исталл из ато

МОЧЕВИНА (карбамид) СО (NN0)2 -бесцветные к )исталлы без вкуса к запаха, [c.165]

Хинина сульфат—бесцветные блестящие шелковистые игольчатые исталлы или белый мелкокристаллический порошок без запаха, горького [c.445]

К[ исталлы кремния высокой чистоты, имеющие минимально число дефектов структуры, характеризуются очень низкой элек тропроводностью. Примеси и нарушения правильности строени резко увеличивают его проводимость. [c.508]

В объемных решетках 1асть атомов кремния все свои четыре валентности использует на образование связей с четырьмя атомами кислорода, связанными с другими атомами кремния. Эти атомы кислорода и здесь играют роль как бы мостика между атомами кремния и все вместе образуют единый остов к исталла. Сложные силикатные структуры удобно ра - [c.134]

В процессе конденсации на внутренних стенках аппаратов оседает часть к])исталлов фталевого ангидрида, что ухудтиает [c.445]

Предположительно <1010>) или с внешними препят-ств ия М и росту кр исталла в одном направлении. [c.90]

АЦЕНАФТЕН С12Н,о — бесцветные игольчатые кр-исталлы, т. пл. 96° С, растворяется в спирте и толуоле. Получают из каменноугольной смолы, бро-мированием а-этилнафталина и взаимодействием нафталина с этиленом при высоких температурах. А. используется для получения нафталевой кислоты и аценафтенхиноиа, применяемых в производстве красителей. [c.35]

В концентрированных растворах и солевых расплавах каждая область ближнего порядка—это, по сути дела, фрагмент бесконечно большого многоядорного иона, который наблюдается в ионном к )исталле. Конфигурация и размеры этих фрагментов разнообразны. Поэтому вместо перечня фрагментов, т. е. тех многоядср-ных комплексов, которые имеются в растворе или расплаве, разумнее использовать аппарат функций распределения, который позволит оценить как среднее значение, так и размазанность каждой характеристики таких комплексов молекулярной массы, линейных размеров и т. д. Размазанным окажется и воздействие окружения на отдельные структурные единицы, а следовательно, и свойства этих единиц. Правда, неидентичность структурных единиц может проявиться в кристаллической фазе тоже в описанном выше случае a-Ag2Hgl4 структурные единицы AgU] и [HgU] из-за отсутствия ближнего порядка в подрешетке катионов имеют несколько типов окружения. [c.30]

Кри сталлияесжий зародыш, иди центр кристаллизации, — это уплотнение, вокруг кото-рого начинается рост иристалла. Центры 1кристалли1заци1и возникают бла1Г0даря тому, что вхождение атомо-в в кристаллическую решетку соответствует наиболее устойчивому состоя нию системы. -Зародыш— это наименьший кристалл, который может существовать при данных условиях (1, р, С я др.), и (поэтому он не может исчезнуть самопроизвольно, но дает начало росту кр-исталлов. [c.328]

В точке с происходит переход системы, образующей химическое ОТ двужфаз Н ОЙ системы расплав — соединение с инконгруэнтной точ-ир исталлы АпВт к двухфазной си- плавления [c.131]

Поверхность едак соответствует равновесию между раствором 1и р-исталлам-и АХ. [c.164]

Если хотят получить безводную соль, то препарат сушат 24 ч в вакуум-эксикаторе над прокаленным Ga la- Выход 70—140 г. Если 1 исталлы получаются желтоватые, то перекристаллизацию повторяют, добавив немного ZnO. [c.272]

НИИ 150 эВ оно все еще почти в 30 раз хуже разрещения, получаемого с хорощим кварцем или к р ИСталлом фторида лития. Принципиально влияние ухудщения разрещения проявляется в понижении отношения пик/фон (Р/В) для данной энергии и, следовательно, понижении чувствительности или минимального предела обнаружения для данного элемента (см. гл. 7, обсуждение обнаружения следов элементов). Уменьщение Р/В происходит из-за того, что для получения основной части интенсивности пика Р необходимо выбирать более широкий энергетический интервал, дающий больщий счет интенсивности фона. На рис. 5.52, взятом из [112], это показано для детектора с разрещением 160 эВ, используемого для получения Р и Р/В для линий Рел-а и на чистом железе и кремнии соответст- [c.259]

Анализ D1-JD 3.5 данные, ]]Олученные с помощью сггектрометра с дисперсией по энергии, набирались в течение 180 с при скорости счета 2000 имп./с с коррекцией ме])твого времеии (25%), ускоряющем напряжении 15 кВ, токе пучка 1,75 нА. Даииые, иолученпые с помощью к])исталл-дифракционного спектрометра, набирались для каждого элемента в течение 30 с, общее время анализа 180 с, ускоряющее напряжение 15 кВ, ток пучка 30 нА. [c.153]

Сырьем для промышленного синтеза алмазов служит графит, катализаторами превращения — металлический никель, смесь никеля, железа и хрома или карбида железа РезС с графитом. Чаще всего графит растворяют в катализаторе, а затем кристал-/ кзуют алмазы при давлении 5000 МПа и температуре 1400— 1600°С. В результате получают очень мелкие кристаллы алмаза, азмер которых колеблется от 0,1 до 1 мм. Такие камни ис- ,>льзуются только для промышленных целей. Более крупные к исталлы алмаза получают путем перекристаллизации из рас-г ,авленного катализатора. Метод перекристаллизации используют в настоящее время для получения промышленных алмазов и И обычном давлсиии. На кристаллах алмаза конденсируют парообразный углерод,, образующийся в процессе разложения [c.126]

В работе [59] отмечается, что не удается опрессовать таблетки из порошка хинина сульфата. Этот порошок состоит из мелких, продолговатых- кр.исталлов с частицами размером около 15—40 мкм. Однако в экспериментах на ЖЗТО этот порошок прессовался сравнительно легко и таблетки имели хорошую прочность уже при давлении 50—60 МПа. [c.205]

В случае рацемической натрийаммониевой соли винной кис-цоты энантиомеры при температуре ниже 27 С (здесь темпера-а очень важна) кристаллизируются раздельно в одном крис-[е собираются (+)-изомеры, а в другом — (-)-изомеры Такие исталлы отличаются друг от друга зеркальностью формы, и их о разделить с помощью пинцета и микроскопа Именно та-путем Л Пастер в 1848 г впервые доказал, чго рацемическая кислота в действигельности представтает собой смесь (+>--)-изомеров [c.61]

С другой стороны, если убрать броуновское движение и дать возможность свободным радикалам подойти очень близко друг к другу (нацример, заморозить образец), то сильное взаимодействие медду свободными радикалами (опин-спиновое взаимодействие)заставит расположиться их близко,что приведет к сужению линии поглощения и к увеличению её интенсивности (в случав двух одинаковых радикалов) или к возникновении тонкой структуры. На црактике это наблвдавтся для Щ)исталлов. [c.154]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология