Кристаллизация направленная

При малых переохлаждениях ДГ, непосредственно вблизи температуры плавления, кристаллизация полимеров, как и низкомолекулярных веществ, протекает в условиях, приближающихся к равновесным. При этом образуются наиболее совершенные монокристаллы. При некотором увеличении переохлаждения совершенные монокристаллы уже не обнаруживаются кристаллизация идет с образованием монокристаллов несколько дефектной структуры. Такими монокристаллами являются ламели (пластины) со складчатыми цепями [60, 65]. Толщина их колеблется в пределах 1 10 — ЫОз А и тем больше, чем выше температура кристаллизации направление цепей перпендикулярно плоскости пластины или составляет с ней угол, близкий к прямому. В тонкой пленке такие кристаллы могут иметь вид нитей. Такие кристаллы наблюдали [c.327]

Рассмотрим два типа расчета первый заключается в предсказании по известной фазовой диаграмме распределения компонентов в твердой фазе после кристаллизации (направленной кристаллизации или зонной [c.130]

Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, занимающихся теорией и практикой процессов управляемой кристаллизации — направленной кристаллизации, зонной плавки. Она полезна также студентам вузов, специализирующимся в указанной области. [c.2]

Осуществим следующий процесс. Пусть исходное состояние контейнера с расплавом точно такое же, как и на рис. 1.1, но кристаллизацию будем проводить не снижением температуры в печи (нагревателе), а опусканием из нее сосуда 1 (контейнера) (рис. 1.9). Это приведет к кристаллизации (затвердеванию) части расплава, но в отличие от объемной кристаллизации направление затвердевания задано опусканием контейнера (в данном случае снизу вверх). Такой процесс и подобные ему,.в которых направление кристаллизации задано внешними условиями, называют направленной кристаллизацией. [c.12]

Задачей направленной кристаллизации, как правило, является перераспределение компонентов вещества или повышение совершенствования его кристаллической структуры. Проведение кристаллизации направленно дает возможность контролировать и активно влиять на ход указанных процессов. Обе отмеченные прикладные задачи направленной кристаллизации имеют первостепенное значение и для физико-химического анализа. [c.51]

В этих случаях граница полей кристаллизации (линия) является и путем изотермической кристаллизации. Направление движения фигуративной точки можно также определить методом построения векторов кристаллизации. [c.186]

На рус. 81, 83 раствор в точке 3 является конгруентно насыщенным, так как пути кристаллизации сходятся к точке 3 и равнодействующая векторов кристаллизации равна нулю. Точка 3 будет конечным пунктом кристаллизации системы точка 3 не будет таковым, — пути кристаллизации не сходятся к ней и равнодействующая векторов кристаллизации направлена к точке 3. Путь кристаллизации направлен к точке 3 т. е. раствор 3 инконгруентно насыщен и его состав будет изменяться по направлению к точке 3, где усохнет с выделением солей ВМ, СМ и СМ. [c.187]

На кривой ДТА имеется эндотермический пик плавления. На него накладывается экзотермический пик, отвечающий изомеризации комплекса и его кристаллизации. Направление реакции изомеризации согласуется с трансвлиянием лигандов. Известно, что метил обладает очень высоким трансвлиянием. Вследствие этого расположенный в транс-положении к нему фосфин стремится переместиться и занять место против другой молекулы фосфина. [c.226]

Кристаллизация вещества из расплава при неконтролируемых условиях обычно приводит к одновременному образованию массы мелких сросшихся кристаллов и затвердеванию расплава. Различают следующие виды такой кристаллизации направленную, противоточную, в тонком слое и зонную плавку. [c.394]

Таким образом, в настоящее время применяют жаропрочные сплавы, полученные равноосной кристаллизацией, направленной кристаллизацией и с монокристаллической структурой. [c.330]

Для К. применяют разл. методы экстракцию, жидкостную и газовую хроматографию сорбцию (адсорбцию, абсорбцию, хемосорбцию) избират. растворение, осаждение и соосаждение методы, основанные на разл. электрохим. поведении макро- и микрокомпоиентов (гл. обр. электровыделение, электродиализ, электрофорез, электроосмос) отгонку, ректификацию и мол. дистилляцию, сублимацию, кристаллизацию (направленную кристаллизацию и зонную плавку) пробирную плавку флотацию фильтрование, диализ и др. [c.462]

В результате испарения 3,78 моль Н2О из 1 СЕ раствора F20 выпадают в смеси 0,279 моль NH4 I и 0,164 моль КС и остается 0,558 СЕ раствора 6. Полученный раствор 6 после отделения солей охлаждают до 20° С при 20° С он расположен в поле кристаллизации KNO3. Следовательно, при охлаждении раствора 6 до 20° С выпадает KNO3 и процесс кристаллизации направлен по лучу Е7 до точки 7. [c.240]

В этом случае изомеризация инициируется УФ-облучением. В обогащенном ирамс-изомером полимере в соответствии с требованием приближения к равновесию образуются ммс-последовательности, однако при последующей кристаллизации направление реакции меняется и содержание г г/с-изомеров уменьшается [74]. [c.545]

Достигнув точки 15, процесс испарения прерывают, так как дальнейшее испарение приводит к тройной точке где кристаллизуются три соли. Полученный раствор 15 после отделения смеси K i-f-NH l охлаждают до 20 Раствор 15 при 20" расположен в поле кристаллизации KNOg и при охлаждении раствора до 20° выпадает KNOg процесс кристаллизации направлен по лучу Е—15 до точки 17. [c.266]

Энтропия разделения при очистке методами направленной кристаллизации. Направленная кристаллизация может рассматриваться как определенный физико-химический процесс воздействия на многокомпонентную систему, основным результатом которого является перераспределение компонентов в объеме системы. Вигдорович и Вольпян [901 оценили изменение энтропии при этом процессе. [c.29]

Кристаллизационное концентрирование микрокомпонентов-сравнительно новое направление аналитической химии малых содержаний и поэтому имеет немало белых пятен . Наибольших усилий заслуживает дальнейшее развитие теории сегрегации примесей в процессе управляемой кристаллизации, которая отнюдь не сводится к применению классических уравнений Галливера, Пфанна и Бартона-Прима-Слихтера. В особенности это относится к новым вариантам кристаллизационного разделения, нашедшим применение для аналитических целей-центробежной направленной кристаллизации, направленной кристаллизации водно-солевых эвтектик и экстракционной направленной кристаллизации. Интересных результатов, непосредственно связанных с предельными возможностями кристаллизационного концентрирования или очистки, можно ожидать от прямых экспериментов с ультрамалыми относительными содержаниями примесей в кристаллизуемых веществах. [c.174]

Поскольку высота жидкого участка невелика (0.5- 5 мм, обычно 1-г2 мм), то тепловым потоком через его боковую поверхность пренебрегаем. Это упрощ ение наиболее оправданно при интенсивном охлаждении над фронтом кристаллизации. При малой толщине изделия можно считать, что тепловой поток над фронтом кристаллизации направлен вертикально вверх и фронт кристаллизации является плоским. Допустим, что на буферном участке А (этого участка может не быть) и не ограниченном сверху участке С изделие охлаждается лишь свободной конвекцией (тепловые [c.196]

Различают два типа ориентации при заполнении литьевых форм ориентацию в пристенном слое и ориентацию при расширении потока в полости формы. Резкое охлаждение материала приводит к фиксации ориентации пристенных слоев в продольном (по отношению к направлению течения) направлении и к образованию в полимере тонких фибрилл, которые становятся центрами кристаллизации. Направление ориентации при расширении потока в форме перпендикулярно направлению течения. Напряжения и ориентация, возникающие в материале, распределяются неравномерно, уменьшаясь от поверхности к центру отливки. Если сечение канала непостоянно по длине, например расширяется к выходу (конвергентный канал), развивается биак-сиальная ориентация. Показано, что максимальная степень ориентации достигается в районе инжекции материала в форму, а у противоположной стенки формы она имеет минимальное значение. [c.235]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.285 ]

Процессы и аппараты химической технологии Часть 2 (2002) -- [ c.310 ]

Основы аналитической химии Книга 1 Общие вопросы Методы разделения (2002) -- [ c.260 ]

Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.355 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.285 ]

Основы техники кристаллизации расплавов (1975) -- [ c.219 ]

Химия и технология ферритов (1983) -- [ c.155 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.607 ]

Кристаллизация в химической промышленности (1979) -- [ c.326 , c.327 ]

Общая химическая технология Том 2 (1959) -- [ c.198 ]

Химия несовершенных кристаллов (1969) -- [ c.10 , c.17 ]

Техника лабораторного эксперимента в химии (1999) -- [ c.394 , c.395 ]

Процессы и аппараты химической технологии Часть 2 (1995) -- [ c.310 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология