулю. Исчезает расщепление сигналов, мультиплеты становятся сипглетами. Такая процедура широкополосной протонной развязки является гетероядерной развязкой, поскольку облучают протоны, а наблюдают резонансные сигналы ядер С. Возможно проведение и гомоядерной развязки эти эксперименты очень важны и используются, когда нужно в спектроскопии ПМР идентифицировать сигналы, принадлежащие взаимодействующим друг с другом протонам. В качестве примера можно привести ацетилсалициловую кислоту, ароматическая часть спектра которой приведена на рис. 9.3-30,а. Для того чтобы продемонстрировать этот подход, облучим образец резонансными частотами дублета дублетов, с центром при 6 = 7,95, соответствующего протонам Н-6 (протон в орто-положении к карбоксильной группе). Сравнивая исходный и развязанный спектр (рис. 9.3-30,6), мы видим, что дублет триплетов упростился (<У = 7,25), так что одно орто-взаимодействие теперь отсутствует. Следовательно, этот сигнал можно отнести к Н-5. Однако мы также видим упрощение другого дублета— дублета триплетов при 6 = 7,5, поскольку л ета-взаимодействие J(H-4/H-6) [c.246]

Структура полимеров в разных фазовых и агрегатных состояниях была достаточно подробно рассмотрена в части первой и гл. IV. Ее существенная особенность — разнообразие возможных конформаций макромолекул при упаковке цепей в разных конформациях получаются различные типы морфоз, образующих структурную иерархию, заканчивающуюся объ-емно-конденсированной системой или раствором — в обоих случаях большой одно- или мультикомпонентной системой, физические свойства или области переходов которой предопределены структурой самих макромолекул (конфигурационной информацией) и характером разных уровней надмолекулярной структурной организации. Физические свойства полимеров в разных состояниях не только предопределяют конкретные возможности их рациональных применений, но и — как вообще в физике — определяют выбор методов исследования, так как всегда существует более или менее сложные, прямые или непрямые, корреляции между структурой и всеми физическими свойствами. [c.317]

Энергетические зоны Ш-нитридов (для трех полиморфных модификаций представлены на рис. 1.2 (расчет методом ЛМТО [73]) и образуют квазиостовную подполосу N25- o tohhhu, полностью занятую гибридную полосу M s,p,d)—N2p-THna (М = В, А1, Ga, In), отделенную от зоны проводимости запрещенной щелью. Величина последней, как и типы переходов (прямой, непрямой) в ряду нитридов изменяются в широком диапазоне ( 6,2-А),0 эВ) в зависимости от состава катионной подрешетки и типа кристаллической структуры [73—75, 86, 90—116]. Энергетические распределения плотностей состояний (ПС) атомов-компонентов по основным полосам валентной зоны (ВЗ) и зоны проводимости (ЗП) для e-AIN приводятся на рис. 1.3. Важно отметить, что в области ВЗ нитридов А1, Ga, In присутствует определенный вклад занятых 3d—5d-состояний катионов методические аспекты необходимости учета -орбиталей этих элементов, свободных в их атомарном состоянии, для корректного воспроизведения фундаментальных электронных свойств нитридов подробно обсуждаются, например, в [c.11]

Энергетические состозшия г-ВМ в настоящее время исследованы достаточно подробно, см. [72]. Проиллюстрируем их, используя данные самосогласованного ЛППВ-расчета [132], рис. 1.7. Характер дисперсии зон позволяет выделить подполосу низколежа-щих состояний (в основном М25-типа с примесью В2л-состояний), отделенных запрещенной щелью от полосы гибридизованных р— р-состояний последнюю можно отнести к смешанной а—к-эо-не. Нижняя зона вакантных состояний (о -, л -типов) отделена от валентной полосы запрещенной щелью (ЗЩ). г-ВМ относится к соединениям с непрямой ЗЩ, величина которой оценивается -3,9 эВ (Н М), тогда как минимальная дистанция прямого перехода составляет -4,3 эВ (точка Н). В спектре г-ВМ присутствуют т. н. межслоевые зоны (на рис. 1.7 выделены сплошными линиями). Нижняя из них, имеющая четкий параболический характер с минимумом в точке Г, отделена от вершины ВЗ щелью шириной -4,7 эВ. Для ВМ существует семейство межслоевых незанятых состояний, концентрирующихся в области между графитоподобными сетками. [c.19]

Последний применен для описания Ga Al N (д = 0 0,25 0,5 0,75 1) в [94]. С помощью метода ЛМТО-сильной связи оценивались энергии формирования Е ТР, рассчитаны энергетические спектры, величины прямых (Г—Г) и непрямых (Г—X) переходов, решеточные постоянные, модули упругости, рассмотрены эффекты релаксации. Согласно [94], изменение типа межзонного перехода (прямой—непрямой) происходит при Jt 0,42. Е раствора составляет незначительную положительную величину (-15— 20 мэБ/атом) и имеет параболическую концентрационную зависимость. С использованием техники расширенного кластера [106] оценивался предел смешиваемости при образовании неупорядоченных ТР. Установлено, что при типичных температурах синтеза данных систем (/ - 600 °С) могут быть достигнуты полная растворимость компонентов и образование неограниченного ТР. [c.60]

Валентная зона а-А120з включает низкоэнергетическую полосу квазиостовных 025-состояний, отделенную ЗЩ (-8,6 эВ) от основной связьшающей полосы гибридных А1—0-состояний. Диэлектрическая щель (прямой переход в точке Г) составляет величину -6,31 эВ минимальная величина непрямого перехода оценена -6,29 эВ. Вершина ВЗ содержит квазиплоские зоны, указывая на значительные эффективные массы дырочных носителей. Дно ЗП содержит единичную энергетическую зону с усредненной эффективной массой -0,4 е, что согласуется с экспериментальными данными по транспортным свойствам а-А120з, согласно которым основным типом носителей являются электроны [36]. [c.119]

Запрещенная щель (непрямой переход К Г) составляет, по оценкам [30], величину -5,6 эВ. Экспериментальные значения ЗЩ варьируются в интервале 8,6—9,0 эВ [52—54] их отличия от теоретических [25—33] отражают известный факт недооценки ширины ЗЩ методами, использующими ФЛЭП-аппроксимацию. Край ВЗ содержит квазиплоские 02р-зоны соответственно, эффективная масса носителей (дырок) весьма велика компоненты т для а-8Ю2 составляют -5,56 т 1т 1. ) и -1,31 т 1т ) [55]. Наоборот, эффективныя массы электронов проводимости малы (/И 0,5), вблизи точки Г нижняя зона свободной полосы имеет значительную энергетическую дисперсию Е к), рис. 7.1. [c.155]

Мы здесь не стремимся дать подробное изложение стационарной регистрации многоквантовых переходов, но обратим внимание на такие ее стороны, которые важны для сравнения с непрямыми методами измерения, описанными в разд. 8.4 и 8.5. Основополагающая теория стационарной регистрации многоквантовых переходов была развита Яцивом [5.1]. Буччи и др. [5.67] ввели обозначения, которые особенно удобны для практических расчетов. Применению многоквантового стационарного ЯМР в спектроскопии высокого разрешения в жидкостях содействовали работы Андерсона и др. [5.2], Каплана и Мейбума [5.68], Коэна и Виффена [5.69], Мушера [5.70], а также Мартина и др. [ 5.71]. [c.302]

При 813°К — полиморфное превращение. При 898° К. 61 ат. % Зе ЗпЗе и ЗпЗсг образуют эвтектику [39], 8 Непрямой переход, йЕ ёТ эв/град [39]. [c.409]

Полупроводниковые соединения типа AVIIIBV. Соединения этого типа изучены слабо. Зона проводимости PlSb2-8 эллипсоидов вращения, большие оси которых расположены в направлениях 1111]. Валентная зона — 6 эллипсоидов вращения, расположенных вдоль осей [100] [41]. Энергия прямого перехода > 0,4 эв Eg = 0,08 эв соответствует непрямому переходу [175]. [c.414]

Поликрнстал-лический ромбоэдрический, непрямой переход То же, прямой переход [1531- 1535] [c.333]

Процесс переноса энергии является многообещающим как способ непрямого получения химически реакционноспособных возбужденных состояний. Способ этот особенно важен в том случае, когда непосредственное облучен но не приводит к эффективному образованию триплетов. Например, облучение сопряженных диенов не дает хорошего выхода триплетов, так как возможность межсистемпого перехода мала. Однако если смесь, содержащая бензофенон и диен, облучается светом, поглощаемым кетоном, то при этом образуется триплетное состояние кетона, которое затем переносит энергик к диену, образуя триплетное состояние последнего Применена схема но.ту-чения димеров диенов, которые не могут быть получены термическо реакцией Дильса—Альдера. [c.630]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология