центры, в галогенидах щелочных металлов

Примеси простого акцепторного или донорного типов обычно считаются электрически нейтральными. Однако существуют другие виды центров, как, например, Р -центры в галогенидах щелочных металлов (по Полю), которые не являются нейтральными. Они обычно рассматриваются как возбужденные состояния атомов или ионов, вызванные облучением. [c.171]

При быстром нагревании до 80° С наблюдается уменьшение поглощения при 500 мк и увеличивается поглощение в коротковолновой области спектра, сопровождаемое появлением сигнала ЭПР, характерного для свободных радикалов. Термическая конверсия, спектр ЭПР, а также наблюдаемая фотопроводимость указывают на общность со свойствами F я F центров в галогенидах щелочных металлов. Тот факт, что синяя окраска локализуется в прожилках, параллельных плоскостям кристалла, также указывает на то, что ее образование связано с нарушениями кристаллической решетки. [c.295]

Ассоциаты проявляются в усложнении тонкой структуры спектра и анизотропии фактора расщепления (g -фактора) или в обоих этих явлениях. Примерами могут служить Vk к Н-центры в галогенидах щелочных металлов, созданные облучением рентгеновскими лучами при низкой температуре. Тонкая структура спектра ЭПР в сочетании с анизотропией g-фактора показывает, что в образовании центров участвуют два атома хлора. Полагают, что центры являются соответственно молекулярным ионом lj в двух нормальных узлах С1 и междоузельным атомом С1, т. е. ионом С в узле одного иона С1 [72]. [c.178]

Это расхождение может быть обусловлено тем, что образцы при комнатной температуре находились в частичном равновесии вторая фаза, определяющая активность лития после осаждения, представляет собой внутренний осадок, активность лития в котором не обязательно должна быть такой же, как в расплаве Ы — Ое, хотя такое предположение положено в основу расчета величины КЬ для более высоких температур. Указанное различие в активностях действительно было обнаружено для щелочного металла и осадка избытка щелочного металла (кластеры Р-центров) в галогенидах щелочных металлов [12]. При этом активность внутреннего осадка оказалась на 0,2—0,5 эв выше активности металла [13]. [c.288]

Образование новой фазы. Этот процесс связан с возникновением внутри кристалла больших кластеров (коллоидных частиц). Новая фаза может возникать внутри кристалла (гомогенное образование центров кристаллизации) или на дислокациях. В качестве примера можно указать на выделение лития в германии или коагуляцию F-центров в галогенидах щелочных металлов. [c.566]

Это выражение при условии, что Dp х С Dp, применяется для описания диффузии Р-центров в галогенидах щелочных металлов. В присутствии электрического поля сказывается только второй член этого выражения (см. разд. XV.3.1). Однако при обычной диффузии, по-видимому, основную роль играет первое слагаемое [34а, б]. Диффузия нейтральных Р-центров в принципе может осуществляться двумя путями, а именно путем прямой диффузии, за счет обмена электрона Р-центра с соседним катионом, или при участии вакансии, когда электрон р-центра как бы перескакивает на соседнюю катионную вакансию. Очевидно, первый процесс характеризуется высокой энергией активации, [c.577]

Используя обычный и игольчатый электроды, можно окрасить определенную часть кристалла путем перемещения скопления центров окрашивания через весь кристалл от одного конца к другому. Такой эксперимент был проделан с F- и V-центрами в галогенидах щелочных металлов [25, 26]. [c.605]

Другим двойным резонансным эффектом, детально изученным Фехером [137], является метод электронно-ядерного двойного резонанса (ЭЯДР). Если ядра в веществе связаны с электронами через сверхтонкое взаимодействие, то наблюдается расщепление ядерных уровней. В методе ЭЯДР линия электронного резонанса вещества насыщена. Подавая радиочастотную мощность определенной частоты на образец с тем, чтобы вызвать ядерные переходы между уровнями, образовавщимися за счет сверхтонкого взаимодействия, можно снять насыщение электронного резонанса и при определенной частоте появится сигнал ЭПР. Таким путем можно очень точно измерить энергию сверхтонкого взаимодействия электрона и ядра в веществе. Например, / -центрам в галогенидах щелочных металлов отвечает одна линия ЭПР, уширенная за счет сверхтонкого взаимодействия с большим числом соседних ядер, как, например, СР и в КС1. Фехер [138] определил это взаимодействие с помощью метода ЭЯДР, который позволил ему точно оценить природу волновых функций электрона для / -центра. Таким образом, метод ЭЯДР позволяет разрешить сверхтонкую структуру линий ЭПР, причем достигается разрешение порядка 10", поскольку лимитирующей является ширина линии ЯМР, а не ЭПР. [c.69]

Мотт и Герни [2П показали, что для термического освобождения электрона из /-центра в галогенидах щелочных металлов нужна энергия порядка 1,9 эв. Поэтому время, в течение которого электрон остается в /-центре, должно при комнатной температуре быть равным примерно 10 сек, если для частотного фактора принимается максимальное значение, а именно 10 сек . Следовательно, если бы /-центр мог разлагаться только термическим путем с переходом электрона в зону проводимости, то при комнатной температуре нельзя было бы ожидать обесцвечивания кристаллов. Тем не менее в кристаллах, окрашенных путем облучения рентгеновскими лучами, часто наблюдается [60] заметное обесцвечивание при температурах [c.113]

Особенно детально исследованы F-центры в галогенидах щелочных металлов. На рис. 8-11 показан спектр ЭПР центра F в NaH, который можно рассматривать как щелочно псевдога-логенид [194]. Сверхтонкое взаимодействие с шестью ближайшими эквивалентными ионами sNa (/ = 2) дает 19 линий с распределением интенсивностей 1 6 21 56 120 216 336 456 546 580 546.... Для других щелочных галогенидов (кроме LiF, NaF, Rb l, s l) в спектрах -центров столько перекрывающихся линий сверхтонкой структуры, что наблюдается только их огибающая. Метод ДЭЯР (гл. 13) позволяет разрешить компоненты сверхтонкой структуры в LiF вплоть до восьмой координационной сферы [195]. Исходя из данных по сверхтонкому расщеплению на ядрах, распределенных на некотором расстоянии от F-центра, можно подробно описать пространст- [c.200]

Пример ДЭЯР / -центр в галогенидах щелочных металлов [c.398]

Сходство спектров оптического иоглощения сольватиро-ванных электронов, Г-центров в галогенидах щелочных металлов и электронов, стабилизированных в твердых молекулярных матрицах, дает основание полагать, что механизм стабилизации электрона средой сходен. Это позволяет распространить существующие теории Р-центров и сольватироваиных электронов на стабилизацию электронов в молекулярных матрицах. [c.102]

Представляют интерес данные по диффузии меченых атомов Ва (Рединг-тон [88]) и центров окраски (Спроул [76]), по результатам которых вычислены энергии активации 23 , 0,3—0,4 и 2,8 эв. Для интерпретации результатов изучения диффузии центров окраски было бы полезно выяснить, происходит она в нейтральной или ионизированной форме, как в случае F- и Уг-центров в галогенидах щелочных металлов (разд. XV.3.1). [c.416]

Влияние давления на поглощение F-центров в галогенидах щелочных металлов, [В т. ч, Rb l], [c.61]