Гомогенное образование центров кристаллизации

Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]

Следует отметить, что гомогенное зародышеобразование практически невозможно наблюдать в чистом виде. В жидкости всегда имеются посторонние частицы, приводящие к гетерогенному механизму образования центров кристаллизации. [c.221]

Таблица 8-1. КРИТИЧЕСКИЕ СТЕПЕНИ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ, ПОВЕРХНОСТНЫЕ НАТЯЖЕНИЯ И КРИТИЧЕСКИЕ РАЗМЕРЫ СФЕРИЧЕСКИХ ЦЕНТРОВ ПРИ ГОМОГЕННОМ ОБРАЗОВАНИИ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Гомогенная кристаллизация происходит в три этапа достижение пересыщения раствора, образование центров кристаллизации (зародышей кристаллов) и их дальнейший рост. Пересыщение раствора может быть общим и локальным, в отдельных его микрообъемах, что обусловлено флуктуацией концентрации солей. Для дальнейшего пересыщения необходимо создать условия, при которых происходит взаимная ассоциация ионов и молекул. [c.59]

ГОМОГЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ [c.219]

Кроме рассмотренного, так называемого гомогенного образования центров кристаллизации, большое значение имеет также образование кристаллов на посторонних центрах. Такими центрами могут быть, например, мелкие частицы других твердых веществ, находящиеся в растворе во взвешенном состоянии, а также стенки сосуда, в котором проводится осаждение. Экспериментально под- [c.124]

При концентрации кальция 10 шМ самопроизвольное осаждение фосфатов кальция происходит менее чем за несколько секунд. В области концентраций 3 мМ<Сса<10 муИ процесс осаждения протекает через гомогенное образование центров кристаллизации, если раствор достаточно свободен от посторонних частиц. Осаждение может продолжаться от нескольких минут до нескольких часов в зависимости от наличия различных примесей в пересыщенном растворе. В области концентраций Сса от 2,5 до 3,0 мМ центрами образования кристаллов могут служить частицы пыли или неровности на стенках реакционного сосуда или на поверхностях электрода. При концентрациях Сса ниже 2,5 мМ стабильные пересыщенные растворы можно приготовить, постепенно добавляя раствор хлорида кальция к разбавленным растворам фосфатов с последующим доведением pH до 7,40 разбавленными растворами щелочи или кислоты. Пересыщенные растворы сохраняют устойчивость в течение нескольких часов или дней, до тех пор, пока не будут введены специальные образователи центров кристаллизации. [c.18]

Г. Гомогенное образование центров кристаллизации [c.376]

Для полимерных молекул температурный интервал ниже равно- весной температуры плавления представляет собой метастабильную зону, в которой скорость образования зародышей практически нулевая, но при этом однажды образовавшиеся кристаллы могут расти. Ниже этой метастабильной температурной оны центры кристаллизации могут возникать спонтанно как по гомогенному, так и по гетерогенному механизму. Однако в процессе дальнейшего охлаждения веш,ества достигается зона высокой вязкости, в которой снова скорость образования центров кристаллизации падает и скорость роста становится практически нулевой. Скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов проходят через максимум, поскольку при более высоких температурах снижается движущая сила процесса (перенасыщение), а при более низких температурах скорость массопереноса резко падает из-за высокой вязкости среды. Гомогенное образование центров кристаллизации, сопровождающееся ростом кристаллитов, может осуществляться только в том температурном диапазоне, в котором обе кривые взаимно перекрываются. Предполагается, что метастабильная зона переохлаждения (перенасыщение) возникает вследствие более высокой растворимости микроскопических зародышевых кристаллитов по сравнению с макрокристаллами и, следовательно, из-за более высокой энергии активации процесса образования зародышей кристаллизации по сравнению с процессом роста кристаллов. [c.315]

Образование новой фазы. Этот процесс связан с возникновением внутри кристалла больших кластеров (коллоидных частиц). Новая фаза может возникать внутри кристалла (гомогенное образование центров кристаллизации) или на дислокациях. В качестве примера можно указать на выделение лития в германии или коагуляцию F-центров в галогенидах щелочных металлов. [c.566]

Любая твердая мелкодисперсная частица, а не только частица соли, может стать центром кристаллизации. При этом непременным условием является ее способность адсорбировать на своей поверхности молекулы кристаллизующейся соли. С этим связано преимущественное зарождение кристаллов на таких частицах, а также на поверхности твердых тел и на их дефектах. Такое зарождение и образование кристаллов называется гетерогенным. Затраты энергии на образование центров кристаллизации при гетерогенном механизме меньше, чем при гомогенном. [c.462]

В последнее время развивается специальная группа приемов осаждения — гомогенное осаждение, или, правильнее, метод возникаюш их реактивов. Принцип этого метода заключается в том, что осадитель вводится в скрытой форме , чаще всего в виде органического соединения, которое медленно распадается в растворе. Таким образом, ионы осадителя медленно образуются и равномерно распределяются во всем объеме раствора. Концентрация этих ионов во время формирования осадка мала, механическое перемешивание отсутствует, поэтому скорость образования центров кристаллизации уменьшается. Эти условия способствуют росту отдельных кристаллов. В то же время уменьшается влияние внутренней адсорбции, и осадок захватывает меньше примесей. Методу возникающих реактивов посвящено много статей и монографий . [c.80]

Очевидно, что гранулометрический состав осадка должен определяться относительной скоростью двух процессов 1) образования центров кристаллизации и 2) роста центров кристаллизации. Согласно Оствальду пересыщенный раствор может быть метастабильным иначе говоря, он может оставаться в гомогенном состоянии бесконечно долго, до тех пор, пока в него не введут подходящую затравку с центрами кристаллизации. При пересыщении выше определенной величины (предел метастабильности) раствор рассматривался как лабильный, т. е. как способный к самопроизвольной кристаллизации. [c.151]

Скорость гомогенного процесса образования зародышей / должна быть весьма сходной со скоростью линейного роста, поскольку оба процесса — это образование центров кристаллизации. Первый осуществляется на трехмерном центре, второй — на двумерном центре-или на кристаллической поверхности. Температурная зависимость I описывается следующим соотношением [15] . [c.315]

Очень трудно изучать гомогенный процесс образования центров, кристаллизации, поскольку неоднородности, всегда имеющиеся в. [c.315]

Конденсация может протекать как химический и как физический процесс, И в том и в другом случае метод конденсации основан на образовании в гомогенной среде новой фазы, имеющей коллоидную дисперсность. Общим условием образования новой фазы является состояние пересыщения раствора или пара. При возникновении местных пересыщений в каких-то участках раствора образуются агрегаты из нескольких молекул, которые и становятся зародышами новой фазы. Роль зародышей могут выполнять имеющиеся или вносимые в систему центры кристаллизации — пылинки, небольшие добавки готового золя и др. Чем больше число центров кристаллизации и меньше скорость роста кристаллов, тем выше дисперсность получаемых золей. [c.410]

На рис. 8-3 схематически представлена зависимость числа образующихся центров кристаллизации при осаждении от концентрации растворенного вещества при изменяющейся и при постоянной эффективности затравок кристаллизации. Из рисунка видно, что при гомогенной кристаллизации кривая резко поднимается при высоких концентрациях. Если при какой-то определенной температуре добавлять растворы реагентов для постепенного повышения концентрации растворенного вещества, то никакого осадка не образуется до тех пор, пока концентрация не станет равной или большей чем 5. По достижении этой концентрации или более высокой, например, обозначенной точкой Е, раствор становится лабильным, и после определенного индукционного периода может наступить кристаллизация. Число образующихся центров кристаллизации зависит от степени пересыщения и от эффективности центров. Если центры одинаковые, их число равно числу участков нуклеации (рис. 8-36). Как только начинается образование центров кристаллизации, избыток вещества в растворе уменьшается, и концентрация падает до 5, т. е. до значения равновесной растворимости. Поскольку твердое вещество и растворенное имеют одинаковый состав, дальнейшее добавление реагента в течение длительного периода времени не приводит к увеличению концентрации выше 5. Новые центры кристаллизации не образуются, так как моментальная локальная концентрация не достигает высоких значений пересыщения. Фишер [31] показал, что при осаждении сульфата бария из гомогенного раствора на первых стадиях осаждения (по осаждении примерно 2%) в 1 мл находится примерно 1,5-10 частиц и почти такое же количество (1,6-10 )—при 90% осаждении. [c.165]

Механизм зарождения кристаллов в переохлажденных гомогенных расплавах исследован недостаточно полно. Наиболее приемлемое объяснение явления образования центров кристаллизации в объеме переохлажденной жидкой фазы дает теория гетерофазных флуктуаций, разработанная Френкелем [18]. Согласно этой теории, вблизи точки плавления в расплаве возникают местные и временные флуктуации, которые представляют собой скопления с ориентированным расположением молекул — наподобие кристаллической решетки. Состояние этих скоплений неустойчивое наряду с образованием наблюдается и распад их. Объединение возникших структурных образований может явиться зародышем, из которого в последующем вырастает кристалл. [c.49]

Сведений по кристаллизации йодата натрия крайне мало. Однако можно полагать, что кинетика его осаждения аналогична кинетике образования осадков КЮ.,. Известно [32], что абсолютные и относительные предельные пересыщения в растворах йодата калия значительны. При 13—36 °С = 1,00—1,77, т. е. раствор иодистого калия может быть пересыщен на 100—200%. Следовательно, при образовании иодатов могут наблюдаться длительные индукционные периоды. Образование центров кристаллизации возможно и по гомогенному, н по гетерогенному механизмам. [c.260]

Второй метод, схема которого приведена на рис. 4.1, б, отличается от первого прежде всего процессами нагрева и испарения капель. Жидкость впрыскивают в плазму. Часто для этой цели используют центробежные либо пневматические форсунки. Полученные в результате распыления капли имеют диаметр от 10 до 50 мкм. Высокая дисперсность капель способствует их более быстрой и глубокой переработке. Другое отличие метода состоит в том, что образование продукта может идти двумя путями. По первому из них капли жидкого реагента полностью испаряются, в газовой фазе протекают гомогенные химические реакции, а при охлаждении реакционных газов идут процессы формирования ультрадисперсных частиц порошка. По второму формирование частиц происходит путем образования центров кристаллизации и их последуюш его роста непосредственно в жидкой капле исходного сырья. Этот путь может привести к образованию более крупных частиц. [c.206]

Однако в более поздней работе Коллинза и Лейнуибера показано, что величина критической степени пересыщения зависит от чистоты реактивов. Применяя многократную перекристаллизацию и фильтрование реактивов, они получили критическую величину степени пересыщения, равную 32. Авторы пришли к выводу, что в этом случае не происходит гомогенного образования центров кристаллизации и что кристаллизация начинается на посторонних центрах возможно, центрами кристаллизации является элементарная сера, присутствующая в растворе тиосульфата. Нильсен показал, что при тщательной очистке сосуда, в котором производится осаждение, путем длительной обработки паром, количество кристаллов сульфата бария на единицу объема уменьшается в 10 и более раз. Поэтому он пришел к заключению, что при обычных условиях осаждения большая часть центров кристаллизации образуется на стенках стеклянного сосуда. [c.148]

Скорость гомогенного образования центров кристаллизации J определяется теорией Фольмера, Вебера, Беккера и Дёринга [771 как [c.377]

Часто условия образования осадка являются критическими. В большинстве случаев операцию осаждения проводят путем мед ленного добавления осадителя при интенсивном перемешивании. Такой метод приводит к образованию крупных хорошо фильтрующихся кристаллов при минимальном соосаждении примесей. Чтобы избежать утомительной операции медленного добавления осадителя, пользуются методом осаждения из гомогенного раствора (ОИГР). При ОИГР осадитель гомогенно генерируется в ненасыщенном растворе, обычно в результате химической реакции. Осаждение можно вызвать двумя способами медленным изменением pH раствора, приводящим к изменению растворимости вещества, или медленным повышением концентрации одного из реагентов. Ско рость генерирования осадителя можно уменьшить таким образом, что для проведения количественного осаждения потребуется несколько часов или даже дней. Такое медленное осаждение позволяет получить осадок с наиболее благоприятными физическими и химическими свойствами, поскольку при этом удается избежать гомогенного образования центров кристаллизации (см. разд. 8-2), к тому же гетерогенное образование центров кристаллизации происходит, по-видимому, лишь на небольшом числе участков нуклеации. [c.200]

Намного легче осуществляются гетерогенное зародышеобразование и кристаллизация. Скорость образования центров кристаллизации новой фазы ускоряется в присутствии поверхностей раздела, существовавших до образования центров новой фазы. Такими поверхностями раздела могут служить стенки сосуда, инородные включения в виде зерен и коллоидных частиц, дислокации и т. д. Наличие поверхностей раздела повышает поверхностную энергию системы, а это способствует снижению АРкр, т. е. величины энергии гомогенного зародышеобразования за счет уменьшения энергии поверхности раздела Д/ . [c.221]

Что касается твердых частиц, то здесь вопрос о поверхностном натяжении еще более сложен вследствие трудности его измерения, даже для больших кристаллов. Тем не менее и в этом случае используется то же теоретическое приближение 7, и в результате снова подтверждается, что критический размер центра кристаллизации является величиной порядка 100 ионов, откуда с необходимостью вытекает вывод, что скорость образования центров кристаллизации является функцией высокого порядка от концентрации. С этой теорией согласуются взгляды Тернбулла 1 , который указывает, что индукционный период при осаждении сульфата бария имеет скорее кажущийся, чем реальный характер, и что он соответствует периоду очень медленного роста, лимитируемому малой поверхностью. Тернбулл считает, что центры кристаллизации образуются в момент смешивания реактивов в местах, где концентрация оказывается выше критической концентрации образования центров кристаллизации. Различная величина масштабного фактора, о котором говорилось выше, объясняется недостаточной воспроизводимостью процесса смешивания. Относительно долгий кажущийся индукционный период при гомогенной генерации осадителя можно объяснить с помощью теории, утверждающей, что рост частиц происходит только при наличии посторонних центров кристаллизации. Чтобы объяснить получение одинакового количества частиц в осадке, которое наблюдали О Рурк и Джонсон, по-видимому, необходимо предположить, что в данном объеме раствора имеется постоянное количество посторонних центров кристаллизации, независимое от концентрации растворенного вещества в области очень разбавленных растворов. Разные результаты, полученные различными исследователями, по-видимому, объясняются разным количеством посторонних центров кристаллизации. [c.154]

Было показано, что относительное пересыщение в местах образования центров кристаллизации в момент их зарождения сильно влияет иа размер частиц осадка. Для того чтобы получить осадок в виде относительно больших отдельных кристаллов, пересыщение должно быть сведено к минимуму. С учетом этого условия был разработан метод гомогенного осаждения. В этом методе осаждающий агент не добавляется непосредственно в раствор, а довольно медленно образуется в результате гомогенной химической реакции в том же растворе со скоростью, сравнимой со скоростью роста кристалла. При этом отнооителыное пересыщение не так велико, как при непосредственном смешивании двух растворов реагирующих веществ. Ниже приведено несколько примеров гомогенного осаждения. [c.231]

Дайте определения или охарактеризуйте следующие термины коллоид, пересыщение, коагуляция, пептизация, противоионы, соосаждение, окклюзия, броуиовское движение, образование центров кристаллизации, рост кристалла, гомогенное осаждение, послеосаждение, поверхностная адсорбция, механический захват. [c.234]

Представления о механизме дезактивации нерастворимых примесей основаны на общих положениях теории образования новой фазы. В соответствии с этими положениями присутствие посторонних частиц в той или иной мере облегчает образование зародышей. Работа образования центров кристаллизации на готовой поверхности меньше работы возникновения в гомогенной системе [2, 13, 32, 58, 129]. Однако действие поверхности тесно связано с ее структурой и химическим составом примеси. Предполагается, что влияние частицы тем более эффективно, чем больше концентрация активных центров на ее поверхности. 11овышение температуры в ряде случаев способствует уменьшению числа активных центров и одновременно ускоряет десорбцию осаждаемого вещества с поверхности частицы. Оно же приводит к растворению частиц вещества, находящихся в макродефектах примеси (в трещинах, углублениях и т. п.). [c.25]

Настоящая книга посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию кинетики начальной стадии образования зародышей в объемных образцах расплавов и растворов веществ, обладающих большой линейной скоростью роста спонтанно возникающих центров твердой фазы. К таким веществам относится большинство элементарных, бинарных и тройных соединений полупроводников и диэлектриков, которые в виде крупных монокристаллов выращиваются не только в лабораториях, но и в широких промышленных масштабах. Процесс образования центров кристаллизации в расплавах указанных веществ обычно разделяется на два этапа индукционный период метастабидьного переохлажденного состояния до возникновения первого центра кристаллизации и период динамической нуклеации, протекающий с большой скоростью в присутствии уже возникшей твердой фазы. Анализ результатов исследования второй стадии значительно затрудняется так как возрастает число факторов и побочных явлений, изме няющих кинетику процесса кристаллизации. Изучение же кинетики начальной стадии требует развития и использования статистических методов исследования и обработки экспериментальных данных, поскольку образование центров кристаллизации, как гомогенное, так и гетерогенное, является случайным процессом во времени и в пространстве. [c.4]

I — стекло Л — переохлажденная жидкость III — жидкость IV — скорость гомогенного процесса образования центров кристаллизации J V скорость роста кристаллов V, VI — метастабильная зона переохлаждения VII — число центров кристаллизации JV (гисте-резисная петля). [c.311]

Кристаллизация трехкальциевого силиката. Процесс кристаллизации расплава с выделением новой фазы (например, 3S) про ходит последовательно три основные стадии 1) пересыщение жидкой фазы соответствующими окислами, 2) образование центров кристаллизации, 3) рост кристаллов. Пересыщение расплава в клинкере достигается растворением в нем несовершенных кристаллов 2S, СаО и других фаз или переохлаждением насыщенной жидкой фазы. Процесс образования центров кристаллизации 3S может быть самопроизвольным (гомогенным) или принудительным (гетерогенным). В первом случае в расплаве возникают скопления ионов a + и SiO t (сиботаксические группы, ассоциаты) в результате их соударений друг с другом. Размер этих группировок ионов является функцией температуры при понижении температуры величина скоплений возрастает. При достижении ими определенной для каждого данного случая величины и устойчивости в расплаве 198 [c.198]

Следует различать гомогенное (или спонтанное) образование центров кристаллизации и гетерогенное (или индуцированное). При гомогенной нуклеации в пересыщенном растворе образуется группа ионов или молекул, размер центра которой равен необходимому для кристаллизации в данных условиях. При гетерогенной нуклеации образованию критического скопления способствует другая фаза (например, частица пыли). В аналитических реакциях осаждения гомогенная нуклеация если и встречается, то очень редко, и происходит лишь в случае, если степень пересыщения до стигает большого значения. К сожалению, основная часть гипотез относящихся к трактовке механизма нуклеации, имеет в виду го могенный процесс те же гипотезы, которые относятся к гетероген ному процессу, развиваются с трудом. Согласно Оствальду [21] пересыщенный раствор может быть метастабильным иначе говоря он может остаться в гомогенном состоянии бесконечно долго, до тех пор, пока в него не введут подходящую затравку с центрами кристаллизации. При пересыщении выше определенной величины (предел метастабильности) раствор рассматривался как лабиль- [c.163]

Концепция небольших критических центров кристаллизации представляется удовлетворительной в том плане, что такие центры кристаллизации требуют лишь небольшого числа ступеней для своего образования. Вместе с тем при гипотезе Беккера—Деринга [4] критический размер центра кристаллизации является величиной порядка 100 ионов. Клейн и Дрий [21] при изучении образования центров кристаллизации пользовались сочетанием капельного метода и гомогенного осаждения и пришли к выводу, что скорость образования центров кристаллизации сульфата стронция находится в зависимости от концентрации в 27 степени, следовательно, критический центр кристаллизации содержит 52 иона. [c.167]

Образование центров кристаллизации. Фишер [4] указывает, что при ОИГР центры кристаллизации образуются очень быстро, а затем происходит только их рост. При гомогенном осаждении сульфата бария путем генерирования сульфата из сульфаминовой кислоты в растворе, содержащем 0,01 моль/л ионов бария, число [c.200]

Образование центров кристаллизации можно регулировать изменением pH среды. При низком pH центры кристаллизации многих веществ не образуются. При медленном увеличении pH в растворе начинают создаваться условия для образования центров кристаллизации и их роста, что используют в методе гомогенного осаждения или возникающих реагентов . Скорость ориентации сильно зависит от концентрации вещества. Характер образующихся осадков зависит от соотношения скоростей зародышеобразования и роста. Если первая скорость велика, а вторая мала, то в растворе образуется много центров кристаллизации, но растут они медленно — образуется мелкокристаллический осадок. Такой осадок может быть удобен для обычных качественных определений, когда важен сам факт образования осадка, но он неудобен для кристаллохимических наблюдений и в количественном анализе. Если эти скорости соизмеримы, образуются частицы средних размеров. Наконец, если созданы условия для медленного роста небольшого числа центров, получают крупнокристаллический осадок. Такой осадок наиболее удобен для мик-рокристаллоскопических исследований. [c.48]

Из общей теории фазовых превращений, созданной М. Фольмером, на основании термодинамичских работ И. Гиббса и получившей дальнейшее развитие в трудах Я. И. Френкеля, известно, что большинство процессов, протекающих в реальных системах, совершается по гетерогенной кинетике. Указанное положение применимо в полной мере к процессам пузырькового газовыделения (дегазация жидкого металла) и к процессам образования центров кристаллизации в затвердевающем расплаве. Другими словами, в обоих перечисленных выше случаях маловероятно гомогенное образование зародышей газовых пузырьков в пересыщенном газом расплаве и зародышей кристаллов в перео.хлажденном расплаве. Образование же зародышей критических размеров новой фазы происходит, как правило, не вследствие фазовых и гетерофазных флуктуаций, а связано с наличием в жидком металле подходящей поверхности в виде, например, твердой частицы, взвешенной в жидком метал- [c.442]

Хиллиг определил частоту гомогенного возникновения центров кристаллизации в каплях селена, сконденсированных на поверхности стеклообразного кварца. Полученные значения были меньше Ю" центров см сек в интервале от 90 до 215°, а ниже 80° кристаллизация не наблюдалась. Заметной зависимости частоты образования центров кристаллизации от температуры найдено не было. Максимальная частота, рассчитанная из уравнения Тернбала и Фишера [28] (уравнение I, гл. 3), составляла 10 центров слг сек . Было отмечено, что, так как аморфный селен состоит из макромолекул, уравнение Тернбала— Фишера к нему неприменимо, поскольку оно основано на модели, включающей миграцию индивидуальных атомов или маленьких молекул через границу раздела фаз. [c.268]

Проводя позднее аналогичное исследование, Коллинз и Лей-нуибер показали зависимость критической степени пер.есыщения от чистоты использованных растворов реагентов. Они не наблюдали образования центров кристаллизации в гомогенной фазе и зародыши кристаллов сульфата бария возникали на посторонних центрах. В 1957 г. Нильсен подтвердил это и обнаружил, что центры образовывались большей частью на стеклянных стенках кристаллизатора. [c.36]

Образование зародьппей кристаллизации бактериального магнетита может происходить прямо в водном растворе или идти через стадию образования промежуточного твердого вещества (предшественника), термодинамически менее стабильного, чем магнетит. Процессы зарождения кристаллов могут носить гомогенный или гетерогенный характер. Реакцию считают гомогенной, когда образование центров кристаллизации происходит спонтанно в перенасыщенном растворе, и гетерогенной, когда центры кристаллизации образуются на поверхности субстратов, присутствующих в водной среде. В биологических системах реакция кристаллизации по гомогенному механизму весьма маловероятна, поскольку эти системы содержат множество органических включений, на поверхности которых реакция кристаллизации может протекать по гетерогенному механизму с большим энергетическим выигрышем. [c.76]