Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Ловушки для электронов и дырок

    СО светом макромолекула возбуждается. Образуется возбужденное состояние — экситон, который мигрирует по системе до встречи со структурным или химическим дефектом, на котором происходит образование пары носителей фототока. Часто электрон задерживается в ловушке, а дырка мигрирует по системе макромолекул. [c.70]

    Особенно интересна конкуренция между ловушками, имевшимися в исходной молекуле и вновь образованными. При электронном ударе могут образоваться новые ловушки для дырки, так как в области столкновения (размером, в среднем, 4—5 ато- [c.14]


    Подобного рода локальные нарушения, способные принимать или отдавать электроны кристаллу, а также принимать или отдавать дырки, называются соответственно ловушками электронов или дырок. В зависимости от вида дефектов, температуры и ряда других факторов эти локальные уровни могут быть размещены различно по отношению к валентной зоне и зоне проводимости, и поэтому можно говорить о глубине ловушек. Одной из важных особенностей в положении ловушки является то, что величина энергии, необходимой для переноса из них электронов или дырок в одну из зон, всегда меньше расстояния между зонами. [c.60]

    Электроны и электронные дырки, возникающие при облучении, захватываются ловушками физической и химической природы. В качестве последних выступают также и атомы отдачи. Если общее число таких ловушек очень велико, т, е, имеются хорошие условия для локализации электронных дырок (и, возможно, экситонов) с образованием V-центров и т. п., то на долю атомов радиофосфора достается малая их доля, так что отжиг низших валентных форм (Р°, Р+, Р +) до Р + во время самого облучения происходит в незначительной степени. В этом случае [c.167]

    При рассмотрении фотопроводимости мы полностью пренебрегли влиянием ловушек и учитывали только центры рекомбинации. Ловушки (уровни прилипания [4]) захватывают носители только одного сорта и затем отдают захваченный электрон или дырку вследствие теплового возбуждения. Присутствие таких ловушек приводит к увеличению фототока, так как способствует увеличению эффективного времени жизни. Хотя на первый взгляд наличие ловушек можно считать желательным, на самом деле они [c.427]

    У люминофоров рекомбинационного типа зависимость между интенсивностями излучения и возбуждения является более сложной [4, с. 19 32]. Последнее обусловлено тем, что при возбуждении подобных люминофоров центры свечения и элементы решетки основы ионизуются. При этом электроны могут захватываться ловушками, освобождаться и рекомбинировать с центрами свечения, дырками или повторно захватываться ловушками. [c.16]

    Согласно существующим представлениям [58], это обусловлено тем, что введение указанных элементов способствует образованию дополнительных глубоких электронных ловушек. В процессе тушения образовавшиеся дырки могут захватываться ловушками, рекомбинировать без излучения с электронами. Тем самым возникает препятствие для перехода дырок на уровни активатора. [c.25]

    Энергетическая модель зерна электролюминофора, предложенная Верещагиным [7, с. 108] в отсутствие поля, показана на рис. VI.14, а. При включении поля (рис. VI.14, 6) барьер у катода включен в запирающем направлении. Вошедшие в него ий электродов (или кристаллов) электроны за счет ударной ионизации создают электроны, которые отводятся в правую часть кристалла, и дырки. Последние отводятся в левую часть кристалла и могут захватываться ловушками. После выключения поля дырки могут при возвращении в область возбуждения захватываться центрами люминесценции. Электроны после выключения поля также возвращаются в область возбуждения и их рекомбинация с дырками дает вспышку около катода. Если знак поля изменяется, то аналогичный процесс ударной ионизации протекает в правом барьере (рис. VI.14, а). [c.140]


    Для хлорида калия при —100° С было установлено, что средняя длина пробега ш обратно пропорциональна концентрации /"-центров отсюда следует, что /-центры сами являются ловушками и что анионная вакансия может захватывать два электрона. Так как волновая функция первого электрона охватывает шесть ближайших ионов щелочного металла, то заряд электрона занимает больший объем, чем вакансия, и поэтому существует остаточная потенциальная дырка. Это явно подтверждается результатами оптических измерений. Во время облучения в /-полосе коэффициент поглощения уменьшается, т. е. полоса поглощения ослабляется, и при достаточно низ- [c.107]

    Возможно, что существуют другие механизмы рекомбинации электронов и дырок. При смещении атомов в решетке могут появиться места, где будут захватываться и локализоваться электроны и дырки. Возможны локальные изменения поляризации, способствующие возникновению неглубоких ловушек, глубина которых равна примерно десятым вольта в большинстве полярных кристаллов. Эти ловушки способны передвигаться, вследствие чего такой захват не препятствует миграции электронов или дырок при нормальных температурах, хотя подвижность последних оказывается меньше, чем в случае свободных изолированных носителей тока. [c.173]

    В стационарном состоянии распределение дырки по молекулярному иону зависит от структуры исходной молекулы. Если молекула состоит из одинаковых звеньев, то дырка распределена по молекулярному иону приблизительно равновероятно. Если же в молекуле имеются участки с меньшими потенциалами ионизации, откуда электрон удаляется легче, то эти места являются для дырки ловушками разной глубины. В результате дырка, хотя и с различной вероятностью, предпочтительно локализуется на ловушках. Роль ловушек фактически играют все слабые места в молекуле, например, третичные или четвертичные атомы углерода, заместители типа —МНг, —ОН, =С0, -СООК. [c.14]

    Одновалентный атом А (например, атом водорода), взаимодействуя с поверхностным катионом, может связаться с ним одноэлектронной ела-бой связью, которая аналогична химической связи в молекуле Щ. Адсорбированный таким образом атом представляет собой ловушку для электрона или для дырки, коль. скоро его энергетический уровень занимает подходящее положение в энергетическом спектре кристалла. [c.135]

    Фотопроводимость диэлектриков тесно связана с оптическим поглощением. Освобожденный при поглощении света электрон может свободно двигаться в зоне проводимости до тех пор, пока не будет захвачен какой-либо ловушкой. Иногда удобнее измерять электропроводность, а не поглощение света, хотя количество извлекаемой информации о характере ионизации и концентрации дефектов в обоих случаях будет одинаковы . Характеристическое время пребывания в зоне проводимости электрона, выбитого из валентной зоны достаточно жесткими квантами, или время пребывания дырки в валентной зоне называют временем жизни . [c.78]

    Парамагнитные точечные дефекты в монокристаллах. Сюда относятся электроны и дырки, локализованные в ловушках. Несколько примеров приведено в разд. 8-5. [c.143]

    Поглощение возбуждающего света происходит в основном веществе (рис. 14.4.83,.а, б). В результате возбуждеЕшя электрон ё из заполненной валентной зоны переходит в зону проводимости (рис. 14.4.83, а, б I), а на его месте в валентной зоне образуется дырка, обладающая свойствами положительного заряда е" и способная передвигаться по валентной зоне. Передвижение дырки осуществляется в результате быстрого последовательного обмена электронами между соседними ионами валентной зоны. Если уровень активатора располагается вблизи от валентной зоны, то электрон с активатора рекомбинирует с дьфкой. Она всплывает и локализуется на его уровне (рис. 14.4.83, а, б П). В результате рекомбинации электрона е, попавшего в зону проводимости, с дыркой активатора е (рис. 14.4.83, а, б 111) возникает кратковременное свечение. Однако электрон, оказавшийся на нижнем уровне зоны проводимости, может перейти на локальный уровень (безызлучательный переход рис. 14.4.83, б, IV). Переход с локального уровня непосредственно на невозбужденный уровень активатора невозможен. Чтобы попасть на уровень активатора, электрон сначала должен вернуться назад в зону проводимости, для чего ему необходимо сообщить дополнительно небольшую порцию энергии. Запасенная электронами на ловушках энергия (так называемая запасенная светосумма) может быть освобождена при нагревании кристаллофосфора или облучении его ИК-светом. При помощи энергии, сообщенной извне (тепловой или лучистой), захваченный ловушкой электрон возвращается в зону проводимости (рис. 14.4.83, б, V), а затем рекомбинирует с положительно заряженным ионом активатора (дыркой), вызывая его люминесценцию. Люминесценция, отве- [c.509]

    Теория скрытого изображения ученых Герни и Мотта исходит из уже констатированного факта, что в реакции AgX + hv образуются пары электрон — дырка. Электроны и дырки независимо друг от друга в разных местах кристалла AgX улавливаются и нейтрализуются. Ловушками для образовавшихся фотоэлектронов [c.58]


    Произошло поглощение света, образовались ионизованные центры люминесценции и накопились свободные электроны в зоне проводимости (а так как зонная теория предполагает все процессы симметричными между электронами и дырками, то все, что рассматривается по отношению к электронам, происходит и с дырками). Скорость движения электронов в зоне проводимости чрезвычайно велика и составляет 10 —10 см1сек. Отсюда следует, что даже в том случае, если концентрация локальных уровней чрезвычайно мала, т. е. они находятся на значительном расстоянии друг от друга, происходит очень быстрое распределение электронов по уровням локализации (переходы 2- 3 2- 3 2— 4 ). Если уровнем локализации является возбужденный уровень активатора, то, как рассмотрено выше, произойдет рекомбинация. Иначе обстоит дело с электронами, попавшими в ловушки. На уровне ловушек они могут оставаться значительный период времени, пока не будут освобождены тепловым или оптическим путем. Очевидно, что именно за счет процессов локализации рекомбинационное излучение затянуто во времени. Необходимо также помнить, что электроны, перешедшие из ловушек в зону проводимости, имеют достаточно большую вероятность повторной (и большей) локализации. Электрон, находясь в ловушке, не является неподвижным, но находится в колебательном состоянии, однако амплитуда его такова, что он не может выйти в зону проводимости. Получив определенное количество энергии за счет теплоты, что равносильно уменьшению глубины первоначальной ловушки, электрон может покинуть ее и перейти в зону проводимости (переход 3- 2) и в конце концов локализоваться на активаторе (переход 2— 4 ). Разумеется, что чем меньше глубина ловушки, тем больше вероятность выхода из нее, т. е. тем меньше время пребывания электрона в заданной ловушке. Скорость освобождения [c.63]

    Согласно теории Гарии—Мотта, при поглощении кристаллом AgBr одного фотона образуется один электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Часть электронов в зоне проводимости оседают на примесных поверхностных уровнях. Захваченные ловушками электроны взаимодействуют с междоузель-ными свободными ионами Ag+, образуя на месте ловушки нейтральный атом Ag с малым временем жизни (наибольшее — несколько секунд). При повторении процесса на одном и том же месте образуется кластер из двух атомов Ag, время жизни которого определяется уже несколькими днями. Когда кластер разрастается до трех или более атомов, можно считать, что получено устойчивое скрытое изображение, пригодное для химического проявления. Теория Митчела (1957) также основана на представлении об образовании электронно-дырочных пар, однако предполагается, что сначала междоузельный Ag- - улавливается дефектом кристалла в решетке или на поверхности. Затем этот ион нейтрализуется электроном, и процесс повторяется до образования устойчивого скрытого изображения. Для нашего рассмотрения несущественно, присоединяется ли ловушка к подвижному иону Ag- - или, наоборот, ловушка движется к иону. Существенной стадией является создание электронно-дырочной [c.113]

    Согласно теории фотолиза бромида серебра, предложенной Гёрни н Моттом [3], поглощение светового кванта бромидом серебра освобождает электрон из иона брома, оставляя на месте последнего положительную дырку . Как электрон, так и дырка обладают весьма большой подвижностью. Если в кристалле имеются частицы серебра, то они приобретают отрицательный заряд в результате захвата электронов и укрупняются путем притяжения подвижных междоузельных ионов серебра, всегда присутствующих в решетке (дефекты по Френкелю). Эта теория сохраняет свое значение до настоящего времени. Более поздние теории, основанные на предположении о существовании дефектов по Шоттки, в настоящее время оставлены [4]. Однако теория Гёрни и Мотта недостаточно разработана, чтобы объяснить образование скрытого изображения необходимо объяснить механизм захвата первых электронов, если в исходном состоянии серебро отсутствует. Очевидно, нехватает теории сенсибилизации, которая ответила бы на вопрос служат ли упомянутые выше сенсибилизаторы ловушками электронов, или дырок, или тех и других одновременно. [c.49]

    При весьма низкой освещенности.реакции, протекающие после образования электрона и положительной дырки, заканчиваются до образования второй пары электрон — дырка. Электрон захватывается ионом серебра на центре светочувствительности, как было рассмотрено в 3, а положительная дырка в идеально сенсибилизированном микрокристалле захватывается соседней частицей сенсибилизатора. Перемещение иона серебра от места захвата дырки к месту захвата электрона восстанавливает электронейтральность и позволяет центру светочувствительности захватить другой электрон. Что касается начального распределения атомов серебра, то, поскольку присутствие частицы сенсибилизатора не влияет на захват электронов, нет никаких причин, которые способствовали бы преимущественному выделению атомов серебра на поверхности сравнительно с их выделением внутри центра светочувствительности (во время освещения при весьма низкой освещенности). Однако атомы серебра, образовавшиеся в любой точке центра светочувствительности, могут в дальнейшем сконденсироваться на поверхностной частице сенсибилизатора с образованием поверхностного скрытого изображения. Энергичная сенсибилизация устраняет две причины отклонений от взаимозаместимости при низкой освещенности. Образовавшиеся на поверхности атомы серебра могут закрепиться на центрах конденсации, вместо того, чтобы диффундировать прочь, и, кроме того, они больше не будут служить единственными эффективными поверхностными ловушками для положительных дырок. Внутреннее скрытое изображение может обнаруживать отклонение от взаимозаместимо- [c.68]

    Ионные кристаллы. С давних пор по традиции физики зани-.маются получением электронно-избыточных или электроиио-недо-статочных дефектных центров в кристаллах галогенидов щелочных. металлов (F- или V-центры), вводя ионы, которые могут действовать как источники или как ловушки электронов. При радиолизе кристалла вторичные электроны захватываются такими ловушками, в результате чего усиливается образование электронно-дефектных центров. Если примесный ион служит источником электронов, а дырки способны мигрировать по всему кристаллу, то последние могут исчезать при рекомбинации с электронами или за счет процесса переноса электрона. Например, введенные в кристаллы ионы Ag" и РЬ + усиливают образование V-центров, так как они легко переходят соответственно в Ag и РЬ +. При повышенных температурах суммарным результатом иногда является диспропорционирование ионов [c.53]

    Таким образохМ, на основании приведенных соображений и описанных опытов нет пока достаточных оснований для безоговорочного принятия предположения о механизме сенсибилизации путем отрыва электрона от возбужденной адсорбированной молекулы красителя с переносом его в зону проводимости полупроводника. Однако возможен механизм сенсибилизации дырочного фотополупроводпика, по которому возбужденный краситель принимает на себя электрон из валентной зоны, действуя как ловушка, освобождающая дырку в валентной зоне. Несущая избыточный электрон молекула сенсибилизатора со смещенными вверх в шкале энергии уровнями возвращает этот электрон в одну из ловушек полупроводника, из которой происходит в дальнейшем рекомбинация с дыркой (второй вариант Митчелла) [1]. [c.263]

    Перенос энергии посредством миграции экситонов может происходить только в изолирующих или полупроводниковых кристаллических телах. К таким телам относятся. молекулярные и ионные кристаллы, керамика, большая часть полимеров, полупроводники и пр. Экситонами называют возбужденные электронные состояния в кристаллах. В принципе экситон представляет собой пару электрон — дырка. Эта связанная пара — электрон в полосе проводимости и дырка в валентной полосе — как одно целое может двигаться через кристалл. Движение экситона через кристалл можпо представить себе как ряд рекомбинаций электронов и дырок с последующим поглощением освобожденной энергии. Возбужденная молекула окружена другими молекулами, которые способны воспринимать и переизлучать энергию возбуждения. Экситон мигрирует сквозь кристалл до тех пор, пока не произойдет взаимодействие с фонопами (рассеяние на фопонах) или атомами примесей, с дислокациями или точечными дефектами, которое приведет к потере энергии возбуждения. После этого экситон может быть локализован и захвачен ловушкой. Энергия экситона растрачивается на флуоресценцию или иногда на химические превращения молекул ловушки. Роль экситонов в процессах, происходящих в неорга- [c.311]

    Если теперь от идеаятшой поверхности перейти к реальной, то необходим учет возможных дефектов на поверхности, приводящих к нарушению строгой периодичности решетки. Дефекты решетки могут выполнять двоякую роль. Некоторые из них являются акцепторами электронов и дырок, т. е. ловушками для электронов проводимости и дырок. Ввиду локализации свободного электрона или дырки у дефектов, последние можно рассматривать как адсорбционные центры, так как столкновение адсорбирующихся атомов с таким дефектом должно приводить к образованию адсорбционной связи благодаря наличию локализованного электрона или дырки. Другая часть дефектов является донорами электронов, т. е, поставщиками электронов для зоны проводимости, тем самым увеличивая число возможных адсорбционных центров. [c.164]

    Галогениды серебра обладают эффектом фотопроводимости. Считается, что освещение галогенида серебра перебрасывает фотоэлектроны из валентной зоны в зону проводимости галогенида (см. разд. 8.9.2). Механизм образования свободного серебра в этом случае включает миграцию фотоэлектронов и внедренных ионов серебра в избранные точки на зерне, а затем появление свободных атомов серебра в результате соединения ионов и электронов. Образовавшиеся таким образом свободные атомы серебра действуют как эффективные ловушки возникающих впоследствии фотоэлектронов, и новые ионы серебра превращаются в нейтральные атомы вблизи того места, где появился первый атом. Поэтому крупицы серебра растут в отдельных исходных точках. Остающиеся после отрыва электронов положительно заряженные дырки могут обладать некоторой подвижностью и диффундировать к поверхности галогенидосеребряных зерен, выделяя свободный галоген. На рис. 8.14 показан механизм образования изображения, базирующийся на представлениях Гёрни и Мотта. Альтернативная схема, предложенная Митчеллом, предполагает первоначальный захват электрона ионом Дg+ с последующей адсорбцией Ag+ на растущей крупице серебра для захвата возникающих позже электронов. В обоих случаях основные процессы аналогичны. Стадии до образования крупицы из двух атомов обратимы, что согласуется с экспериментальным фактом стабильности скрытого изображения лишь при формировании агрегатов из более чем двух атомов (см. выше). [c.247]

    Поскольку часть поглощаемой люминофором энергии превращается в тепло, постольку величина энергетического выхода характеризует полноту преобразования энергии возбуждения в энергию люминесценции. Наибольший выход следует ожидать в том случае, когда энергия поглощается непосредственно самим центром люминесценции. Если же энергия поглощается основным веществом, например в случае рекомбинационных люминофоров, то при этом образуются электроны и дырки, которые при перемещении по решетке могут захватываться ловушками. Это, а также оезызлучательная рекомбинация дырок с электронами, приводит к уменьшению энергетического выхода. [c.12]

Рис. 6.5.3. Зонная энергетическая схема процесса термолюминесценции [20] а) возбуждение, прямая рекомбинация с испусканием света и запасание энергии в) термостимулированое высвобождение запасенной энергии с испусканием света (термолюминесценция) черный кружок — электрон белый кружок — дырка А — уровень активатора Н—центр захвата (ловушка) 5 — возбуждение р — захват электорна в ловушку а — термическое высвобождение у — излучательная рекомбинация Рис. 6.5.3. <a href="/info/1643743">Зонная энергетическая схема</a> процесса термолюминесценции [20] а) возбуждение, прямая рекомбинация с <a href="/info/477685">испусканием света</a> и <a href="/info/566495">запасание энергии</a> в) термостимулированое высвобождение запасенной энергии с <a href="/info/477685">испусканием света</a> (термолюминесценция) черный кружок — электрон белый кружок — дырка А — <a href="/info/972793">уровень активатора</a> Н—<a href="/info/925616">центр захвата</a> (ловушка) 5 — возбуждение р — захват электорна в ловушку а — термическое высвобождение у — излучательная рекомбинация
    В ряде расчетных работ [2, 3, 4] было показарю, что хемосорбирован-иая частица, ярляясь неким структурным дефектом поверхности, оказывается тем самым центром локализации для свободного электрона решетки, служа для его ловушкой и выступая, таким образом, в роли акцептора для свободного электрона. Или же (это зависит от природы частицы) она может служить цеитром локализации для свободной дырки, выступая, таким образом, в роли донора. [c.65]

    Когда галогенид щелочного металла стехиометрического состава окрашивается, то при облучении электроны переводятся из заполненной зоны в зону проводимости и затем попадают в ловушки, которыми служат анионные вакансии. Возникновение каждого/-центра должно сопровождаться образованием положительной дырки в заполненной зоне. По аналогии можно ожидать, что положительные дырки связываются катионными вакансиями и вызывают появление поглощающих свет центров другого типа. Кристаллы, содержащие избыток электроотрицательного компонента над стехиометрическим составом, также должны содержать такие центры. Молво [47] показал в 1937 г., что спектр бромид калия, подвергнутого действию паров брома, имеет в ультрафиолетовой области серию полос поглощения, которые были названы У-полосами (в этой серии были выделены полосы от Vy до Kg) он предположил, что их возникновение связано с центрами, которые образуются при взаимодействии положительных дырок с катионными вакансиями. [c.106]

    Здесь знак означает анионную, а знак Q — катионную вакансию. Если один из электронов Т 2 Цбнтра переходит посредством туннельного эффекта к ближайшей ловушке, которой может служить анионная вакансия, тИ-центр или пара вакансий, то / з-центр превращается в 7 1-центр. / -центры могут и не образоваться при первичном облучении рентгеновскими лучами, так как они легко захватывают положительные дырки. [c.112]

    Каков бы ни был детальный механизм этого процесса, сущность его, по-видимому, состоит в том, что из определенного количества серебра образуются группы атомов металла большего размера, чем те, которые первоначально присутствовали на поверхности. Одновременно соответствующее количество брома реагирует с эквивалентным количеством одного из химических сенсибилизаторов, образуя с ним устойчивые соединения, которые не действуют на группы атомов серебра. Агрегация происходит в две стадии, причем в первой образуются неустойчивые группы атомов, которые во второй стадии становятся устойчивыми. После определенной экспозиции все количество атомарно- или молекулярнодисперсного сенсибилизатора прореагирует с бромом. При более продолжительной экспозиции выделившийся на поверхности бром, по-видимому разрушает агрегаты серебра, образующие поверхностное скрытое изображение, превращая их в бромид серебра. В то же время по границам субструктуры, в непосредственной близости от поверхности, выделяется эквивалентное количество серебра, которое образует внутреннее скрытое изображение точно так же, как в химически не сенсибилизированных микрокристаллах [24]. Освещение нанесенных на стеклянные пластинки и высушенных фотографических эмульсий, приводящее к образованию проявляемого поверхностного скрытого изображения, сопровождается фототоком [88]. Сенсибилизация эмульсий сернистыми соединениями уменьшает эти токи. Это показывает, что сенсибилизация такого типа может создавать электронные ловушки, как это требуется теорией Герни — Мотта. Однако не известно, переносится ли часть фототока при комнатной температуре положительными дырками. Если бы это подтвердилось, то улавливание положительных дырок продуктами сенсибилизации равным образом уменьшало бы наблюдаемые фототоки. [c.435]

    При облучении цеолита СаА электрон 2р-орбитали кпслорода переводится в ту или другую ловушку и образуются дырочный и электронный центры. Спектр ЭПР электронного центра аналогичен спектру, наблюдаемому после адсорбции окиси или двуокиси азота. Спектр же дырочного центра не наблюдается столь отчетливо. Одна из причин этого может заключаться в том, что частота перехода из одно11 структуры с локализованной дыркой в другую значительно выше, чем ири переходе между структурами, где вместо дыркп в одном из этих дефектов локализован электрон. Большая частота перехода приводит к уменьшению времени жизни электрона на данном уровне и к соответствующему уширению линии ЭПР-поглощения (см. главу I). [c.416]

    В щелочных катионных формах цеолитов действие облучения аналогично сначала электрон из валентной зоны переходит в зону проводимости, затем локализуется в ловушке, дырка локализуется на 2р-орбитали атома кислорода. При малых поглощенных дозах излучения более вероятно, что дырка локализуется на орбиталях атома 0 , а при дозах —1 Мрад — на атомах кислорода группы Si—О—А1. Снектр ЭПР дырочного парамагнитного центра такого типа наблюдался в облученном кварце с примесью алюминия [23, 28]. При 20° К снектр состоит из шести лини11 СТС, обусловленных взаимодействием с ядром алюминия (7ai= 5/2). Предполагая, что взаимодействие дырочного центра с щелочным катионом не изменяет симметрии С 21, центра [c.416]

    Высушенные хлоропласты обнаруживают термолюминесценцию после предварительного их облучения при низких температурах видимым светом. Интенсивность свечения возрастает с повышением температуры, достигая максимума при 393 К. Авторы этого-наблюдения [31] считают, что термолюминесценция не является термохемилюминесценцией и обусловлена полупроводниковыми свойствами хлоропластов при поглощении света в пигментной матрице возникают свободные носители заряда, которые захватываются в достаточно глубоких ловушках (дефекты структуры, реакционный центр, акцептор электрона и т. п.). При нагревании матрицы электроны высвобождаются из ловушек и рекомбинируют с положительной вакансией — дыркой, локализованной в реакционном центре (катион-радикал пигмента хлорофилл или бактериохлорофилл реакционного центра) [c.23]


Смотреть страницы где упоминается термин Ловушки для электронов и дырок: [c.409]    [c.429]    [c.61]    [c.48]    [c.28]    [c.29]    [c.129]    [c.138]    [c.140]    [c.140]    [c.211]    [c.357]    [c.201]    [c.50]    [c.59]   
Фотосинтез (1972) -- [ c.50 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Дырки

Ловушки

Электронная ловушка



© 2024 chem21.info Реклама на сайте