Решетка периодичность

Для объяснения механизма действия гетерогенного катализатора рассмотрим свойства атомов или молекул на поверхности любого кристаллического вещества. На поверхности фазы свойства атомов отличаются от свойств атомов, находящихся внутри кристаллической решётки. Кристалл каждого вещества обладает присущей ему трехмерной периодичностью расположения молекул, атомов или ионов. Для простоты изложения рассмотрим двухмерную решетку, изображенную на рис. 7. [c.45]

Первая группа локализованных состояний приурочена к части спектра, лежащей непосредственно над верхней границей верхней заполненной полосы. В подавляющей большинстве случаев эти состояния обусловлены наличием в решётке чуждых, загрязняющих атомов и дают начало так называемым уровням загрязнения . В первую очередь к числу их относятся уровни из энергетического спектра атомов активатора или основных элементов решётки, не подчинённых нормальной периодичности. Появление этих уровней в спектре кристалла схематически может быть представлено следующим образом. При введении чуждого, атома в решётку некоторые из его энергетических уровней будут расщеплены в полосы, сольются с энергетическим полосами кристалла и, став периодичными, потеряют связь с родоначальным атомом. Некоторые из уровней, наоборот, окажутся в области запрещённых энергий. Они будут локализованы в пределах своего атома и не испытают заметного расщепления, поскольку соответствующие периодические состояния в решётке отсутствуют. Локализация подобных уровней, конечно, не очень строга и есть результат экспоненциально затухающей вероятности распределения с родоначальным атомом как центром. Источником локализованных состояний могут служить не только чужеродные атомы. Совершенно аналогично и поведение основных элементов решётки, если по той или другой причине они не участвуют в нормальной периодичности кристалла (избыточные против стехиометрической формулы компоненты). Если спектр включения богат уровнями, а полоса запрещённых энергий достаточно широка, то не исключена возможность локализации в ней нескольких самостоятельных уровней одного и того же атома. [c.281]

Электронные уровни второй группы расположены также в запрещённой области спектра, но приурочены к её верхней части в непосредственной близости от нижней границы полосы проводимости М на рис. 64). Энергетическое расстояние их от этой границы таково, что тепловой энергии решётки достаточно или почти достаточно для переноса электрона с них в полосу проводимости. Большая часть подобных уровней обусловлена трещина-лш, напряжениями или поверхностями раздела в кристалле, но иногда они прямо или косвенно связаны с чуждыми атомами. По природе своей они метастабильны и называются иногда метастабильными уровнями или по характеру поведения уровнями прилипания . Последний термин подчёркивает возможность захвата электрона из полосы проводимости на один из локализованных метастабильных уровней с последующим освобождением электрона за счёт тепловых флуктуаций решётки. Если уровни первой группы (уровни загрязнения) принимаются нормально заполненными, то уровни прилипания в нормальном состоянии кристалла свободны. Пространственно те и другие локализованы и не участвуют в периодичности кристалла. [c.283]

ВОЗМОЖНОСТЬ существования термодинамически нестабильных структурных форм, а в данной структурной форме—множества нарушений правильной периодичности поля кристаллической решётки, типичных для структуры реальных кристаллов. [c.147]

В подавляющем большинстве катодолюминофоров оптические переходы, дающие начало люминесцентному излучению, возможны лишь в строго определённых участках решётки. В учении о люминесценции эти участки давно получили специфическое название люминесцентных центров . Ими служат или чуждые решётке атомы, так называемые атомы активатора, или компоненты самой решётки, если в силу той или другой причины они не подчинены основной периодичности кристалла. Примером люлшнофоров первого рода служат активированные сульфиды, силикаты, окислы и другие соединения. [c.104]

Приведённых примеров достаточно для оценки роли поверхностных зон кристалла в ходе люминесцентного процесса. С поверхностным характером поглощения связано большое число паразитных процессов, на которые тратится поглощаемая люминофором энергия. Независимо от того, представляет ли акт поглощения полный отрыв электрона с переносом его в полосу проводимости или образуются только эксцитоны, поглощённая энергия должна быть перенесена от узлов решётки к излучающим атомам. Судьба её при этом будет существенно зависеть от глубины, на которой образовался первичный возбуждённый центр. Нормальное периодическое поле, характерное для более глубоких зон кристалла, уменьшает вероятность непосредственного перехода энергии возбужения в тепло относительно большая часть её может беспрепятственно достигнуть излучающих центров. Различные нарушения периодичности, вызванные поверхностями раздела, ошибочными положениями в решётке или наличием в ней чуждых атомов, служат непроходимым барьером для электрона в полосе проводимости, движущегося по уровням возбуждения эксцитона или при переносе энергии за счёт резонансных процессов. Все эти области нарушения структуры неизбежно повышают вероятность теплового рассеяния и понижают отдачу. [c.332]

В отличие от свечения кристаллов чистых веществ ураниловых солей, кристаллов антрацена, нафталина и т. п., могущего волпплнуть в любой элементарной ячейке регулярной кристаллической решётки, свечение кристаллофосфоров связано с появлением в решётке особых областей, нарушаю-1ЦИХ её периодичность, причём по крайне мере некоторые из этих особых мест решётки содержат ион активатора, определяющий характер свечения фосфора. [c.290]

Возникновение длительного свечения, характерного для кристаллофосфоров связано с нарушениями кристаллической решётки, вызываемыми внедрением в неё ионов активаторов, обычно катионов, а также появлением в отдельных местах решётки родственных ионов, образующихся при приготовлении фосфоров (например. О, 304 вместо 8), или вводимых в виде вещества плавня (например, С1). Эти вкрапления нарушают периодичность решётки и создают местные локальные энергетические уровни, не распро-хтраняющиеся на весь кристалл. Для теории длительного свечения суще- [c.330]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология