Дефект температуры

На рис. 3.11.5 показаны рассчитанные профили скорости и температуры. Характер зависимостей почти такой же, как в случае вертикальной поверхности в термически стратифицированной окружающей среде. Во внешней части течения появляется дефект температуры. Этот дефект увеличивается с возрастанием уровня стратификации и с удалением рассматриваемого сечения от источника. Скорость на оси, как и предполагалось, уменьшается с возрастанием S. На рис. 3.11.6 показано изменение скорости и температуры на оси в зависимости от х — координаты вдоль потока. В случае изотермической окружающей среды (S = 0) эти параметры изменяются на большом расстоянии от источника пропорционально х (скорость) и хг (температура), как это следует из автомодельного решения. При 5 >0 выталкивающая сила уменьшается в направлении течения быстрее из-за увеличения окружающей температуры и в конце [c.150]

Если теплоемкостью дефекта можно пренебречь, то его основной теплофизической характеристикой является тепловое сопротивление = //л . Такие дефекты часто называют резистивными. На границах резистивных дефектов температура изменяется скачкообразно, а тепловой поток остается неразрывным [c.56]

Подобного рода локальные нарушения, способные принимать или отдавать электроны кристаллу, а также принимать или отдавать дырки, называются соответственно ловушками электронов или дырок. В зависимости от вида дефектов, температуры и ряда других факторов эти локальные уровни могут быть размещены различно по отношению к валентной зоне и зоне проводимости, и поэтому можно говорить о глубине ловушек. Одной из важных особенностей в положении ловушки является то, что величина энергии, необходимой для переноса из них электронов или дырок в одну из зон, всегда меньше расстояния между зонами. [c.60]

Важное значение при протекании химических реакций в твердой фазе имеет дефектность кристаллической решетки твердого тела (несовершенство решетки, наличие примесей и т. д.). Как правило, дефектность решетки может влиять двояко. С одной стороны, дефекты (особенно примеси) могут служить местами начала реакции (своего рода инициаторы или катализаторы), с другой стороны, дефекты решетки могут обрывать кинетические цепи (цепные реакции) и останавливать реакции. Поэтому роль и влияние дефектов при протекании какого-либо конкретного процесса определяются рядом факторов (например, тип дефекта, температура реакции, соотношение геометрических параметров кристаллической решетки исходного вещества и получающегося продукта). Таким образом, можно сказать, что общей особенностью практически всех типов реакции в твердой фазе является их структурная чувствительность, т. е. зависимость процесса от структуры, а следовательно, и от способа получения, предыстории, взятых мономеров. [c.252]

Резонансные методы. Если парамагнитный ион изменяет валентность, когда кристалл становится нестехиометрическим, то с помощью измерений ЭПР можно установить тип дефектов. Чтобы дырки или электроны ассоциировались с дефектами, температура должна быть достаточно низкой. Проводя теоретический расчет спектра ЭПР для каждого типа дефектов, связанных с парамагнитным ионом, и сравнивая с экспериментом, можно определить тип дефекта. Это большая и самостоятельная область исследований, которая имеет и свои трудности как в теоретическом плане, так и в смысле интерпретации спектров. В качестве примера мы уже указывали [86], что в ТЮг обнаружено существование ионов [ТР+1г в междоузлиях. [c.23]

Таким образом, массоперенос зависит от свойств малых молекул, природы полимерной матрицы, морфологии дефектов, температуры, величины действующих напряжений и т.д. [c.33]

Распределение температуры по толщине изделия. Для бездефектных участков такие распределения представляют собш ижестные решения теплофизических задач (см. табл. 4). От границы дефекта температура резко уменьшается по его толшине. Экспериментальное исследование такого распределения возможно для тфцов изделий (обнаружение трещины при торцовом нагреве согласно р с. 2, д) или для полупрозрачных изделий. [c.61]

ОКА можно получить окислением кобальта, нанесенного на графит, титан, платину и другие токопроводящие материалы (а. с. СССР 431900, 492301). Наибольшее применение нашли аноды, получаемые нанесением оксида кобальта на подложку из титана термическим разложением нитрата кобальта. Поскольку электрохимическая активность С03О4 в первую очередь определяется поверхностными дефектами, создаваемыми при формировании оксида (биографические дефекты), температуру разложения выдерживают в интервале 180—300° С. По данным [35] активный слой полученного в таких условиях электрода имеет состав Соз04,2. [c.24]

Отметка о простоях, неполадках, ниях от проекта и обнаруженных отступле- дефектах Температура окружающего воздуха Время замера температуры [c.121]

Прежде всего, как и в случае низкомолекулярных соединений, степень переохлаждения является одним из важнейших параметров, определяющим скорость фазового превращения и морфологию крнсталличеокого полимера. Однако, помимо известного влияния на размеры кристаллических структур, число и характер генерируемых дефектов, температура кристаллизации в случае поли.меров весьма специфически влияют на надмолекулярную организац11ю в связи со следующими двумя обстоятельствами. Во-перзых, температура кристаллизации является основным фактором, определяющим величину периода складывания макромолекул . При этом величина складки растет с повышением температуры кристаллизации и для каждой температуры значение периода оказывается близким к критическим размерам зародышей кристаллизации. Следствием этого является зависимость температуры плавления от величины периода складывания или от температуры кристаллизации. Это фундаментально важное обстоятельство и более подробно мы рассмотрим его ниже. [c.52]

Следовательно, границы области гомогенности зависят от энергии взаимодействия дефектов, температуры и собственной разуноря-доченности стехиометрического кристалла. Из (X, 59) и (X, 60) следует, что с ростом температуры предельные концентрации дефектов увеличиваются, т. е. область гомогенности фазы расширяется, как это показано на рис. 59. [c.176]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология