Энтальпия образования дефектов

АЯ(59) и АЯо, — сумма эндотермического эффекта диссоциации кислорода и экзотермических процессов нейтрализации и аннигиляции дефектов типа внедренных ионов. Увеличение —АЯо, по мере уменьшения дефектности кислорода соответствует увеличению положительной энтальпии образования дефектов типа внедренных атомов с ростом их концентраций. [c.124]

Таким образом, пользуясь уравнением, связывающим друг с другом величины Ка, Кс и /Сз, можно оценить предельные значения констант распределения — максимальное для Ке и минимальное для Ка- Все эти данные понадобятся в гл. VI. Отметим, что поскольку энтальпия образования дефектов при растворении избытка как одного, так и второго элемента, образующих большинство бинарных соединений положительна, то равновесию при 0°К отвечает строго стехиометрический состав этих соединений. [c.94]

В этом случае энтальпия является суммой эндотермического эффекта диссоциации кислорода и эндотермических процессов нейтрализации J аннигиляции дефектов типа внедренных ионов. Увеличение — АЯо, по мере уменьшения дефицита кислорода соответствует возрастанию положительной энтальпии образования дефектов типа внедренных атомов с ростом их концентрации. [c.82]

Здесь ASf и AHf — соответственно энтропия и энтальпия образования дефекта (вакансии). [c.250]

Если С — концентрация ионов, расположенных в узлах решетки, то выражение в скобках равно среднему значению доли вакансий Ы1 М и О соответствует коэффициенту самодиффузии ионов. Но если С — концентрация дефектов, например вакансий, то выражение в скобках будет иметь смысл среднего значения доли занятых узлов решетки, которое мало отличается от единицы из-ча низкой концентрации дефектов. В этом случае О а к представляет собой коэффициент диффузии дефектов, который не зависит от давЛ ения и включает только энергию активации элементарного диффузионного прыжка, а не энтальпию образования дефекта. [c.328]

Если фаза, образующая защитный слой, является полупроводником п-типа (табл. 8.5 и 8.6) и если определяющая стадия — диффузия нейтральных дефектов в объеме этой фазы, то энергия активации суммарной реакции Е будет алгебраической суммой энергии активации диффузии 4, отличающейся лишь на величину порядка НТ от энтальпии миграции АНт, энтальпии образования дефектов АЯ/ и стандартной энтальпии реакции на внутренней поверхности раздела АН1, включающей стадию аннигиляции вакансий в металле (среднее значение коэффициента О, согласно рассмотрению, проведенному на стр. 328, практически не зависит от энтальпии формирования дефектов ДЯ/). [c.365]

Найдено, что в РеО и МпО точечные дефекты образуют ассоциаты. В пользу такого предположения говорит тот факт, что оба окисла имеют области отрицательной энтальпии образования дефектов АЯв [20, 72, 73]. Наличие последней указывает [44], что при нагревании окислов (при постоянном давлении) концентрация дефектов уменьшается. Так как создание одиночных неассоциированных дефектов требует положительной энергии, их концентрация будет увеличиваться с повышением Т. Уменьшение концентрации приписывается соединению дефек ов и образованию комплексор, [c.82]

В результате взаимодействия эффективная энтальпия образования дефектов уменьшается и дефектов образуется больше. Однако поправка Дебая — Хюккеля мала. Например, для хлорида натрия при температуре плавления она составляет только 0,033 эв [35] , т. е. не превышает ошибки опыта, и ею можно пренебречь. [c.319]

Рис. 13.8. Корреляция энтальпий образования дефектов Шоттки и энтальпий миграции катионных вакансий с температурами плавления галогеиидов лития [1].

Для FeO величина АЯд отрицательна в большой концентрационной области и это дает возможность определить [74—76], что пре-лмущественно сложные дефекты состоят из атомов Fe и двух вакансий железа. В МпО природа сложных дефектов не выяснена. Затруднения связаны с тем, что сложные дефекты возникают преимущественно вблизи границы МпО—МП3О4, где эксперимент затруднен. Однако в этой области энтальпия образования дефектов отрицательна [59, 73, 77]. Возникает вопрос, каковы должны быть условия, для которых энтальпия образования дефектов в окислах будет отрицательной [44] и ассоциаты дефектов являются преобладающими как в FeO, так и в МпО [c.83]

Рассмотрим систему со стабильными окислами МО и М3О4. Для данной температуры имеется одно значение Ро при котором эти окислы равновесно сосуществуют. Если МО имеет избыток кислорода, равновесие будет между MOi+e, и М3О4. Когда Га > Ti М и MOi+б, находятся в равновесии с РоДЗЭ]. Если Г] выбрано достаточно низким, то MOi+e, будет еще твердым при Гг- Легко показать, что при О <С 62 <С 61 имеется область в однородном поле окиси МО, в которой энтальпия образования дефектов отрицательна. Условие О < 62 < 61 является достаточным, но не необходимым для существования отрицательной величины АЯв. [c.83]

Относительно других факторов, влияющих на величину предэкспоненциального множителя единой точки зрения нет. Мотт и Герни 38] и Йост [44] считают, что она обусловлена зависимостью энтальпии образования дефектов Н от температуры Н == Я -- рт и связана с тепловым расширением кристалла. После подстановки уравнения Я = Я + рГ в выражение для константы равновесия К в предэкспоненциальном множителе /С" появляется новый член ехр (— р/А), а график зависимости In К от 1/Т оказывается прямой линией с наклоном Я . Хейвен и Ван- Сантен [45], Верт и Зенер [46] показали, что это неверно. Энтальпия и энтропия кристалла связаны. Если Дср = р — разность теплоемкостей (на атом) несовершенного и идеального кристалла, то [c.320]

Выражения (XXП.4) и (XXII.7) совпадают с уравнениями изотерм Ленгмюра, которые не обнаруживают нестабильности система образует одну твердую фазу. Далее учтем взаимодействие между соседними междоузельными атомами или соседними вакансиями. Это значит, что энтальпия образования дефектов различна для изолированных дефектов и дефектов, представляющих собой часть пары или кластера, т. е. делается то же предположение, что и в теории плавления Леннард-Джонса и Девоншира [11]. Следуя модели, использованной Фаулером для монослоев [26], предположим, что взаимодействие не влияет на распределение дефектов, т. е. что оно остается произвольным. [c.622]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология