Дефекты аннигиляция

При высоких температурах, когда газовые атомы и обычные точечные дефекты приобретают заметную диффузионную подвижность, происходят распад пересыщенного раствора и оживление процессов аннигиляции и ухода на стоки дефектов структуры. Известно, что естественными стоками для точечных дефектов являются свободные поверхности. Кроме того, при достаточно высокой концентрации точечные дефекты могут образовывать собственные стоки путем скопления в группы, образования пор и газовых пузырьков [96]. [c.46]

ШИМ и большим временами жизни. После отдыха в течение 24 ч при комнатной температуре наблюдается увеличение времени жизни обоих компонентов и снижение интенсивности более долгоживущего. Характер происходя-ших изменений позволяет предположить, что при деформации происходит перестройка надмолекулярной структуры полиимида межмолекулярные связи разрушаются и образуются микродефекты - свободные объемы, достаточные для локализации позитрона. Величина долгоживущего компонента Ti в этом случае должна отражать изменения среднего размера, а интенсивность h - концентрацию таких дефектов. Аналогичные изменения в спектрах наблюдали при образовании и отжиге дефектов в металлах и полупроводниках. Данные изменения обычно анализируют с помощью модели захвата позитронов. Эта модель качественно хорошо отражает наблюдаемые при деформации полиимида изменения во временных спектрах. Уменьшение времени жизни короткого компонента, связанного с аннигиляцией в бездефектной части полимера, обуслов- [c.69]

Таким образом, результаты исследований температурной эволюции структуры и свойств наноструктурного Ni, полученного ИПД, показьшают, что при нагреве этого материала происходят сложные структурные изменения, связанные с развитием процессов возврата, рекристаллизации и роста зерен. Очевидно, природа возврата обусловлена прежде всего перераспределением и аннигиляцией дислокаций на границах и в теле зерен, приводящих к уменьшению внутренних напряжений (см. рис. 3.26). В то же время точечные дефекты здесь не играют существенной роли, поскольку электросопротивление, наиболее чувствительное к присутствию избыточных вакансий и межузельных атомов, остается постоянным вплоть до начала роста зерен (см. рис. 3.2а). [c.127]

Причиной наблюдаемых изменений электросопротивления при температурах от комнатной до 175°С (рис. 4.5) является аннигиляция точечных дефектов и перераспределение дислокаций. В этой [c.165]

Отжиг при относительно низких температурах приводит к трансформации зернограничной структуры, перестройке неравновесных границ в относительно равновесные благодаря аннигиляции неравновесных дефектов, что сопровождается релаксацией напряжений вдоль границ. Очевидно, что движение зернограничных дефектов в поле напряжений звуковой волны, их упругая релаксация приводят к дополнительной деформации и объясняют понижение эффективных упругих модулей. К сожалению, сейчас трудно конкретизировать природу этих зернограничных перестроек и необходимы дальнейшие экспериментальные и теоретические исследования этого эффекта. Отметим, что аналогичные результаты, указывающие на изменения модулей упругости в ИПД Си и Си нанокомпозитах, были получены также в работах [290, 291]. [c.174]

Ясно, что вакансия и междоузельный атом являются дефектами как бы противоположного знака, и это находит проявление в ряде их свойств. В частности, может произойти аннигиляция вакансии и междоузельного атома, сопровождающаяся одновременным исчезновением пары этих дефектов в кристалле. С другой стороны, простейшая схема образования таких дефектов сводится к тому, что атом покидает свое место и переходит в междоузельную позицию, создавая сразу пару дефектов. Эта схема реализуется в процессе облучения кристалла энергичными частицами, когда пролетающая сквозь кристалл частица выбивает некоторый атом из узла, перенося его в междоузлие. [c.176]

Наиболее существенные изменения, происходящие при термической обработке ферритов химическая гомогенизация и аннигиляция неравновесных дефектов типа дислокаций формирование керамической структуры (для поликристаллических материалов) образование структуры с определенной концентрацией кислорода и обусловленной ею степенью дефектности кристаллической решетки перераспределение ионов по подрешеткам. [c.8]

ХИМИЧЕСКАЯ ГОМОГЕНИЗАЦИЯ И АННИГИЛЯЦИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ ТИПА ДИСЛОКАЦИИ [c.8]

АЯ(59) и АЯо, — сумма эндотермического эффекта диссоциации кислорода и экзотермических процессов нейтрализации и аннигиляции дефектов типа внедренных ионов. Увеличение —АЯо, по мере уменьшения дефектности кислорода соответствует увеличению положительной энтальпии образования дефектов типа внедренных атомов с ростом их концентраций. [c.124]

Ki — константа скорости процесса аннигиляции дефектов. Величину Ki можно оценить для двух крайних случаев. [c.164]

Интегрируя уравнение (III, 23), получаем соотношение, описывающее кинетику аннигиляции дефектов [c.165]

На опыте это явление трудно отличить от явления рождения или аннигиляции дефектов в объеме кристалла в ре- [c.131]

Квантово-механическая теория поглощения света ионными кристаллами, хотя и не доведенная до числа в связи со сложностью подобного расчета, позволяет интерпретировать основные явления, связанные с процессами поглощения, в том числе и наличие структуры в полосе поглощения экситона. При этом выводы теории находятся в качественном и в ряде случаев в количественном согласии с опытом. В качестве примера количественного совпадения можно указать на следствия теории о мультиплетности полосы в зависимости от структуры решетки. В общем, квантово-механическая теория поглощения света ионными кристаллами позволяет осмыслить физическую сущность явления, анализировать процессы распространения экситона в кристалле, его взаимодействия с различными дефектами кристаллической структуры, а также вторичные фотохимические, фотоэлектрические, люминесцентные и другие процессы, связанные с аннигиляцией экситона. [c.21]

Если фаза, образующая защитный слой, является полупроводником п-типа (табл. 8.5 и 8.6) и если определяющая стадия — диффузия нейтральных дефектов в объеме этой фазы, то энергия активации суммарной реакции Е будет алгебраической суммой энергии активации диффузии 4, отличающейся лишь на величину порядка НТ от энтальпии миграции АНт, энтальпии образования дефектов АЯ/ и стандартной энтальпии реакции на внутренней поверхности раздела АН1, включающей стадию аннигиляции вакансий в металле (среднее значение коэффициента О, согласно рассмотрению, проведенному на стр. 328, практически не зависит от энтальпии формирования дефектов ДЯ/). [c.365]

В рамках сделанного выше предположения ДЯ/ > О, при условии что суммарная реакция экзотермична (ДЯ<0), реакция аннигиляции вакансий должна быть более экзотермичной, чем суммарная реакция. Ее энтальпия будет равна ДЯд = —( ДЯ 4-+ ДЯ/ ). Локализация стадий на различных поверхностях раздела влечет за собой локализацию тепловых эффектов, так что к миграции дефектов прибавляется еще и процесс переноса тепла через защитный слой. [c.368]

Очень большой свободой подстройки под оптимальное волновое число обладают течения, развивающиеся из случайных (шумовых) начальных возмущений и наблюдаемые в неконтролируемых экспериментах. При формировании валиковой структуры в таких условиях образуется много дефектов. Они движутся, в большинстве своем рано или поздно исчезают — на боковых стенках или при взаимной аннигиляции. Эти процессы способствуют выработке предпочтительного масштаба. В конечном счете устанавливается такое равновесное или почти равновесное состояние, когда дефектов (не считая пограничных слоев — см. ниже) мало или нет совсем, а локальные волновые числа группируются вокруг предпочтительного значения. [c.189]

Процесс аннигиляции трещин, наведенных в толще твердого тела при его упругой деформации, в реальных условиях несовершенен. Молекулы внешней среды и коагулирующие дефекты, проникая в такие трещины, экранируют молекулярные силы, пытающиеся вновь сомкнуть образовавшуюся трещину, в результате чего она смыкается неполностью. В результате при следующем деформировании с неизменной величиной и энергией деформирующего усилия длина и вновь образованная поверхность трещины возрастают и при достаточном числе переменных циклов нагрузки тело разрушается, хотя величина напряжений значительно ниже значения предела упругих напряжений Од. Это явление известно как усталостное разрушение и может быть значительно усилено, если деформирование производится в среде поверхностно-активного вещества, молекулы которого стремятся проникнуть в трещины, наведенные при деформации. Применение поверхностно-активных веществ, теория которых разработана акад. П. А. Ребиндером [38], имеет большое практическое значение. Действие поверхностно-активных веществ становится заметным ввиду многократного повторения актов измельчения, а также ввиду снижения интенсивности процессов коагуляции частиц измельченного материала. [c.18]

Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели (Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. Вторая группа моделей предполагает образование микротрещин в результате скопления дислокаций в окрестностях пересечения систем элементарных актов пластической деформации путем скольжения и двойникования (модель Коттерелла). В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа -барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой пересечение малоугловых границ аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [c.86]

В настоящее время не существует единой достаточно развитой физико-химической теории усталостного разрушения. Много численные теории усталости, однако, имеют одну общую идею которая сводится к следующему. Фактором, определяющим уста лостное разрушение, является возвратно-поступательное движе ние скользящих дислокаций, их взаимодействие между собой с дислокациями леса и разного рода дефектами решетки. Эффекты возникающие при этом (аннигиляция вакансий, коагуляция ва кансий, осаждение вакансий на вершины микропор и т. д.), спо собствуют зарождению трещины усталости, ее развитию и последу ющему разрушению. [c.203]

Таким образом, во всех исследованных металлах, подвергнутых интенсивной деформации, при нагреве наблюдали близкую по характеру эволюцию наноструктур. Типичньил является развитие процессов возврата, связанное с перераспределением и аннигиляцией дислокаций на границах и в теле зерен. Имеют место также рекристаллизационные процессы, приводящие к росту зерен, однако последовательность этих процессов определяется химическим составом и природой металла (энергией дефектов упаковки, типом кристаллической решетки), а также условиями интенсивной пластической деформации, которые определяют характер исходных наноструктур. Здесь в каждом случае требуются конкретные исследования. Важным также является установление процесса, контролирующего эволюцию структуры при нагреве. В работах [12, 140] предполагается, что этим процессом могут быть структурные перестройки на неравновесных границах зерен и скорость этого процесса контролирует возврат структуры и начало рекристаллизации. Однако выяснение этого вопроса требует дальнейших исследований. [c.136]

При возврате происходит почти полное устранение точечных дефектов, перераспределение дислокаций, сопровождающееся уменьщением их суммарной упругой энергии (величины микродеформаций), частичная аннигиляция дислокаций разных знаков. Эти процессы обычно связывают с отдыхом. Заметное уменьщение плотности дислокаций и их перестроение с образованием и миграцией малоугловых границ определяют процессы по-лигонизации. [c.365]

Аннигиляция или ассоциация точечных дефектов с образованием кластеров. Антиструктурные дефекты типа ионов, занимающих несвойственные им кристаллографические позиции, не единственный тип точечных дефектов в ферритах. Как отмечалось в гл. II, ферритам магния и лития свойственно разупорядочение типа Френкеля, а ферритам меди и никеля — разупорядочение типа Шоттки. Поэтому целесообразно рассмотреть процесс аннигиляции точечных дефектов в более общем виде, как это сделал Шмальц-рид [6]. [c.164]

Эти два примера заставляют думать, что на диссипацию, измеренную в экспериментах Цветкова [41, 42], могли влпять зарождение, миграция и аннигиляция ориентационных дефектов в структуре нематика —линий или стенок ). Эксперимент, таким образом, имеет смысл, только если условия сцепления нематика с поверхностями и появляющиеся типы дефектов хорошо контролируются. [c.214]

Известно, что при быстром охлаждении от температур около 1300° на поверхпости таких металлов, как никель, в значительной степени сохраняется динамический беспорядок [88] и при закалке может образоваться большое число ( 1 на 10 частиц) неравновесных ваканси . Исходя из этого, Робертсон пришел к выводу, что процесс скопления точечных дефектов (как вакансий) является важным фактором в процессе возникновения каталитической сверхактивности. Хотя Робертсон не поясняет, как именно вакансия или группа вакансий могут играть роль активного центра , полученные им результаты можно убедительно пояснить, исиользуя представления об особой активности вакансий. Быстрое исчезновение сверхактивности, которое происходит нри разложении муравьиной кислоты, можно объяснить тем, что в ходе каталитической реакции поверхностные атомы металла становятся подвижными. Иными словами, реакция сама приводит к аннигиляции активных центров, и необходимо некоторое время, чтобы в горячей проволоке, помещенной в вакуум, в резу,пьтате процесса диффузии произошла миграция новых вакансий из объема к поверхности. (Регенерация же сверхактивности в вакууме является медленным процессом [87].) Выполненные Гуотми [77—79] исследования морфологии поверхности подтверждают существование особой подвижности поверхностных атомов во время иротекания каталитического процесса. [c.235]

IV. 14. Дислокация не может оканчиваться внутри кристалла. Следовательно, если дислокация выходит на поверхность растущей грани, она будет продолжать выходить на поверхность и по мере роста грани, и может покинуть ее только в результате перемещения к боковой поверхности. Следовательно, если дислокация влияет на скорость роста кристаллической грани, это влияние будет сохраняться по мере роста кристалла. Этим линейные дефекты — дислокации—отличаются от точечных, которые если и могут воздействовать на скорость роста, то только во время нарастания одного молекулярного слоя. (Дислокации могут также исч езать путем аннигиляции с дислокациями противоположного знака.) [c.125]

Но система, к которой должен относиться этот расчет, не может быть ни МО/О, ни МО/М (пар), которые используют для определения энергии активации самодиффузии в полупроводниках л-типа. Это должна быть система МО/М (металл), и полное уравнение реакции на внутренней границе раздела (в которую для упрощения включены стадии образования и аннигиляции вакансий в металле) отражает процесс формирования дефектов в фазе МО на контакте с металлом в твердой фазе. Поэтому необходимо припи- [c.366]

Поскольку один из компонентов твердого продукта полностью образо1ван за счет диффузии дефектов через слой фазы МО, очевидно, все эти дефекты должны (в стационарном состоянии) непрерывно поглощаться, чтобы состав образующейся твердой фазы не сильно отличался от стехиометрического. Поэтому в каждом случае энтальпия суммарной реакции представляет собой алгебраическую сумму энтальпии формирования дефектов на поверхности раздела (обычно это эндотермический процесс) и энтальпии реакции аннигиляции дефектов на другой поверхности раздела, которая предполагается экзотермической. Но химические системы, в которых образуются и поглощаются дефекты, различны [17]. [c.368]

АЯ(44) = АЯог является суммой эндотермического эффекта диссоциации кислорода и экзотермических процессов нейтрализации и аннигиляции дефектов типа внедренных ионов. Увеличение — АЯо, по мере уменьшения дефицита кислорода соответствует увеличению иоложи- [c.279]

В целом можно отметить, что для металлов группы железа рост поляризации и увеличение количества выделяющегося водорода приводят к возрастанию внутренних напряжений растяжения. Обычно с напряжениями растяжения осаждаются железо, никель, кобальт, марганец, хром, сурьма, галлий, медь. Возникновение напряжений растяжения связано со сжатием осадка в процессе электролиза. Последнее может быть обусловлено уменьшением размеров зерен при их формировании, что возможно, например, в результате вухода имеющихся в кристалле вакансий и дислокаций на границы зерен либо аннигиляции дефектов. [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология