Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Поле кристаллизации

    В обеих исследованных системах более развитыми полями кристаллизации являются поля дихлоридов аминов. [c.95]

    В той и другой системах составы эвтонических растворов обогащены хлоридом гадолиния, в силу чего значительную часть на диаграмме состояния занимают поля кристаллизации дихлоридов диаминов. Поле кристаллизации хлорида гадолиния развито мало. [c.99]


    Чтобы далее проследить за фазовыми изменениями при охлаждении, необходимо построить путь кристаллизации. В данном случае путь кристаллизации означает геометрическое место точек, показывающих изменение состава жидкой фазы при кристаллизации. Поскольку заданный расплав начинает кристаллизоваться с выделением кристаллов А, а компоненты В и С при этом остаются в жидкой фазе, то соотношение между компонентами В и С в жидкой фазе сохраняется постоянным, пока выделяются кристаллы А. Как уже отмечалось, при сохранении постоянства соотношения двух компонентов точка состава будет перемещаться по прямой, исходящей из вершины третьего компонента. Следовательно, состав остаточной жидкой фазы при кристаллизации компонента А будет скользить по продолжению линии Ат в сторону понижения температуры (отрезок тр). Пока путь кристаллизации проходит по полю А, выделяется только одна кристаллическая фаза. По достижении пограничной кривой ВзВ начинается совместное выделение двух кристаллических фаз Л и С, т. е. компонентов, поля кристаллизации которых разделяет данная пограничная кривая. [c.73]

    Когда точка заданного состава будет лежать в поле кристаллизации компонента А, но несколько выше точки т (например, точка п), в качестве вторичной кристаллической фазы выделятся не кристаллы С, а фаза В, если путь кристаллизации попадет на пограничную кривую Е1Е. Если путь кристаллизации попадет непосредственно в точку Е, фазовые превращения пройдут по схеме расплав->Л+ж. ф. Л + -l-i5+ +ж.ф. (в точке Е)- А + [c.74]

    На рис. 29 показаны также направления путей кристаллизации в полях кристаллизации компонентов В и С. В данной системе все пути кристаллизации заканчиваются в точке тройной эвтектики. [c.74]

    Состав двойного соединения изображается точкой на стороне треугольника. Характерно, что точка состава химического соединения, плавящегося конгруэнтно, лежит в пределах своего поля кристаллизации. [c.76]

    Пути кристаллизации расплавов, составы которых лежат в полях кристаллизации А. В и С (см. рис. 30), будут исходить из соответствующих вершин треугольника. Составы, попадающие в поле [c.77]

    Инконгруэнтная пограничная кривая различается также по следующему признаку она разделяет поля кристаллизации инконгруэнтно плавящегося соединения и той фазы, в поле кристаллизации которой попал состав данного соединения. [c.79]


    Рассмотрим более подробно пути кристаллизации отдельных расплавов в системе, точки составов которых лежат в поле кристаллизации компонента А (рис. 33). [c.79]

    Проследим за фазовыми превращениями расплава а при его охлаждении. Точка а лежит в поле кристаллизации компонента Л, поэтому для построения пути кристаллизации соединяем вершину [c.82]

    Состав п лежит в поле кристаллизации компонента В. поэтому первыми при охлаждении расплава появятся кристаллы В. Путь [c.89]

    Следует отметить, что в сложных трехкомпонентных системах, характеризующихся наличием нескольких химических соединений и имеющих значительное количество полей кристаллизации, нанесение полей твердых растворов представляет больщие трудности. Поэтому для удобства фазы, образующие между собой твердые растворы, соединяются только прямой линией, частично или полностью заштрихованной в зависимости от того, является ли ряд твердых растворов ограниченным или непрерывным. [c.90]

    На этих сечениях можно изобразить поля кристаллизации фаз, которые образуются при пересечении такими плоскостями областей кристаллизации. Но при этом точки составов фаз могут и не попадать в данное сечение. [c.92]

    Сопоставление изменений в положении пограничных кривых на различных разрезах позволяет судить об общих изменениях в положении областей кристаллизации. По существу здесь рассматривается влияние четвертого компонента на температуры ликвидуса тройных смесей и смещение полей кристаллизации. [c.92]

    В поле кристаллизации кремнезема обнаружена узкая область ликвации. [c.124]

    Состав эвтонического раствора обогащен хлоридом гадолиния. Значительную часть на диаграмме растворимости занимает поле кристаллизации солянокислого амина. Поле кристаллизации содержание хлорида гадолиния сравнительно невелико. В системе 5H10N X НС1 — Gd lg — Н2О раствримость несколько выше. С увеличением температуры растворимость в обеих системах возрастает. [c.89]

    Выполненное исследование показывает, что поле кристаллизации хлорида гадолиния уменьшается закономерно от системы с диэтиламином к системе с триэтиламином. Поля кристаллизации хлоридов аминов соответственно возрастают. Новые твердые фазы в системах не обнаружены. [c.94]

    Итак, чтобы построить путь кристаллизации расплава трехкомпонентной смеси, нужно найти положение точки заданного состава на диаграмме, соединить ее с точкой состава того компонента, в поле кристаллизации которого лежит заданная точка (в данном случае с вершиной треугольника), и продолжить полученную прямую до пересечения с первой пограничной кривой. Далее путь кристаллизации пойдет по пограничной кривой в сторону понижения температур к тройной эвтектике (или в общем случае в тройной точке системы, о чем будет сказано ниже). В точке тройной эвтектики путь кристаллизации всегда заканчивается. [c.74]

    Если два компонента трехкомпонентной системы образуют химическое соединение состава АтВп, плавящееся конгруэнтно, то на диаграмме состояния появляется дополнительное поле кристаллизации этого соединения и возникают две тройные эвтектики (рис. 30). Существование одной тройной эвтектики в такой системе невозможно, поскольку тогда бы к одной точке примыкали все четыре поля кристаллизации и в равновесии должны были бы находиться четыре твердые и одна жидкая фазы, что противоречит правилу фаз (в изобарной тройной системе число фаз в инвариантной точке не может быть больше 4). Появляется также новая пограничная кривая Е]Е2, разделяющая поля кристаллизации твердых фаз АтВп и С. [c.76]

    По пограничной кривой Е Е кристаллизуются две твердые фазы С и АтВп, но температуры падают и к точке 1 и к точке Е<1. Следовательно, между ними должна располагаться точка температурного максимума. Положение ее определяется правилом соединительной прямой. Согласно этому правилу, температурный максимум всегда соответствует точке пересечения пограничной кривой и прямой, соединяющей точки составов фаз, поля кристаллизации которых разделяет данная пограничная кривая. Это правило сохраняет силу и тогда, когда точка пересечения соединительной прямой и пограничной кривой лежит на продолжении одной из них [c.76]

    А, закончат кристаллизацию в точке Ей а составы поля В — в точке Е2. В поле кристаллизации соединения АшВп точки исходных составов должны соединяться с [c.77]

    Общий вид диаграммы состояния трехкомпонентной системы, в которой два компонента образуют инконгруэнтно плавящееся соединение АгпВп, показан на рис. 32. Эта диаграмма, как и предыдущая, имеет поле кристаллизации образующегося соединения, однако точка состава соединения лежит за пределами данного поля. [c.78]

    На сторону АВ проектируются уже не две двойные эвтектики, а одна эвтектика и перитектика и. В системе образуется только одна тройная эвтектика Е. Точка О не является эвтектической, так как температуры по линии СЕ падают по направлению к Е (температурный максимум расположен в точке пересечения соединительной прямой АтВп—С и продолжения линии СЕ), и в точке С сходятся лишь две стрелки. Но поскольку в точке О находятся в равновесии с жидкостью три кристаллические фазы, поля кристаллизации которых примыкают к ней, т. е. фазы А, С и АтВп, то эта точка, так же как и Е, будет инвариантной. Она носит название точки двойного подъема (если в эту точку на поверхности ликвидуса поставить наблюдателя, то он увидит две поднимающиеся и одну опу скающуюся пограничные кривые). Как и эвтектика, точка двойно го подъема относится к так называемым тройным точкам системы, где в равновесии сосуществуют три твердые фазы. [c.78]


    В поле кристаллизации АтВп пути кристаллизации пойдут по прямым, соединяющим заданные составы с точкой состава соединения А,пВп. В соответствии с направлением их вторичной кристаллической фазой будут кристаллы В или С, а конечными продуктами кристаллизации — В, С и АтВп- [c.79]

    Так, расплав состава с вначале распадается на кристаллы Л и жидкую фазу, затем на кривой иО растворяются кристаллы Л с образованием АтВп в присутствии остаточной жидкой фазы. Чтобы найти точку исчезновения кристаллов Л на инконгруэнтной кривой, соединим исходную точку с составом образующегося соединения АтВ - Пересечение этой линии с пограничной кривой даст искомую точку. Здесь путь кристаллизации покидает кривую и6 и идет по продолжению прямой АщВп—с1 через поле кристаллизации АтВп к пограничной кривой ОЕ. Закончится кристаллизация при температуре Е. Последовательность фазовых превращений для состава й будет такая расплав ->-Л- -ж. ф.->-Л (растворя- [c.80]

    Составы, расположенные в поле кристаллизации С вблизи соединительной прямой, но справа от нее, также проходят довольно сложный путь кристаллизации. Например, расплав состава е при кристаллизации выделяет компонент С, затем на пограничной кривой идет одновременная кристаллизация Л и С. В точке О происходит химическая реакция образования АтВп, на которую расходуются кристаллы Л. Путь кристаллизации в точке О не заканчивается (точка принадлежит фазовому треугольнику С—АтВп—В), а продолжается по пограничной кривой СЕ. В эвтектической точке расплав закристаллизуется с выделением С, АтВп и В. [c.81]

    Поля кристаллизации двойных соединений всегда примыкают к стороне диаграммы состояния трехкомпонентной системы (за исключением случая, который описан ниже), а однокомпонентных — к вершине. По этим признакам они легко различаются на диаграмме. [c.81]

    Если два компонента системы образуют химическое соединение, разлагающееся при нагревании в твердом виде, то при добавлении к нему третьего компонента температура плавления смесей может понизиться настолько, что станет ниже температуры разложения вещества. Тогда на диаграмме состояния трехкомпонентной системы появляется поле кристаллизации двойного соединения, расположенное внутри диаграммы (рис. 34). Оно ограничивается тройной эвтектикой Е, точкой двойного подъема О и новой тройной инвариантной точкой О, которая носит название точки двойного [c.81]

    Если ликвация наблюдается не в одной, а в двух частных двойных системах, то в этом случае возможно слияние двух областей ликвации (если области ликвации примыкают к одной вершине). Такая общая область ликвации abed в поле кристаллизации компонента В представлена на рис. 36. Составы сосуществующих фаз перемещаются с изменением температуры по линиям аЬ (обогащенная компонентом В) и d (обедненная компонентом В). Между ними располагаются конноды, показывающие своими концами [c.84]

    На рис. 39 показана диаграмма состояния трехкомпонентной системы с тройным химическим соединением АтВпСр, плавящимся с разложением. Соединение имеет внутри диаграммы свое поле кристаллизации, заключенное между двумя тройными эвтектиками 1 и 2 и точкой двойного подъема О. Точка М, отвечающая составу соединения Ат.ВпСр, лежит за пределами его поля кристаллизации. [c.86]

    Так как точка М находится в поле устойчивости компонента А, то пограничная кривая ЕуС, разделяющая поля кристаллизации фаз А и АтВпСр, будет инконгруэнтной. На этой кривой будет происходить реакция между ранее выпавшими кристаллами А и остаточной жидкой фазой с образованием соединения АтВпСр. [c.86]

    Имеется также поле кристаллизации Si02—кристобалита, тридимита и кварца. Однако переход тридимита в кварц показан чисто теоретически, практически он никогда не осуществляется. [c.124]

    Наибольший интерес представляют те составы, которые являются основой промышленных стекол. Эти составы охватывают поля кристаллизации девитрита, волластонита - a0-Si02 и прилегающие к ним области. Они относятся к наиболее легкоплавким в системе. Почти все указанные составы попадают в один и тот же элементарный фазовый треугольник ЫзгО-25102—НагО-ЗСаО-65102— 5Ю2 и заканчивают кристаллизацию в эвтектической точке О (самая низкотемпературная эвтектика в системе — температура плавления 725°, состав в массовых долях 21,3% КагО 5,2% СаО и 73,5% SIO2). [c.124]

    Точка а лежит в поле кристаллизации девитрита, значит, первыми при кристаллизации будут выделяться кристаллы девитрита. Изменение состава жидкой фазы при выделении девитрита, или путь кристаллизации, будет следовать по продолжению прямой, соединяющей точку состава девитрита 1 3 6 с точкой а. Далее путь кристаллизации идет по пограничной кривой Q0 с одновременным выделением кристаллов девитрита и тридимита (практически чаще выкристаллизовывается не тридимит, а метакристобалит). В конечной точке пути кристаллизации появится третья кристаллическая фаза — NaaO-28102. [c.124]


Смотреть страницы где упоминается термин Поле кристаллизации: [c.349]    [c.72]    [c.73]    [c.73]    [c.77]    [c.80]    [c.80]    [c.81]    [c.82]    [c.85]    [c.87]    [c.87]    [c.123]    [c.123]    [c.123]    [c.124]    [c.125]   
Технология минеральных удобрений (1974) -- [ c.71 ]

Технология минеральных удобрений и солей (1956) -- [ c.52 ]

Технология минеральных удобрений Издание 3 (1965) -- [ c.73 ]

Технология минеральных солей (1949) -- [ c.39 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Амирханов. Вывод уравнений полей кристаллизации и теоретическое построение диаграмм плавкости солен

Кристаллизация в электрическом поле

Кристаллизация магнитного поля

Кристаллизация под действием электрического поля

Кристаллизация ского поля

Кристаллизация электрического поля

Назаренко, В. П. Коноплев. Изменение микроструктуры парафинов при кристаллизации их в электрическом поле

Поли винилнафталин кристаллизация

Поли капроамид кристаллизация

Поли капролактон кристаллизация из расплав

Поли капролактон сополимер с полиоксиэтиленом и попи капролактоном, кристаллизация

Поли ксилилен кристаллизация из мономера в газообразном состоянии

Поли метилбутен кристаллизация из мономера

Поли метилпентен изотактический кристаллизация под давлением

Поли ундеканамид кристаллизация, кинетика

Поля кристаллизации твердых

Поля кристаллизации твердых системы

Поля кристаллизации цеолитов на диаграммах составов силикаалюмогелей и общие закономерности в их расположении

Поля первичной кристаллизации

Поля первичной кристаллизации и след

Поля-кристаллизации

Силовое поле влияние на кристаллизацию

Центры кристаллизации магнитного поля

Центры кристаллизации электрического поля

потенциала электростатического поля на образование центров кристаллизации



© 2025 chem21.info Реклама на сайте